发声装置的制作方法

本实用新型涉及声能转换
技术领域：
，特别涉及一种发声装置。
背景技术：
：相关技术的发声器件，为了实现后声腔全灌装技术，一般在发声器件的泄漏口处设置网布，网布与发声器件的外壳一体注塑成型或者是采用粘接的方式进行固定。然而，由于网布本身的形态较难保持，因此在进行一体注塑或者是粘接时，容易导致网布与泄漏口之间的错位，增加产品的不良率。技术实现要素：本实用新型的主要目的是提出一种发声装置，旨在降低产品的不良率。为实现上述目的，本实用新型提出的发声装置，包括：导磁轭；外壳，沿所述导磁轭的边缘延伸呈环状，所述外壳与所述导磁轭之间的间隙形成有泄漏口；以及，金属网，盖合所述泄漏口，所述金属网对应所述泄漏口的位置开设有多个透气孔。可选地，所述金属网具有遮盖段和连接段，所述连接段与所述导磁轭背离所述外壳的表面连接，所述遮盖段覆盖所述泄漏口，所述遮盖段上开设有多个所述透气孔。可选地，所述导磁轭背离所述外壳的表面开设有让位凹槽，所述连接段位于所述让位凹槽内。可选地，所述连接段与所述导磁轭焊接或者粘接。可选地，所述发声装置还包括磁路系统和振动系统，所述磁路系统包括中心磁铁和环绕所述中心磁铁设置的边磁铁，所述中心磁铁和所述边磁铁之间的间隔构成磁间隙；所述振动系统包括振膜、音圈和支片，所述音圈伸入所述磁间隙；所述支片位于所述音圈靠近所述导磁轭的一端，并且所述支片与所述音圈电连接；所述导磁轭上且对应所述支片开设有让位孔，所述连接段盖合所述让位孔。可选地，所述发声装置呈方形，所述发声装置的四个角部各设有一个所述支片，所述导磁轭的四个角部分别对应设置一个所述让位孔。可选地，所述外壳上且在所述泄漏口的孔壁开设有插接缺口，所述金属网插入所述插接缺口内。可选地，所述导磁轭和所述外壳中至少一者的边缘向靠近彼此的方向延伸出多个挡壁，所述挡壁与另一者抵接，其中相邻的两个所述挡壁之间的空间构成所述泄漏口。可选地，所述导磁轭和所述外壳之间形成有多组定位结构，每一组所述定位结构均包括设置在所述外壳上的两个所述挡壁，以及设置在所述导磁轭上的一个所述挡壁，其中，所述导磁轭上的所述挡壁卡入所述外壳上两个挡壁之间；相邻两组所述定位结构之间的间隔构成所述泄漏口。可选地，所述发声装置呈方形，所述发声装置的两个短边各设有一个所述泄漏口，每一个所述泄漏口均对应设有一个所述金属网。可选地，所述金属网的厚度小于或等于0.2mm。可选地，所述外壳包括壳体部和安装部，所述壳体部为金属件，所述壳体部沿所述导磁轭的外边缘延伸而呈环状，所述壳体部朝向所述导磁轭的表面开设有让位缺口，所述让位缺口朝外贯穿所述壳体部的外边缘；所述安装部设置在所述让位缺口，所述安装部为塑料件，并与所述壳体部一体注塑成型。可选地，所述壳体部包括层叠设置的金属环和环状华司，所述金属环与振膜的边缘部连接，所述环状华司设置在所述边磁铁上，所述环状华司外边缘的部分位置开设有所述让位缺口，所述金属环具有自所述让位缺口显露的安装区域，所述安装部设置在所述安装区域。可选地，所述外壳包括塑胶壳体和金属华司，所述塑胶壳体和所述金属华司均呈环状，所述塑胶壳体与所述金属华司一体注塑成型。本实用新型中采用金属网的形式，一方面，金属网具有较大的强度和硬度，即使其厚度较薄，也能够确保金属网具有稳定的形态，故而能够保证金属网与外壳或导磁轭的连接稳定性，避免金属网与泄漏口错位，从而提高产品的良品率。另一方面，金属网的强度较高，可以同时作为外壳的一部分，对外壳内部的振动系统和磁路系统等结构起到防护作用。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本实用新型发声装置一实施例的结构示意图；图2为图1中发声装置从另一角度看的结构示意图；图3为图1中发声装置的平面示意图；图4为图3中发声装置沿a-a处的剖切示意图；图5为图4中金属网的结构示意图；图6为图1中外壳的结构示意图；图7为图6中外壳从另一角度看的结构示意图；图8为图7中金属环的结构示意图；图9为图8中金属环从另一角度看的结构示意图；图10为图7中环状华司的结构示意图；图11为图10中环状华司从另一角度看的结构示意图；图12为图6中外壳的平面示意图；图13为图12中外壳沿b-b处的剖切示意图；图14为图12中外壳沿c-c处的剖切示意图；图15为本实用新型发声装置另一实施例的结构示意图；图16为图15中发声装置从另一角度看的结构示意图；图17为图15中发声装置的分解示意图；图18为图17中外壳的结构示意图；图19为图18中外壳从另一角度看的结构示意图。附图标号说明：标号名称标号名称10外壳16塑料壳体111泄漏口17金属华司112插接缺口20导磁轭113/113＇挡壁21让位凹槽114定位结构22让位孔12壳体部31中心磁铁13金属环32中心导磁板131安装区域33边磁铁132抓胶孔41振膜133第一环状本体411中心部134第一边华司412边缘部14环状华司413折环部141定位凸台42音圈142抓胶凸台50金属网143抓胶凹槽51遮盖段144让位缺口52连接段145第二环状本体60支片146第二边华司70焊盘15安装部本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。本实用新型提出一种发声装置，该发声装置可用于耳机、手机、笔记本电脑、vr设备、ar设备、电视机等设备中。请结合参考图1至图4，发声装置包括外壳10(如图6所示)、振动系统和磁路系统等部件。其中，磁路系统包括导磁轭20，导磁轭20上设有内磁路部分和外磁路部分，外磁路部分间隔围设在内磁路部分外，内磁路部分和外磁路部分两者之间的间隙形成磁间隙。例如，内磁路部分包括中心磁铁31和设置在中心磁铁31上的中心导磁板32。外磁路部分包括边磁铁33。中心磁铁31和边磁铁33被设置在导磁轭20上，中心导磁板32设置在中心磁铁31上。边导磁板可以沿导磁轭20的周向延伸呈环状，也可以仅在导磁轭20的两相对侧分别设有一边导磁板，或者导磁轭20的每一条边上均设置一个或者多个边导磁板等等。振动系统包括振膜41和音圈42，音圈42的一端固定于振膜41，音圈42的另一端伸入上述的磁间隙中。振膜41包括中心部411和围绕中心部411设置的边缘部412。此外，振膜41还可包括位于中心部411和边缘部412之间的折环部413。在其他示例中，振膜41为平面结构。振膜41的材质为peek或者其他高分子材料。在振膜41的中心部411还设置有补强层。补强层能够有效地降低振膜41的分割振动，降低发声装置的杂音。外壳10沿导磁轭20的外边缘延伸呈环状，并分别连接磁路系统和振动系统。例如，振膜41的边缘部412通常与外壳10连接，即外壳10是环绕振膜41的边缘部412设置的。此外，外壳10还与导磁轭20连接，或是与边磁铁33连接，外壳10、导磁轭20以及边磁铁33共同围合形成敞口朝向振膜41的结构。需要说明的是，环状的外壳10指的是完全闭合的环形或者非完全闭合的环形。发声装置可为方形结构、圆形结构、椭圆形结构等。下面以长方形结构为例进行说明。如图所示，发声装置包括两条长边和两条短边。长边的长度大于短边的长度。音圈42、振膜41、外壳10、磁路系统的长边和短边分别与发声装置的长边和短边相对应。本实用新型实施例中，外壳10沿所述导磁轭20的边缘延伸呈环状，所述外壳10与所述导磁轭20之间的间隙形成有泄漏口111，该泄漏口111位于发声装置的侧面。请结合参考图5，发声装置还包括金属网50，金属网50盖合所述泄漏口111，所述金属网50对应所述泄漏口111的位置开设有多个透气孔。需要说明的是，金属网50指的是具有多个网孔的网状结构，该网孔为透气孔。所述泄漏口111通过所述金属网50的网孔进行泄漏，使得所述发声装置的内部空间与外界保持声压平衡，省去另外开设泄漏孔结构。金属网50可以与导磁轭20和外壳10中的任意一者连接，或者，金属网50同时与导磁轭20和外壳10连接。例如，一些实施例中，金属网50与导磁轭20焊接或者粘接。传统的一般是在泄漏口111处设置网布，但是由于网布的形态较难保持，这就导致在进行一体注塑或粘接时，网布容易与泄漏口111错位。针对此，本实用新型中采用金属网50的形式，一方面，金属网50具有较大的强度和硬度，即使其厚度较薄，也能够确保金属网50具有稳定的形态，故而能够保证金属网50与外壳10或导磁轭20的连接稳定性，避免金属网50与泄漏口111错位，从而提高产品的良品率。另一方面，金属网50的强度较高，可以同时作为外壳10的一部分，对外壳10内部的振动系统和磁路系统等结构起到防护作用。一实施例中，所述金属网50的厚度小于或等于0.2mm。例如，金属网50的厚度可以设置为0.2mm、0.115mm、0.1mm等等，该尺寸范围的金属网50，具有较小的厚度，可以大大减小对整机空间的占用。请结合参考图16和图17，以下以金属网50与导磁轭20连接为例进行说明。具体地，所述金属网50具有遮盖段51和连接段52，所述连接段52与所述导磁轭20背离所述外壳10的表面连接，所述遮盖段51覆盖所述泄漏口111，所述遮盖段51上开设有多个透气孔。本实施例中，连接段52与遮盖段51之间结合形成类似l形的结构，连接段52设置在导磁轭20背离外壳10的表面，可以限制整个金属网50朝靠近外壳10的方向移动。为保证强度，连接段52上未开设透气孔，仅在遮盖段51上开设多个透气孔，即连接段52为一完整的板体，遮盖段51则为网孔板。当然，可以根据需要，在连接段52上开设透气孔。另外，所述连接段52与所述导磁轭20焊接或者粘接。一实施例中，所述导磁轭20背离所述外壳10的表面开设有让位凹槽21，所述连接段52位于所述让位凹槽21内。需要说明的是，该连接段52与让位凹槽21适配，即连接段52大体能够与让位凹槽21的槽壁接触，两者相互嵌合，从而限制连接段52的移动。可选地，所述连接段52背离所述外壳10的表面与所述导磁轭20背离所述外壳10的表面平齐，或者所述连接段52背离所述外壳10的表面低于所述导磁轭20背离所述外壳10的表面。让位凹槽21的设置，一方面可以为连接段52起到限位作用，防止连接段52沿着导磁轭20的板面移动；另一方面，避免了连接段52凸出在导磁轭20外而占用整机空间，确保了整个发声装置的微型化。此外，由于连接段52为金属结构，因此可以填补导磁轭20处的让位凹槽21，确保导磁轭20的导磁效果。一实施例中，所述振动系统还包括支片60，所述支片60位于所述音圈42靠近所述导磁轭20的一端，并且所述支片60与所述音圈42电连接。所述导磁轭20上且对应所述支片60开设有让位孔22，所述连接段52盖合所述让位孔22。让位孔22的设置，为支片60的振动提供了让位空间。在设置有让位凹槽21的实施例中，让位孔22是开设在让位凹槽21的槽底的。对于所述发声装置呈方形的实施例，所述发声装置的四个角部各设有一个所述支片60，所述导磁轭20的四个角部分别对应设置一个所述让位孔22。如此，连接段52可以是一个整体的板体，将四个让位孔22共同盖合，或者，连接段52呈环状、十字交叉结构等。一实施例中，所述发声装置呈方形，所述发声装置的两个短边各设有一个所述泄漏口111，每一个所述泄漏口111均对应设有一个所述金属网50。两个泄漏口111的形成，可以加强整体的泄压效果。该实施例中，连接段52包括两个盖板，以及连接两个盖板的连接板，两个盖板对应两个让位孔22设置，如此可以减小连接段52的面积，减少让位凹槽21的覆盖面积，从而确保导磁轭20的强度。为确保金属网50与泄漏口111的对位准确，一实施例中，所述外壳10上且在所述泄漏口111的孔壁开设有插接缺口112，所述金属网50插入所述插接缺口112内。具体而言，外壳10面向导磁轭20的表面具有与该表面邻接的表面上均设有插接缺口112。在进行组装时，将金属网50从导磁轭20所在的一侧插向外壳10所在的一侧，金属网50的遮盖段51顺着导磁轭20的边缘朝外壳10移动，并插入泄漏口111两相对侧孔缘处的插接缺口112中，顺着插接缺口112朝外壳10移动，最终插入到外壳10面向导磁轭20表面上的插接缺口112中。如此可以保证金属网50与外壳10的接触面积，更好的对金属网50进行限位。请再次结合参考图2，一实施例中，所述导磁轭20和所述外壳10中至少一者的边缘向靠近彼此的方向延伸出多个挡壁113，所述挡壁113与另一者抵接，其中相邻的两个所述挡壁113之间的空间构成所述泄漏口111。例如，外壳10设置有多个挡壁113，挡壁113朝导磁轭20所在的一侧延伸，并与导磁轭20抵接，一些挡壁113之间的间隔可以通过边磁铁33进行遮挡，另一些挡壁113之间的间隔则可构成泄漏口111。方形发声装置中，长边的边磁铁33遮挡相邻两个挡壁113之间的间隔，短边的两个挡壁113之间的间隔构成泄漏口111。挡壁113的设置，可以确保导磁轭20和外壳10之间间隔设置来形成泄漏口111，无需在导磁轭20上开孔。另外，挡壁113通过对边磁铁33的边缘抵接，可以对边磁铁33起到限位效果。此外，泄漏口111也可通过外壳10、导磁轭20和边磁铁33共同围合形成。一实施例中，所述导磁轭20和所述外壳10之间形成有多组定位结构114，每一组所述定位结构114均包括设置在所述外壳10上的两个所述挡壁113，以及设置在所述导磁轭20上的一个所述挡壁113′，其中，所述导磁轭20上的所述挡壁113′卡入所述外壳10上两个挡壁113之间；相邻两组所述定位结构114之间的间隔构成所述泄漏口111。同一组定位结构114中，三个挡壁113相当于形成相互咬合的结构，故而可以互相牵制，避免相对移动。同时，导磁轭20上的挡壁113′与外壳10上的两个挡壁113连接形成完整的挡壁113，避免了间隙的产生。本实施例中，外壳10上的挡壁113形成泄漏口111的孔缘，该挡壁113上开设有插接缺口112，插接缺口112沿着外壳10与导磁轭20的排布方向延伸。上述中的外壳10可以为金属结构或是塑料结构，或者，外壳10为金属结构与塑料结构的结合体。以下通过两个实施例，对外壳10的结构进行具体介绍，但不限于此。请结合参考图1至图14，一实施例中，所述外壳10包括壳体部12和安装部15，所述壳体部12为金属件，所述壳体部12沿所述导磁轭20的外边缘延伸而呈环状，所述壳体部12朝向所述导磁轭20的表面开设有让位缺口144，所述让位缺口144朝外贯穿所述壳体部12的外边缘；所述安装部15设置在所述让位缺口144，所述安装部15为塑料件，并与所述壳体部12一体注塑成型。传统的外壳10一般为塑料件，由于塑料件的热传导系数低，故其散热性能差，容易影响发声装置的出音效果。针对此，本实用新型实施例中的外壳10的壳体部12设计为金属外壳10，由于金属的热传导系数较高，故使得外壳10能够更好的散热，能够提高发声装置的散热效果。请结合参考图6至图11，一实施例中，壳体部12由多个部件组合形成，例如，壳体部12包括层叠设置的金属环13和环状华司14，所述金属环13沿所述边缘部412延伸，并与所述边缘部412连接，所述环状华司14设置在所述边磁铁33上。其中，金属环13和环状华司14是分体成型的，两者最后进行组装，例如，所述金属环13和所述环状华司14粘接或者焊接在一起。当然，所述金属环13和所述环状华司14也可一体成型。另外，金属环13和环状华司14层叠设置，指的是两者均呈环状，其环形的主体部分相互贴合。环状华司14间隔环设在中心导磁板32的外周，两者之间形成的间隙以及边磁铁33和中心磁铁31之间形成的间隙共同构成上述的磁间隙。本实施例中，环状华司14不仅起到导磁的效果，还能够作为外壳10的一部分，对其内的振动系统和磁路系统起到防护作用。金属环13和环状华司14的材质为金属，例如，铜、铁、镍等材料。金属材料具有热传导速度快，散热效果好的特点。这使得发声装置在相同功率下，音圈42的温度和发声装置的表面温度更低，耐温性更优。本实施例中，环状华司14并不是完全覆盖金属环13的，例如，所述环状华司14外边缘的部分位置开设有让位缺口144，所述金属环13具有自所述让位缺口144显露的安装区域131。本实施例中的让位缺口144指的是沿着振动系统的振动方向贯穿环状华司14的两相对表面，振动系统的振动方向为振膜41的振动方向，即导磁轭20与振膜41的排布方向。如此，在开设有让位缺口144的位置，能够使得金属环13面向导磁轭20的表面中的一部分显露在外。安装部15设置在所述安装区域131，所述安装部15为塑料件，并与所述金属环13和环状华司14一体注塑成型。在注塑前先将金属环13和环状华司14定位到注塑模具的相应位置，然后，将注塑料注塑到模具中，注塑料填充安装区域131处的让位缺口144，待注塑料固化后，形成固定连接，从而形成安装部15。本实施例中，安装部15填充在让位缺口144的位置，能够将让位缺口144填满，从而可以确保外壳10的完整性，避免缺口的出现。让位缺口144的开设，则为安装部15的设置提供了容纳空间，避免了外壳10在设置有安装部15的位置厚度过厚。另外，安装部15能够同时与金属环13上的安装区域131以及环状华司14上让位缺口144的边缘接触，从而可以实现将金属环13和环状华司14同时连接，避免两者之间相互移动。此外，通过在外壳10上设置塑料结构的安装部15，采用注塑的形式，可以用于成形一些较为复杂的结构，例如，可以成型一些定位结构114，从而方便外壳10的成型。此外，焊盘70能够设置在安装部15上，安装部15为焊盘70的设置提供了位置。与音圈42连接的引线引出后焊接在安装部15上的焊盘70。焊盘70与安装部15之间采用粘接的方式连接，在一些实施例中，安装部15上未设置焊盘70。对于方形的发声装置而言，所述金属环13和所述环状华司14均呈方形，一实施例中，所述让位缺口144位于所述环状华司14的角部，所述安装区域131位于所述金属环13的角部。可选地，在环状华司14的四个角部各设有一个让位缺口144，金属环13的四个角部均具有一个安装区域131，如此在发声装置的四个角部各设有一个安装部15。本实施例中，让位缺口144相当于是将环状华司14的角部切除所形成。请结合参考图10、图12和图13，一实施例中，所述环状华司14上且在所述让位缺口144的边缘设置有定位凸台141，所述定位凸台141朝所述边磁铁33的方向延伸，所述定位凸台141至少部分包裹在所述安装部15内；所述定位凸台141与所述安装部15结合形成的结构与所述边磁铁33的边缘抵接。定位凸台141的设置，可以为安装部15提供更多的附着面积，从而可以确保安装部15与环状华司14的接触面积，保证安装部15连接的稳定性。安装部15在注塑时，可以将整个定位凸台141包裹在内，或者是将定位凸台141部分包裹在内，两者最终形成的柱形结构(即上述中的挡壁113)抵接在边磁铁33的侧边缘，对边磁铁33起到定位的效果。例如，所述发声装置呈方形结构，所述定位凸台141位于所述发声装置的长边，该定位凸台141和安装部15共同形成的柱形结构抵接位于所述发声装置长边的所述边磁铁33。可选地，同一长边处设有两个所述定位凸台141，两所述定位凸台141和安装部15形成的两个柱形结构分别抵接同一个所述边磁铁33的两相对端，该处的两相对端指的是沿长边分布的两相对端。为方便边磁铁33的限位，边磁铁33上可以开设缺口，定位凸台141和安装部15形成的柱形结构抵接在缺口内，如此可以同时限制边磁铁33长度方向和宽度方向的位移。为进一步提高安装部15的连接稳定性，一实施例中，所述环状华司14上且在所述让位缺口144的边缘还设置有抓胶凸台142，所述抓胶凸台142朝所述边磁铁33的方向延伸，所述抓胶凸台142包裹在所述安装部15内。可选地，所述环状华司14上设置有多个所述抓胶凸台142，多个所述抓胶凸台142和定位凸台141沿所述环状华司14的周向间隔分布，从而使得在环状华司14周向的多个位置处，增加安装部15与环状华司14的连接面积。请结合参考图11，一实施例中，所述环状华司14上还开设有抓胶凹槽143，所述抓胶凹槽143邻近所述让位缺口144的边缘设置，所述安装部15填充所述抓胶凹槽143，从而使得安装部15与抓胶凹槽143之间形成相互嵌合的结构，大大提高安装部15与环状华司14的连接效果。所述抓胶凹槽143位于所述环状华司14面向所述金属环13的表面，并贯穿所述让位缺口144的边缘。如此，在注塑形成安装部15时，注塑料可以流动到环状华司14和金属环13之间的抓胶凹槽143内，从而同时增大安装部15与环状华司14和金属环13的接触面积，有效提高三者之间的固定效果。当然，其它实施例中，抓胶凹槽143可以设置在让位缺口144的孔壁上，或者是设置在环状华司14面向导磁轭20的表面。请结合参考图8、图9和图14，为进一步提高安装部15与金属环13的连接面积，一实施例中，所述安装区域131还开设有抓胶孔132，所述安装部15填充所述抓胶孔132。可选地，所述抓胶孔132靠近所述环状华司14一端的直径小于另一端的直径。例如，所述抓胶孔132为台阶孔，如此安装部15成型后，位于抓胶孔132内的安装部15由于与台阶孔的台阶面抵接，从而可以限制安装部15朝靠近环状华司14的方向脱离。此外，抓胶孔132还可以为渐扩孔。请结合参考图8和图10，所述金属环13包括第一环状本体133和多个第一边华司134，多个所述第一边华司134沿所述第一环状本体133的周向间隔分布在其内边缘。所述环状华司14包括第二环状本体145和多个第二边华司146，多个所述第二边华司146沿所述第二环状本体145的周向间隔分布在其内边缘。多个所述第一边华司134与多个所述第二边华司146一一对应设置，并且，对应的两个所述第一边华司134和所述第二边华司146层叠设置，第一环状本体133和第二环状本体145层叠设置。对于方形的发声装置，第一环状本体133和第二环状本体145为方形的环状结构，第一环状本体133的每一条边上均设置一个第一边华司134，第二环状本体145的每一条边上均设置一个第二边华司146。当然，第一边华司134和第二边华司146的数量以及结构可以对应边磁铁33设置，并与边磁铁33一致。本实施例中，发声装置的边导磁板是通过第一边华司134和第二边华司146叠设所共同形成的，可以确保边导磁板具有较大的厚度，使得边导磁板的导磁作用更显著，磁间隙的磁感强度更强。请结合参考图15至图19，一实施例中，所述外壳10包括塑料壳体16和金属华司17，所述塑料壳体16和所述金属华司17均呈环状，所述塑料壳体16与所述金属华司17一体注塑成型。金属华司17包括第三环状本体和第三边华司，第三边华司设置在第三环状本体的内周面，并且，同样地，可以在第三环状本体的内周面设置多个第三边华司。塑料壳体16大体上包裹第三环状本体，而第三边华司则显露在塑料壳体16外。塑料壳体16上成型有挡壁113，通过将挡壁113设置在塑料壳体16上，利于挡壁113的一体注塑成型。以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
技术领域：
均包括在本实用新型的专利保护范围内。当前第1页12