一种音频切换系统的制作方法

本实用新型涉及音频切换领域，具体来说，涉及一种音频切换系统。

背景技术：

目前的便携式电子装置都具备多模块的音频切换系统。在工作过程中，电子装置本身的解码电路会将电子装置本身的存储设备中的音频信号接到集成切换电路，另外，收音机的广播调频模块接回解码后的模拟音频输入到集成切换电路。用户根据需要选择使用电子装置本身进行音频播放或收音机收听广播节目，集成切换电路根据用户选择输出对应的声音信号。在传统的用于音频切换的开关芯片中，一般都是使用和PMOS互补型的开关或者单纯的NMOS开关，会导致芯片内部信号的互相干扰等问题。

针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现要素：

针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种音频切换系统，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种音频切换系统，包括CPLD(复杂可编程逻辑器件)、处理器、PLL(锁相环)时钟源模块、音频接收器、切换电路、控制电路、音频发送器和隔离器，所述CPLD分别依次与所述处理器、所述PLL时钟源、所述音频接收器、所述切换电路、所述控制电路和所述音频发送器连接，所述音频发送器与所述隔离器连接。

其中，所述切换电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5，所述电阻R1一端与所述CPLD上的引脚一连接，所述电阻R1另一端分别连接所述电阻R2、所述电阻R3及所述电阻R7的一端，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R3的另一端连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1集电极与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4另一端分别与所述电阻R5的一端和所述三极管Q2的基极连接，所述电阻R5另一端与所述三极管Q2的发射极连接，并且，所述三极管Q2的发射极与所述CPLD上的引脚二连接，所述三极管Q2集电极连接所述电阻R6的一端并与所述CPLD上的引脚三连接，所述电阻R6的另一端与所述CPLD上的引脚四连接，所述电阻R7另一端与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极分别与所述电阻R8的一端和所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的发射极接地，所述三极管Q4的集电极分别与所述电阻R9的一端和所述三极管Q5的基极连接，并且，所述电阻R9的另一端与所述电阻R8的另一端连接，所述三极管Q5的发射极连接所述电阻R9的另一端并与所述CPLD上的引脚五连接，所述三极管Q5的集电极分别与所述电阻R10的一端和所述CPLD上的引脚六连接，所述电阻R10的另一端与所述CPLD上的引脚七连接。

其中，所述控制电路包括处理单元MCU、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、输入端IN、输出端OUT和电阻R11，所述NMOS管M1的源极连接所述输入端IN，所述NMOS管M1的漏极连接所述输出端OUT，所述输入端IN与所述CPLD上的引脚八连接，所述输出端OUT与所述CPLD上的引脚九连接，所述NMOS管M2的栅极接地，所述NMOS管M2的源极通过电阻R11接地，所述NMOS管M2的漏极与所述输入端IN连接，所述NMOS管M2的源极与所述NMOS管M3的源极连接，所述NMOS管M3的栅极与所述输入端IN连接，所述NMOS管M3的漏极接地，所述NMOS管M3的源极与所述MCU上的引脚十连接，所述电阻R11靠近所述NMOS管M2的一端与所述MCU上的引脚十一连接。

进一步，所述电阻R1阻值为4.7KΩ。

进一步，所述电阻R2和所述电阻R10阻值均为2.3KΩ。

进一步，所述电阻R3和所述电阻R7阻值均为1.7KΩ。

进一步，所述电阻R4和所述电阻R8阻值均为1KΩ。

进一步，所述电阻R5和所述电阻R9阻值均为2.7KΩ。

进一步，所述电阻R11阻值为2.2KΩ。

本实用新型的有益效果为：通过设置切换电路，从而使得利用音频切换模块产生正负电平信号控制音频发送器，从而使得音频接收器的负音信号不会串扰至音频发送器输出的音频信号中，进而保证输出音频的信号质量；通过设置控制电路，从而使得当输入端的输入电压为负电压时，将输入端的负电压设为NMOS管的栅极电压，从而始终能够关断NMOS管，并且在能够完全关断NMOS管的同时，不再需要额外提供负电压的电源，进而简化了电路结构，进而减小开关装置的功耗以及对其他部件的干扰。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本实用新型实施例的系统原理框图；

图2是根据本实用新型实施例的切换电路原理图；

图3是根据本实用新型实施例的控制电路原理图。

图中：

1、CPLD；2、处理器；3、PLL时钟源；4、音频接收器；5、切换电路；6、控制电路；7、音频发送器；8、隔离器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

根据本实用新型的实施例，提供了一种音频切换系统。

如图1-3所示，根据本实用新型实施例提供的音频切换系统，包括CPLD1、处理器2、PLL时钟源3、音频接收器4、切换电路5、控制电路6、音频发送器7和隔离器8，所述CPLD1分别依次与所述处理器2、所述PLL时钟源3、所述音频接收器4、所述切换电路5、所述控制电路6和所述音频发送器7连接，所述音频发送器7与所述隔离器8连接。

其中，所述切换电路5包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5，所述电阻R1一端与所述CPLD1上的引脚一连接，所述电阻R1另一端分别连接所述电阻R2、所述电阻R3及所述电阻R7的一端，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R3的另一端连接所述三极管Q1的基极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1集电极与所述电阻R4的一端连接，所述电阻R4另一端分别与所述电阻R5的一端和所述三极管Q2的基极连接，所述电阻R5另一端与所述三极管Q2的发射极连接，并且，所述三极管Q2的发射极与所述CPLD1上的引脚二连接，所述三极管Q2集电极连接所述电阻R6的一端并与所述CPLD1上的引脚三连接，所述电阻R6的另一端与所述CPLD1上的引脚四连接，所述电阻R7另一端与所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极分别与所述电阻R8的一端和所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的发射极接地，所述三极管Q4的集电极分别与所述电阻R9的一端和所述三极管Q5的基极连接，并且，所述电阻R9的另一端与所述电阻R8的另一端连接，所述三极管Q5的发射极连接所述电阻R9的另一端并与所述CPLD1上的引脚五连接，所述三极管Q5的集电极分别与所述电阻R10的一端和所述CPLD1上的引脚六连接，所述电阻R10的另一端与所述CPLD1上的引脚七连接。

其中，所述控制电路6包括处理单元MCU、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、输入端IN、输出端OUT和电阻R11，所述NMOS管M1的源极连接所述输入端IN，所述NMOS管M1的漏极连接所述输出端OUT，所述输入端IN与所述CPLD1上的引脚八连接，所述输出端OUT与所述CPLD1上的引脚九连接，所述NMOS管M2的栅极接地，所述NMOS管M2的源极通过电阻R11接地，所述NMOS管M2的漏极与所述输入端IN连接，所述NMOS管M2的源极与所述NMOS管M3的源极连接，所述NMOS管M3的栅极与所述输入端IN连接，所述NMOS管M3的漏极接地，所述NMOS管M3的源极与所述MCU上的引脚十连接，所述电阻R11靠近所述NMOS管M2的一端与所述MCU上的引脚十一连接。

在一个实施例中，所述电阻R1阻值为4.7KΩ。

在一个实施例中，所述电阻R2和所述电阻R10阻值均为2.3KΩ。

在一个实施例中，所述电阻R3和所述电阻R7阻值均为1.7KΩ。

在一个实施例中，所述电阻R4和所述电阻R8阻值均为1KΩ。

在一个实施例中，所述电阻R5和所述电阻R9阻值均为2.7KΩ。

在一个实施例中，所述电阻R11阻值为2.2KΩ。

综上所述，借助于本实用新型的上述技术方案，通过设置切换电路5，从而使得利用音频切换模块5产生正负电平信号控制音频发送器7，从而使得音频接收器4的负音信号不会串扰至音频发送器7输出的音频信号中，进而保证输出音频的信号质量；通过设置控制电路6，从而使得当输入端的输入电压为负电压时，将输入端的负电压设为NMOS管的栅极电压，从而始终能够关断NMOS管，并且在能够完全关断NMOS管的同时，不再需要额外提供负电压的电源，进而简化了电路结构，进而减小开关装置的功耗以及对其他部件的干扰。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。