载波强度检测电路的制作方法

本技术涉及信号检测，特别是涉及一种载波强度检测电路。

背景技术：

1、对于低频信号，传统载波强度检测通常采用检波电路对输入信号进行包络转换，进一步采用比较器进行比较输出，然而检波电路基于非线性转换的方式对输入信号进行处理，功耗较高，且会造成输入信号的损失，从而降低了信号的检测精度。

技术实现思路

1、本技术提供一种功耗低且精度高的载波强度检测电路。

2、一种载波强度检测电路，包括：

3、第一差分对，包括晶体管pn1、晶体管pn2和晶体管pn3，所述晶体管pn1的栅极用于接收输入差分对的第一输入电压，所述晶体管pn2的栅极用于接收所述输入差分对的第二输入电压，所述晶体管pn1的源极和所述晶体管pn2的源极共连接，并与所述晶体管pn3的漏极连接，所述晶体管pn3的源极与第一参考端连接；

4、第二差分对，包括晶体管pn4、晶体管pn5和晶体管pn6，所述晶体管pn4的栅极用于接收参考电压对的第一参考电压，所述晶体管pn5的栅极用于接收所述参考电压对的第二参考电压，所述晶体管pn4的源极与所述晶体管pn5的源极共连接，并与所述晶体管pn6的漏极连接，所述晶体管pn6的源极与所述第一参考端连接；

5、负载管pm1和负载管pm2，所述负载管pm1和所述负载管pm2共源极连接，并与第二参考端连接，所述负载管pm1的漏极与栅极共连接，并与所述晶体管pn1和所述晶体管pn4共漏极连接，所述负载管pm1上的第一误差电流为所述第一差分对和所述第二差分对的正相输入误差电流；所述负载管pm2的漏极与栅极共连接，并与所述晶体管pn2和所述晶体管pn5共漏极连接，所述负载管pm2上的第二误差电流为所述第一差分对和所述第二差分对的负相输入误差电流；所述第一参考端和所述第二参考端的其中一个为电源端，另一个为地端；

6、晶体管pm3，所述晶体管pm3的源极与所述第二参考端连接，所述晶体管pm3的栅极与所述负载管pm2的栅极共连接，所述晶体管pm3用于镜像所述第二误差电流；

7、晶体管pm4、晶体管pn7和晶体管pn8，所述晶体管pm4的栅极与所述负载管pm2的栅极连接，所述晶体管pm4的源极与所述第二参考端连接，所述晶体管pm4与所述晶体管pn7共漏极连接，所述晶体管pn7的源极与所述第一参考端连接，所述晶体管pn7与所述晶体管pn8共栅极连接，所述晶体管pn8的源极与所述第一参考端连接，所述晶体管pm4、晶体管pn7和晶体管pn8组成镜像电路，用于镜像所述第一误差电流；所述晶体管pn8与所述晶体管pm3共漏极连接，并通过共连接端输出所述第一误差电流和所述第二误差电流的比较结果，以确定所述输入差分对的信号强度是否超过所述参考电压对的信号强度。

8、在其中一些实施例中，所述检测电路还包括：

9、晶体管pn9，所述晶体管pn9的漏极与栅极共连接，用于接收电流ie，所述晶体管pn9的源极与所述第一参考端连接；

10、参考电压对生成单元，用于生成所述第一参考电压和所述第二参考电压，所述参考电压对生成单元包括晶体管pn10、晶体管pm5、晶体管pm6、晶体管pm7、电阻r1、电阻r2、晶体管m1和晶体管m2；

11、所述晶体管pn10的栅极与所述晶体管pn9的栅极连接，所述晶体管pn10与所述晶体管pm5共漏极连接，所述pn10的源极与所述第一参考端连接；所述晶体管pm5的源极与所述第二参考端连接，所述晶体管pm5的栅极与漏极共连接，并与所述晶体管pm6的栅极和所述晶体管pm7的栅极连接；所述晶体管pm6的源极与所述第二参考端连接，所述晶体管pm6的漏极与所述电阻r1的第一端连接；所述晶体管m1的栅极和漏极与所述电阻r1的第二端连接，所述晶体管m1的源极与所述第一参考端连接；所述晶体管pm7的源极并与所述第二参考端连接，所述晶体管pm7的漏极与所述电阻r2的第一端连接；所述晶体管m2的栅极和漏极与所述电阻r2的第二端连接，所述晶体管m2的源极与所述第一参考端连接。

12、在其中一些实施例中，所述检测电路还包括：

13、晶体管m3、晶体管m4、晶体管m5和晶体管m6；

14、所述晶体管m3的栅极用于接收所述第一输入电压，所述晶体管m3的源极并与所述第二参考端连接，所述晶体管m3与所述晶体管m5共漏极连接，并与所述晶体管pn2的栅极连接；所述晶体管m5的源极与所述第一参考端连接；所述晶体管m4的栅极用于接收所述第二输入电压，所述晶体管m4的源极并与所述第二参考端连接，所述晶体管m4与所述晶体管m6共漏极连接，并与所述晶体管pn1的栅极连接；所述晶体管m6的源极与所述第一参考端连接。

15、在其中一些实施例中，所述晶体管m5的栅极与所述晶体管pn9的栅极连接，所述晶体管m6的栅极与所述晶体管pn9的栅极连接。

16、在其中一些实施例中，所述检测电路还包括：

17、多级射极跟随器，第一级所述射极跟随器的输入端用于接收所述第一输入电压和所述第二输入电压，末级所述射极跟随器的输出端分别与所述晶体管m3的栅极和所述晶体管m4的栅极连接。

18、在其中一些实施例中，所述电阻r1和所述电阻r2为可调电阻。

19、在其中一些实施例中，所述晶体管pn3的栅极和所述晶体管pn6的栅极分别与所述晶体管pn9的栅极连接，以构成比例电流镜，用于产生所述第一差分对和所述第二差分对的偏置电流。

20、在其中一些实施例中，所述检测电路还包括：

21、施密特比较器，所述施密特比较器的输入端分别与所述晶体管pm3的漏极和所述晶体管pn8的漏极连接。

22、在其中一些实施例中，所述检测电路还包括：

23、三级反相器，所述三级反相器的输入端与所述施密特比较器的输出端连接。

24、在其中一些实施例中，所述检测电路还包括迟滞单元，所述迟滞单元用于控制所述第二差分对的正相和负相与所述负载管pm1和所述负载管pm2的交叉耦合，以实现对所述比较结果的迟滞控制，所述迟滞单元包括晶体管pm11、晶体管pm12、晶体管pm13和晶体管pm14；

25、所述晶体管pm11和所述晶体管pm13共栅极连接，并与所述三级反相器的第一级反相器的输出端连接；所述晶体管pm12和所述晶体管pm14共栅极连接，并与所述三级反相器的第二级反相器的输出端连接；所述晶体管pm11的漏极和所述晶体管pm14的漏极分别与所述负载管pm2的漏极连接；所述晶体管pm12的漏极和所述晶体管pm13的漏极分别与所述负载管pm1的漏极连接；所述晶体管pm11的源极和所述晶体管pm12的源极共连接，并与所述晶体管pn4的漏极连接；所述晶体管pm13的源极和所述晶体管pm14的源极共连接，并与所述晶体管pn5的漏极连接。

26、上述载波强度检测电路通过第一差分对接收输入差分对的两个输入电压，以及第二差分对接收参考电压对的两个参考电压，从而在第一差分对和第二差分对的正相得到流过负载管pm1的第一误差电流，在第一差分对和第二差分对的负相得到流过负载管pm2的第二误差电流，然后经晶体管pm3镜像第二误差电流，晶体管pm4、晶体管pn7和晶体管pn8组成的镜像电路镜像第一误差电流，晶体管pn8与晶体管pm3共漏极连接，根据共连接端输出的第一误差电流和所述第二误差电流的比较结果，则可确定输入差分对的信号强度是否超过参考电压对的信号强度，如此利用差分比较的方式无需通过检波电路进行非线性转换即可检测得知交流载波信号的幅度是否超过阈值，避免了对待测信号进行非线性转换处理，功耗低且检测精度高。