一种华司和扬声器的制作方法

本实用新型涉及扬声器技术领域，具体而言，涉及一种华司和扬声器。

背景技术：

扬声器是一种将电信号转换成声信号，已广泛应用于手机、笔记本电脑等数码产品。扬声器发声的原理是，变化的音频电信号馈入音圈，音圈在磁路单元形成的磁场下因变化的电流受到变化的安培力作用，进而带动连接于音圈的振膜振动以驱动前后空气，产生声波。

目前，多磁磁路的扬声器由于其良好的性能被广泛的应用；现有技术中，多磁磁路的扬声器包含有基架、多个磁铁，以及分别配置在该多个磁铁上表面的多个独立的华司，华司可以减少磁漏，同时可以在多个磁铁围成的磁间隙产生均匀的磁场，让音圈可以稳定的振动；其中，多个独立的华司在生产过程中，通过外部连料连接在一起，及易发生变形；此外，当扬声器处于高温和潮湿的环境时，基架会发生变形影响磁间隙的变化，进而影响扬声器的发声。有鉴于此，发明人在研究了现有的技术后特提出本申请。

技术实现要素：

本实用新型提供了一种华司和扬声器，旨在改善现有技术的多磁磁路的扬声器，容易发生华司和基架变形的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种华司和扬声器，其中，华司用以减少多磁磁路的扬声器的磁漏，扬声器包含：基架、和该基架相适配的磁轭、配置在该磁轭上的多个磁铁。所述华司位于所述磁轭和所述基架之间，所述华司的下表面配置在所述多个磁铁的上表面，所述华司的上表面配置在所述基架上，所述华司为一体结构的环形几何薄板，所述华司配置有限位部，所述基架配置有和所述限位部相适配的凸缘，所述华司配置在所述基架上，能够带动所述凸缘配置在所述限位部上，以限制所述华司相对所述基架活动。本实用新型的华司，通过冲压工艺，直接在薄板上冲切形成，可以极大地较少华司在生产过程的变形。

作为进一步优化，所述限位部为配置在所述华司的两个梯形通孔，该两个梯形通孔的短底边分别和所述华司的边缘相连通，所述凸缘为配置在所述基架上的两个梯形凸块，该两个梯形凸块分别和所述两个梯形通孔相适配，所述两个梯形凸块分别配置在所述两个梯形通孔内，以限制所述华司相对所述基架活动。

作为进一步优化，所述华司具有形成环状结构的第一通孔，该第一通孔呈凸字形。

作为进一步优化，所述华司和所述基架，所述华司和所述多个磁铁，均通过胶水黏接配置在一起。

一种扬声器,包含：基架、和该基架相适配的磁轭、配置在该磁轭上的多个磁铁，以及配置在所述多个磁铁上的华司，该华司为上述所述的一种环形华司。

通过采用上述技术方案，本实用新型可以取得以下技术效果：

本实用新型的华司通过冲压工艺直接冲切形成，可以极大地较少华司在生产过程的变形，同时本实用新型的华司为环形一体结构，黏接配置在扬声器的基架上，可以防止基架在高温和潮湿的环境产生变形，进而影响扬声器的稳定工作。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本实用新型一实施例，扬声器的分解示意图；

图2是本实用新型一实施例，华司和基架的分解示意图；

图3是本实用新型一实施例，华司的结构示意图；

图4是本实用新型一实施例，基架的结构示意图；

图5是现有技术中，多磁磁路的扬声器，华司和基架的结构示意图；

图6是现有技术中，多磁磁路的扬声器，华司和连接料的结构示意图；

图中标记：1-振膜，2-音圈，3-基架，4-华司，5-磁铁，6-磁轭，7-限位部，8-凸缘，9-第一通孔，10-连接料。

具体实施方式

为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：

由图1、图2所示，在本实施例中，一种华司，用以减少多磁磁路的扬声器的磁漏，该扬声器包含：基架3、和该基架3相适配的磁轭6、配置在该磁轭6上的多个磁铁5、配置在基架3上的振膜1，以及配置在振膜1上的音圈2。华司4位于磁轭6和基架3之间，华司4的下表面配置在多个磁铁5的上表面，华司4的上表面配置在基架3上，华司4为一体结构的环形几何薄板，华司4配置有限位部7，基架3配置有和限位部7相适配的凸缘8，华司4配置在基架3上，能够带动凸缘8配置在限位部7上，以限制华司4相对基架3活动。

由图2、图3和图4所示，在本实施例中，限位部7为配置在华司4的两个梯形通孔，该两个梯形通孔的短底边分别和华司4的边缘相连通，凸缘8为配置在基架3上的两个梯形凸块，该两个梯形凸块分别和两个梯形通孔相适配，两个梯形凸块分别配置在两个梯形通孔上，以限制华司4相对基架3活动。在本实施例中，华司4是通过冲压工艺，直接在薄板上冲切形成，可以极大地较少华司4在生产过程的变形。如图5、图6所示，在现有技术中，多磁磁路的扬声器具有多个独立的华司4，这些独立的华司4分别和多个磁铁5相配合，为了方便一次性安装这些独立的华司4，华司4生产过程中设置有连接料10，连接料10把这些独立的华司4连接在一起方便安装，安装后再裁剪掉连接料10，但是由于连接料10和华司4是一次性加工出，较大的连接料10会发生形变，导致这些独立的华司4相互错位，难以同时和基架3以及多个磁铁5相配合，难以完成扬声器的安装。

由图3所示，在本实施例中，华司4具有形成环状结构的第一通孔9，该第一通孔9呈凸字形。多磁磁路的扬声器的多个磁铁5，具有配置在中间的中心磁铁5，该中心磁铁5位于第一通孔9处；呈凸字形的第一通孔9不仅可以进一步较少华司4的用料，同时增加华司4安装时候的定位。

由图2所示，在本实施例中，华司4和基架3，华司4和多个磁铁5，均通过胶水黏接配置在一起。黏接配置在扬声器上的基架3，可以起到支撑的作用，可以防止基架3在高温和潮湿的环境产生变形，进而影响多磁磁路扬声器的磁间隙发生变化，导致磁间隙的磁场发生变化，影响音圈2的稳定振动，进而影响扬声器的工作。由图5所示，在现有技术中，多磁磁路的扬声器具有多个独立的华司4，这些独立的华司4由于没有连接在一起不能起到支撑基架3，防止其变形的作用。

由图1所示，在本实施例中，一种扬声器,包含：基架3、和该基架3相适配的磁轭6、配置在该磁轭6上的多个磁铁5，以及配置在多个磁铁5上的华司4，该华司4为本实施例所述的一种环形华司4。

以上所述仅为本实用新型的优选实施方式而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。