新型发射机的制作方法

本实用新型涉及通信设备领域，特别涉及一种新型发射机。

背景技术：

发射机(a transmitter circuit)主要任务是完成有用的低频信号对高频载波的调制，将其变为在某一中心频率上具有一定带宽、适合通过天线发射的电磁波。广泛应用于电视，广播，雷达等各种民用、军用设备。主要可分为调频发射机，调幅发射机，光发射机等多种类型。光发射机的作用是将从复用设备送来的HDB3信码变换成NRZ码；接着将NRZ码编为适合在光缆线路上传输的码型；最后在进行电/光转换，将电信号转换成光信号并耦合进光纤。传统发射机的供电部分使用的元器件较多，电路结构复杂，硬件成本较高，不方便维护。另外，由于发射机的供电部分缺少相应的电路保护功能，例如：缺少限流保护功能和防止信号干扰功能，造成电路的安全性和可靠性较差。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种电路结构较为简单、成本较低、方便维护、电路的安全性和可靠性较高的新型发射机。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种新型发射机，包括输入接口、编码器、信号转换器、电源电路、光源和输出接口，所述输入接口的输出端与所述编码器的输入端连接，所述编码器的输出端与所述信号转换器的输入端连接，所述信号转换器的输出端与所述电源电路的输入端连接，所述电源电路的输出端与所述光源的输入端连接，所述光源的输出端与所述输出接口的输入端连接；

所述电源电路包括直流电源、第一电阻、第一MOS管、第一电感、第一二极管、第一电容、第三电容、第二电阻、第一三极管、继电器、第二二极管、第三二极管、第四电阻、第二MOS管和第二电容，所述直流电源分别与所述第一电阻的一端和第一MOS管的源极连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第一电阻的另一端和第三电容的一端连接，所述第三电容的另一端与所述第一三极管的集电极连接，所述第一三极管的基极与第二电阻的一端连接，所述第一三极管的基极接入脉宽调制信号，所述第二电阻的另一端和第一三极管的发射极均接地，所述第一MOS管的漏极分别与所述第一二极管的阴极和第一电感的一端连接，所述第一电感的另一端分别与所述第一电容的正极和第三电阻的一端连接，所述第一二极管的阳极和第一电容的负极均接地，所述第三电阻的另一端分别与所述继电器的线圈的一端、第二二极管的阴极和第二电容的正极连接，所述继电器的线圈的另一端与所述第三二极管的阳极连接，所述第三二极管的阴极分别与所述第二二极管的阳极、第二MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的栅极与所述第四电阻的一端连接，所述第二MOS管的栅极接入驱动信号，所述第四电阻的另一端、第二MOS管的源极和第二电容的负极均接地，所述第三电容的电容值为360pF，所述第三二极管的型号为S-153T。

在本实用新型所述的新型发射机中，所述电源电路还包括第五电阻，所述第五电阻的一端与所述第一三极管的发射极连接，所述第五电阻的另一端接地，所述第五电阻的阻值为52kΩ。

在本实用新型所述的新型发射机中，所述电源电路还包括第六电阻，所述第六电阻的一端与所述第二MOS管的源极连接，所述第六电阻的另一端接地，所述第六电阻的阻值为36kΩ。

在本实用新型所述的新型发射机中，所述电源电路还包括第四电容，所述第一三极管的基极通过所述第四电容接入所述脉宽调制信号，所述第四电容的电容值为430pF。

在本实用新型所述的新型发射机中，所述第一MOS管为P沟道MOS管，所述第一三极管为NPN型三极管，所述第二MOS管为N沟道MOS管。

实施本实用新型的新型发射机，具有以下有益效果：由于设有输入接口、编码器、信号转换器、电源电路、光源和输出接口，电源电路包括直流电源、第一电阻、第一MOS管、第一电感、第一二极管、第一电容、第三电容、第二电阻、第一三极管、继电器、第二二极管、第三二极管、第四电阻、第二MOS管和第二电容，该电源电路与传统发射机的供电部分相比，其使用的元器件较少，由于节省了一些元器件，这样可以降低硬件成本，另外，第三电容用于防止第一MOS管与第一三极管之间的干扰，第三二极管用于进行限流保护，因此电路结构较为简单、成本较低、方便维护、电路的安全性和可靠性较高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型新型发射机一个实施例中的结构示意图；

图2为所述实施例中电源电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型新型发射机实施例中，该新型发射机的结构示意图如图1所示。图1中，该新型发射机包括输入接口1、编码器2、信号转换器3、电源电路4、光源5和输出接口6，输入接口1的输出端与编码器2的输入端连接，编码器2的输出端与信号转换器3的输入端连接，信号转换器3的输出端与电源电路4的输入端连接，电源电路4的输出端与光源5的输入端连接，光源5的输出端与输出接口6的输入端连接。

本实施例中，编码器2用于将输入接口1接收到的HDB3信码变换成NRZ码，然后将NRZ码编为适合在光缆线路上传输的码型；信号转换器3将编码器2编码处理后的数字信号转换为模拟信号；电源电路4用于为光源5提供供电电源。

图2为本实施例中电源电路的电路原理图，图2中，该电源电路8包括直流电源15V、第一电阻R1、第一MOS管M1、第一电感L1、第一二极管D1、第一电容C1、第三电容C3、第二电阻R2、第一三极管Q1、继电器K1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四电阻R4、第二MOS管M2和第二电容C2，直流电源15V分别与第一电阻R1的一端和第一MOS管M1的源极连接，第一MOS管M1的栅极分别与第一电阻R1的另一端和第三电容C3的一端连接，第三电容C3的另一端与第一三极管Q1的集电极连接，第一三极管Q1的基极与第二电阻R2的一端连接，第一三极管Q1的基极接入脉宽调制信号PWM，第二电阻R2的另一端和第一三极管Q1的发射极均接地，第一MOS管M1的漏极分别与第一二极管D1的阴极和第一电感L1的一端连接，第一电感L1的另一端分别与第一电容C1的正极和第三电阻R3的一端连接，第一二极管D1的阳极和第一电容C1的负极均接地，第三电阻R3的另一端分别与继电器K1的线圈的一端、第二二极管D2的阴极和第二电容C2的正极连接，继电器K1的线圈的另一端与第三二极管D3的阳极连接，第三二极管D3的阴极分别与第二二极管D2的阳极、第二MOS管M2的漏极连接，第二MOS管M2的栅极与第四电阻R4的一端连接，第二MOS管M2的栅极接入驱动信号RLY，第四电阻R4的另一端、第二MOS管M2的源极和第二电容C2的负极均接地。

该电源电路8与传统发射机的供电部分相比，其使用的元器件较少，电路结构较为简单，方便维护，由于节省了一些元器件，这样可以降低硬件成本，另外，第三电容C3为耦合电容，用于防止第一MOS管M1与第一三极管Q1之间的干扰，第三二极管D3为限流二极管，用于进行限流保护，因此电路的安全性和可靠性较高。值得一提的是，本实施例中，第三电容C3的电容值为360pF，第三二极管D3的型号为S-153T，当然，在实际应用中，第三电容C3的电容值可以根据具体情况相应调整，第三二极管D3也可以采用其他型号具有类似功能的二极管。

在继电器K1的驱动信号RLY发出前，控制第一MOS管M1的脉宽调制信号PWM的占空比为100％，此时第一三极管Q1常通，第一MOS管M1的驱动电压为-15V，第一MOS管M1为常通，从第一电感L1输出的电压为15V，15V电压通过第三电阻R3给第二电容C2充电。当继电器K1的驱动信号RLY发出瞬间，继电器K1的线圈的电压由第二电容C2提供，第二电容C2放电，此时继电器K1的触点吸合。经过几毫秒后，控制驱动第一MOS管M1的脉宽调制信号PWM的占空比变为50％，此时从第一电感L1输出电压为7.5V，继电器K1的线圈的电压为7.5V。可见，通过控制驱动第一MOS管M1的脉宽调制信号PWM的占空比可为继电器K1在不同阶段提供不同大小的供电电压，可有效地降低继电器K1的线圈的损耗，提高继电器K1的可靠性和使用寿命。通过控制驱动第一MOS管M1的脉宽调制信号PWM的占空比，可输出不同大小的电压，可以适用于供电电压要求小于15V的不同类型的继电器，通用性好；如需输出更大的电压，如24V的电压，可调整供电电源的大小即可匹配更多类型的继电器。

本实施例中，第一MOS管M1为P沟道MOS管，第一三极管Q1为NPN型三极管，第二MOS管M2为N沟道MOS管。当然，在实际应用中，第一MOS管M1也可以为N沟道MOS管，第一三极管Q1也可以为PNP型三极管，第二MOS管M2也可以为P沟道MOS管，但这时电路的结构也要相应发生变化。

本实施例中，该电源电路8还包括第五电阻R5，第五电阻R5的一端与第一三极管Q1的发射极连接，第五电阻R5的另一端接地。第五电阻R5为限流电阻，用于对第一三极管Q1的发射极电流进行限流保护，以进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是，本实施例中，第五电阻R5的阻值为52kΩ，当然，在实际应用中，第五电阻R5的阻值可以根据具体情况进行相应调整，也就是第五电阻R5的阻值可以根据具体情况进行相应增大或减小。

本实施例中，该电源电路8还包括第六电阻R6，第六电阻R6的一端与第二MOS管M2的源极连接，第六电阻R6的另一端接地。第六电阻R6为限流电阻，用于对第二MOS管M2的源极电流进行限流保护，以更进一步增强电路的安全性和可靠性。值得一提的是，本实施例中，第六电阻R6的阻值为36kΩ，当然，在实际应用中，第六电阻R6的阻值可以根据具体情况进行相应调整，也就是第六电阻R6的阻值可以根据具体情况进行相应增大或减小。

本实施例中，该电源电路8还包括第四电容C4，第一三极管Q1的基极通过第四电容C4接入脉宽调制信号PWM。第四电容C4用于隔断直流通交流。值得一提的是，本实施例中，第四电容C4的电容值为430pF，当然，在实际应用中，第四电容C4的电容值可以根据具体情况进行相应调整，也就是第四电容C4的电容值可以根据具体情况进行相应增大或减小。

总之，本实施例中，该电源电路8与传统发射机的供电部分相比，其使用的元器件较少，电路结构较为简单，方便维护，由于节省了一些元器件，这样可以降低硬件成本，另外，该电源电路8中设有耦合电容和限流二极管，因此电路的安全性和可靠性较高。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。