微机电结构、麦克风和终端的制作方法

1.本公开涉及半导体器件制造领域，更具体地，涉及微机电结构、麦克风和终端。


背景技术：

2.基于微机电系统(micro electro mechanical systems，mems)制造的器件被称为mems器件，mems器件主要包括导电的振膜与背板，并且振膜与背板之间具有间隙。气压的改变会导致振膜变形，振膜与背板之间的电容值随之发生改变，从而转换为电信号输出。
3.mems麦克风是通过与集成电路制造兼容的表面加工或体硅加工工艺制造的麦克风，由于可以利用持续微缩的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)工艺技术，mems麦克风可以做得很小，使得它可以广泛地应用到手机、笔记本电脑、平板电脑和摄像机等便携设备中。现如今对于mems麦克风的性能要求越来越高，其中，信噪比(signal-noise ratio，snr)与灵敏度与电容的容值相关，都是mems麦克风的性能的重要指标。
4.因此，本公开希望提供一种改进的麦克风及其微机电结构，以保证背板与振膜之间的电容能够达到预设值，从而达到提升产品性能的目的。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本公开提供了一种改进的微机电结构、麦克风和终端，通过在背板上设置尺寸较大的通孔，并在振膜上设置对应通孔的凸起部，从而提升了该微机电结构信噪比。
6.根据本公开实施例的第一方面，提供了一种微机电结构，包括：
7.第一振膜；
8.第一背板，与所述第一振膜的表面相对；以及
9.多个通孔，贯穿所述第一背板，
10.所述第一振膜包括多个第一凸起部，与所述多个通孔中的至少部分对应，
11.所述第一振膜包括活动区，所述活动区包括中心区与围绕所述中心区的边缘区；
12.所述多个通孔包括多个第一通孔与多个第二通孔，所述多个第一通孔对应所述中心区，所述多个第二通孔对应所述边缘区，所述多个第二通孔的尺寸大于所述多个第一通孔的尺寸。
13.可选地，所述中心区的中心到所述中心区的边缘的距离为r1，所述活动区的中心到所述活动区的边缘的距离为r2，r1与r2的比值小于等于3:4，
14.所述中心区与所述活动区的中心重合。
15.可选地，沿所述第一振膜的厚度方向，所述第一振膜的至少一截面呈波纹状，所述多个第一凸起部的截面为该波纹的波峰或波谷。
16.可选地，至少一个所述第一凸起部的顶面与侧面的连接处呈弧形。
17.可选地，包括多个防粘部，位于所述第一背板朝向所述第一振膜的一侧，与所述多个第一凸起部错开。
18.可选地，包括位于所述第一振膜与所述第一背板之间的第二支撑部，
19.所述第二支撑部与所述第一背板接触，并与所述第一振膜的非凸起部分接触，
20.沿所述第一振膜的厚度方向，所述第一振膜的非凸起部分到所述第一凸起部表面的垂直距离小于所述第二支撑部的厚度。
21.可选地，所述第一振膜的非凸起部分到所述第一凸起部表面的垂直距离为h1，所述第二支撑部的厚度为h2，h1≤0.5h2。
22.可选地，所述多个通孔中的至少部分的尺寸大于对应的所述第一凸起部的尺寸。
23.可选地，所述多个第一凸起部仅位于所述中心区。
24.可选地，所述第一背板包括第一绝缘层与第一导电层，
25.所述第一振膜与所述第一导电层分别位于所述第一绝缘层的相对两侧，
26.所述第一导电层的尺寸小于第一绝缘层，且所述第一导电层在所述第一振膜上的正投影落在所述中心区内。
27.可选地，沿所述第一背板的中心向边缘的方向，所述多个第二通孔的尺寸渐变增大。
28.可选地，包括第二背板，与所述第一背板分别位于所述第一振膜的相对两侧。
29.可选地，包括多个第三通孔，贯穿所述第二背板，
30.所述多个第一凸起部与所述多个第三通孔相互错开。
31.可选地，包括第二振膜，与所述第一振膜分别位于所述第一背板的相对两侧。
32.可选地，所述第二振膜包括多个第二凸起部，与所述多个通孔中的至少部分对应。
33.可选地，沿所述第二振膜的厚度方向，所述第二振膜的至少一截面呈波纹状，所述多个第二凸起部的截面为该波纹的波峰或波谷。
34.可选地，包括位于所述第二振膜与所述第一背板之间的第三支撑部，
35.所述第三支撑部与所述第一背板接触，并与所述第二振膜的非凸起部分接触，
36.沿所述第二振膜的厚度方向，所述第二振膜的非凸起部分到所述第二凸起部表面的距离小于所述第三支撑部的厚度。
37.可选地，所述多个通孔中的至少部分的尺寸大于对应的所述第二凸起部的尺寸。
38.可选地，至少一个所述第二凸起部的顶面与侧面的连接处呈弧形。
39.根据本公开实施例的第二方面，提供了一种麦克风，包括如上所述的微机电结构。
40.根据本公开实施例的第三方面，提供了一种终端，包括如上所述的麦克风。
41.根据本公开实施例提供的微机电结构，通过在第一背板上设置尺寸较大的第二通孔，减小了气流流过第一背板通孔的阻尼，进而减小了微机电结构的噪声；虽然由于增大通孔尺寸会相应减小第一背板与第一振膜活动区的正对面积，导致电容减小，从而减小微机电结构的灵敏度，但尺寸较小的第一通孔对应于第一振膜活动区的中心区，尺寸较大的第二通孔对应于第一振膜活动区的边缘区，而第一振膜活动区的边缘区的形变能力相比于中心区小，因此在对应第一振膜活动区的边缘区的第一背板上设置大尺寸的第二通孔对于微机电结构的整体灵敏度影响较小；同时，因第一振膜凸起部而增加的附加电容可以弥补由于减小的正对面积所减小的电容，在第一振膜与第一背板面积有限的情况下，相对于未设置凸起部的第一振膜，设置了凸起部的第一振膜表面到达第一背板通孔边缘的垂直距离被缩短，因此由于电容器边缘效应产生的附加电容增大，从而保证了第一背板与第一振膜之
间的总电容值能够达到预设值，进而使得微机电结构的灵敏度达到预设要求，因此第二通孔与第一振膜凸起部的设置共同提升了微机电结构信噪比。
42.由于第一振膜凸起部的顶面与侧面的连接处呈弧形，进一步释放了第一振膜振膜的应力从而提升了微机电结构的灵敏度。
43.通过将多个防粘部设置在第一背板朝向第一振膜的一侧并与凸起部错开，从而既能够使得防粘部不触碰第一振膜的凸起部，又有效防止第一背板与第一振膜的粘连，提升了微机电结构的机械可靠性。
44.在竖直方向上，在第一振膜与第一背板相对静止的状态下，以第一振膜非凸起部分的表面为起点，到达第一振膜凸起部的距离小于到达第一背板下表面的距离，因此，当第一振膜的振动幅度较小时，第一振膜的凸起部不会伸入第一背板的通孔中，降低了气流流过背板的阻尼以减小噪声。进一步地，由于第一振膜凸起部的尺寸小于对应的第一背板通孔的尺寸，当第一振膜的振动幅度较大时，即便第一振膜凸起部伸入到对应的通孔中，第一振膜凸起部也并不容易触碰到通孔的侧壁，因此降低了第一振膜损坏的风险，提高了微机电结构的机械可靠性。
45.进一步地，将多个第一凸起部仅对应在中心区，且令第一导电层在第一振膜上的正投影落在中心区内，由于在中心区处，第一振膜的形变能力强，所以在第一振膜中心区与第一导电层构成的电容的变化范围较大；而在边缘区处，第一振膜的形变能较弱，对于第一振膜的边缘区与第一导电层构成的电容而言，其变化范围较小，对于整体声音气流响应贡献不大。因此，将第一导电层和第一凸起部的位置与第一振膜的中心区对应，而边缘区不再形成第一导电层。在第一背板中，尺寸较小的第一通孔对应于第一导电层，而尺寸较大的第二通孔不必再贯穿第一导电层，仅位于边缘的第一绝缘层中，进一步减小了声阻，并且增加边缘电容的效果明显，信噪比也会进一步提高。
46.因此，本公开提供的微机电结构、麦克风可以大大提高产品的性能。
附图说明
47.为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单介绍，显而易见地，下面的描述中的附图仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
48.图1为本公开第一实施例的微机电结构的立体结构示意图。
49.图2为图1中隐藏第一背板后的立体结构示意图。
50.图3为图1中带有剖面的立体结构示意图。
51.图4为沿图1中aa线所截的截面示意图。
52.图5为图4中虚框内的放大结构示意图。
53.图6为图1中第一背板的俯视结构示意图。
54.图7至图9为电容器边缘效应的原理图。
55.图10为本公开第二实施例的微机电结构的示意图。
56.图11为本公开第三实施例的微机电结构的示意图。
57.图12为本公开第四实施例的微机电结构的示意图。
58.图13为本公开第五实施例的微机电结构的示意图。
59.图14为本公开实施例的麦克风的结构示意图。
具体实施方式
60.以下将参照附图更详细地描述本公开。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的半导体结构。
61.应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
62.在下文中描述了本公开的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本公开。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本公开。
63.本公开可以各种形式呈现，以下将描述其中一些示例。
64.如图1至图6所示，本公开第一实施例的微机电结构包括：衬底101、第一支撑部111、第二支撑部112、第一振膜120、第一背板130以及多个贯穿第一背板130的通孔。衬底101具有腔体10。第一支撑部111位于衬底101上的边缘处。第一振膜120位于第一支撑部111上并覆盖腔体10。第二支撑部112位于第一振膜120上，位置与第一支撑部111对应。第一背板130位于第二支撑部112上，与第一振膜120之间具有间隙。
65.在本实施例中，第一支撑部111为该层牺牲层释放之后在衬底101上留下来的部分，第一支撑部111位于衬底110的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第一支撑部111上方的第一振膜120支撑在衬底101上。第二支撑部112为该层牺牲层释放之后在第一振膜120上留下来的部分，第二支撑部112位于第一振膜120的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第二支撑部112上方的第一背板130支撑固定。然而，本公开实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对衬底101、第一振膜120、第一背板130之间的固定方式进行其他设置。
66.在一些具体的实施例中，衬底101为硅衬底，腔体10位于衬底101的中部，且连通衬底101相对的两个表面。当然，腔体10的位置、形状等本领域技术人员可以根据需要设置，此处不做限定。第一支撑部111、第二支撑部112的材料为绝缘材料，包括但不限于氧化硅。
67.进一步地，第一背板130包括第一绝缘层131与第一导电层132，沿衬底101的厚度方向堆叠在第二支撑部112上。其中，第一绝缘层131的材料包括但不限于氮化硅，第一导电层132的材料包括但不限于多晶硅。第一导电层132的尺寸小于第一绝缘层131，且第一导电层132的位置与振膜120的振动区域对应。然而本公开实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对第一背板130的材料、结构进行其他设置，例如将第一背板130设置为两层绝缘层夹一层导电层的结构，或者仅利用一层导电层构成第一背板130等等。
68.第一振膜120包括活动区，第一振膜120的活动区包括中心区s1与围绕中心区s1的边缘区s2。在一些具体的实施例中，中心区s1的中心到中心区s1的边缘的距离为r1，活动区的中心到活动区的边缘的距离为r2，r1与r2的比值小于等于3:4，其中，中心区s1与活动区的中心重合。在一些优选实施例中，r1与r2的比值等于3:4。
69.在本实施例中，多个通孔包括多个第一通孔11和多个第二通孔12，其中，多个第一通孔11位于背板130的中间对应中心区s1，多个第二通孔12围绕多个第一通孔11对应边缘
区s2，并且每个第二通孔12的尺寸均大于第一通孔11。多个第一通孔11和多个第二通孔12均穿过第一导电层132和第一绝缘层131，第一通孔11与第二通孔12均为圆孔，第一通孔11与第二通孔12的尺寸为孔径，当然，本领域技术人员可以根据需要对通孔的形状进行其他设置。
70.在一些具体的实施例中，沿第一背板130的中心向边缘的方向，多个第二通孔12的尺寸渐变增大，如图6所示。由于沿第一振膜120的中心向边缘的方向，第一振膜120的形变能力逐渐降低，遵循这一规律，第一背板130上越靠近中心位置的通孔尺寸越小，越靠近边缘位置的通孔尺寸越大，从而在尽可能不影响微机电结构的灵敏度的情况下利用尺寸渐变增大的第二通孔12降低阻尼。然而本实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对第二通孔12的尺寸变化进行其他设置。
71.进一步的，第一振膜120的材料包括但不限于多晶硅。第一振膜120包括非凸起部分120b与多个第一凸起部120a，多个第一凸起部120a与多个第一通孔11和/或多个第二通孔12中的至少部分对应。
72.在本实施例中，第二支撑部112对应于第一振膜120活动区外围的固定区，并与第一振膜120的非凸起部分120b接触。沿第一振膜120的厚度方向，第一振膜120的非凸起部分120b到第一凸起部120a表面的垂直距离为h1，第二支撑部112的厚度为h2，且h1《h2。还可以理解为：在竖直方向上，在第一振膜120与第一背板130相对静止的状态下，以第一振膜120的非凸起部分120b的表面为起点，到达第一凸起部120a的垂直距离小于到达第一背板130下表面的距离。当第一振膜120的振动幅度较小时，第一凸起部120a不会伸入第一背板130的通孔中，降低了气流流过第一背板130的阻尼以减小噪声；当第一振膜120的振动幅度较大时，即便第一凸起部120a伸入到对应的通孔中，第一凸起部120a也并不容易触碰到通孔的侧壁，因此降低了第一振膜120损坏的风险，提高了微机电结构的机械可靠性。在一些具体的实施例中，h1≤0.5h2。
73.在本实施例中，每个第一凸起部120a与背板130上的通孔(包括第一通孔11和第二通孔12)一一对应，第一凸起部120a与对应通孔的形状相似，例如通孔为圆孔，第一凸起部120a为圆形凸起。在一些其它实施例中，第一凸起部120a也可以仅与第一通孔11对应，或者仅与第二通孔12对应。如图5所示，第一背板130的导电层132不但在底面与第一振膜120正对形成电容c1，还会由于电容器的边缘效应形成与电容c1并联的附加电容c2，为了进一步说明电容器的边缘效应，下面将结合图7至图9进行详细阐述。
74.如图7与图8所示，第一背板130的第一导电层132与第一振膜120可视作平行板电容器，在平行板电容器的中间部分，电场线均匀分布，但是在边缘处电场线的分布并不均匀，造成了电容器的边缘效应，这相当于在电容c1的旁边并联了一个c2。如图9所示，当在第一振膜120中设置凸起部时，相对于未设置凸起部的第一振膜120，设置了凸起部的凸起面到达第一背板130通孔边缘的垂直距离被缩短，因此由于电容器边缘效应产生的附加电容c2增大。从而在设置了尺寸较大的第二通孔12的情况下，保证了第一背板130与第一振膜120之间的电容值能够达到预设值。沿第一振膜120的厚度方向，第一振膜120的截面呈波纹状，多个第一凸起部120a的截面为该波纹的波峰。多个第一通孔11和/或多个第二通孔12中的至少部分的尺寸d2大于对应的第一凸起部120a的尺寸d1。在一些优选的实施例中，第一凸起部120a的顶面与侧面的连接处呈弧形，进一步释放了第一振膜120的应力从而提升了
微机电结构的灵敏度。
75.进一步地，本实施例的微机电结构还包括多个防粘部140，位于第一背板130朝向第一振膜120的一侧，从而既能够使得防粘部140不触碰第一凸起部120a，又有效防止第一背板130与第一振膜120的粘连，提升了微机电结构的机械可靠性。
76.本实施例的微机电结构还包括多个位于第一背板130上的焊盘(未示出)，用于分别和第一背板130以及第一振膜120形成电连接。
77.图10为本公开第二实施例的微机电结构的示意图。
78.如图10所示，本公开第二实施例的微机电结构与第一实施例类似，可以参照图1至图9的描述，相同之处不再赘述。与第一实施例的不同之处在于，本实施例中的多个第一凸起部120a仅位于中心区s1，且第一导电层132在第一振膜120上的正投影落在中心区s1内。
79.由于沿第一振膜120的边缘向中心的方向，第一振膜120的形变能力逐渐升高，在中心区s1处，第一振膜120的形变能力强，所以在第一振膜120中心区s1与第一导电层132构成的电容的变化范围较大，可将第一振膜120中心区s1与第一导电层132构成的电容视作有效电容；而在边缘区s2处，第一振膜120的形变能较弱，对于第一振膜120的边缘区s2与第一导电层132构成的电容而言，其变化范围较小，对于整体声音气流响应贡献不大。因此，在本实施例中，将第一导电层132和第一凸起部120a的位置与第一振膜120的中心区s1对应，而边缘区s2不再形成第一导电层132和第一凸起部120a。在第一背板130中，尺寸较小的第一通孔11对应于第一导电层132，而尺寸较大的第二通孔12不必再贯穿第一导电层132，第二通孔12仅位于边缘的第一绝缘层131中。相比于第一实施例而言，本实施例的微机电结构进一步减小了声阻，并且增加边缘电容的效果明显，信噪比也会进一步提高。
80.图11为本公开第三实施例的微机电结构的示意图。
81.如图11所示，本公开第三实施例的微机电结构与第一实施例类似，可以参照图1至图9的描述，相同之处不再赘述。与第一实施例的不同之处在于，本实施例中的第一背板130与第一振膜120的位置对调。
82.图12为本公开第四实施例的微机电结构的示意图。
83.如图12所示，本公开第四实施例的微机电结构与第一实施例类似，可以参照图1至图9的描述，相同之处不再赘述。与第一实施例的不同之处在于，本实施例中的微机的结构还包括第二背板150与第三支撑部113。沿衬底101的厚度方向，第一支撑部111、第二背板150、第二支撑部112、第一振膜120、第三支撑部113以及第一背板130依次堆叠在衬底101上。其中，多个第三通孔13贯穿所述第二背板150，且多个第一凸起部120a与多个第三通孔13相互错开。在本实施例中，第三支撑部113的材料包括但不限于氧化硅，第二背板150的材料与结构与第一背板130类似，包括相连的第二绝缘层152和第二导电层151。当然，本领域技术人员可以根据需要对第二背板150的材料与结构进行其他设置。在本实施例中，第三支撑部113与第二振膜160的非凸起部分接触，沿第二振膜160的厚度方向，第二振膜120的非凸起部分到第二凸起部160a表面的距离小于第三支撑部113的厚度。
84.图13为本公开第五实施例的微机电结构的示意图。
85.如图13所示，本公开第五实施例的微机电结构与第一实施例类似，可以参照图1至图9的描述，相同之处不再赘述。与第一实施例的不同之处在于，本实施例中的微机电结构还包括第二振膜160与第三支撑部113，且第一背板130还包括绝缘层133，与绝缘层131分别
位于导电层132的相对两侧。第三支撑部113为该层牺牲层释放之后在第一背板130上留下来的部分，第三支撑部113位于第一背板130的周边缘上，采用周边缘全固支的方式将位于第三支撑部113上方的第二振膜160支撑固定。第三支撑部113的材料包括但不限于氧化硅。
86.第二振膜160包括多个第二凸起部160a，与多个第一通孔11和/或多个第二通孔12中的至少部分对应。沿第二振膜160的厚度方向，第二振膜160的截面呈波纹状，多个第二凸起部160a的截面为该波纹的波谷。多个第一通孔11和/或多个第二通孔12中的至少部分的尺寸大于对应的第二凸起部160a的尺寸。优选地，第二凸起部160a的顶面与侧面的连接处呈弧形。第二振膜160的材料包括但不限于多晶硅。
87.图14示出了本发明实施例的mems麦克风的结构示意图。
88.如图14所示，该mems麦克风包括：微机电结构100、芯片结构200、基板300、外壳400。其中，基板300与外壳400作为该器件的封装结构。本发明施例的微机电结构100可以在上述所列举的四个实施例中进行选择，芯片结构200例如为asic芯片，基板300例如为引线框架或pcb电路板。
89.在本实施例中，微机电结构100的焊盘与芯片结构200电连接，封装结构的基板300与外壳400用于形成封装结构的容置腔，微机电结构100与芯片结构200位于容置腔内。
90.本公开还提供了一种终端，包括如上所述的麦克风。
91.根据本公开实施例提供的微机电结构，通过在第一背板上设置尺寸较大的第二通孔，减小了气流流过第一背板通孔的阻尼，进而减小了微机电结构的噪声；虽然由于增大通孔尺寸会相应减小第一背板与第一振膜活动区的正对面积，导致电容减小，从而减小微机电结构的灵敏度，但尺寸较小的第一通孔对应于第一振膜活动区的中心区，尺寸较大的第二通孔对应于第一振膜活动区的边缘区，而第一振膜活动区的边缘区的形变能力相比于中心区小，因此在对应第一振膜活动区的边缘区的第一背板上设置大尺寸的第二通孔对于微机电结构的整体灵敏度影响较小；同时，因第一振膜凸起部而增加的附加电容可以弥补由于减小的正对面积所减小的电容，在第一振膜与第一背板面积有限的情况下，相对于未设置凸起部的第一振膜，设置了凸起部的第一振膜表面到达第一背板通孔边缘的垂直距离被缩短，因此由于电容器边缘效应产生的附加电容增大，从而保证了第一背板与第一振膜之间的总电容值能够达到预设值，进而使得微机电结构的灵敏度达到预设要求，因此第二通孔与第一振膜凸起部的设置共同提升了微机电结构信噪比。
92.由于第一振膜凸起部的顶面与侧面的连接处呈弧形，进一步释放了第一振膜振膜的应力从而提升了微机电结构的灵敏度。
93.通过将多个防粘部设置在第一背板朝向振膜的一侧并与凸起部错开，从而既能够使得防粘部不触碰第一振膜的凸起部，又有效防止第一背板与第一振膜的粘连，提升了微机电结构的机械可靠性。
94.在竖直方向上，在第一振膜与第一背板相对静止的状态下，以第一振膜非凸起部分的表面为起点，到达第一振膜凸起部的距离小于到达第一背板下表面的距离，因此，当第一振膜的振动幅度较小时，第一振膜的凸起部不会伸入第一背板的通孔中，降低了气流流过背板的阻尼以减小噪声。进一步地，由于第一振膜凸起部的尺寸小于对应的第一背板通孔的尺寸，当第一振膜的振动幅度较大时，即便第一振膜凸起部伸入到对应的通孔中，第一振膜凸起部也并不容易触碰到通孔的侧壁，因此降低了第一振膜损坏的风险，提高了微机
电结构的机械可靠性。
95.进一步地，将多个第一凸起部仅对应在中心区，且令第一导电层在第一振膜上的正投影落在中心区内，由于在中心区处，第一振膜的形变能力强，所以在第一振膜中心区与第一导电层构成的电容的变化范围较大；而在边缘区处，第一振膜的形变能较弱，对于第一振膜的边缘区与第一导电层构成的电容而言，其变化范围较小，对于整体声音气流响应贡献不大。因此，将第一导电层和第一凸起部的位置与第一振膜的中心区对应，而边缘区不再形成第一导电层。在第一背板中，尺寸较小的第一通孔对应于第一导电层，而尺寸较大的第二通孔不必再贯穿第一导电层，仅位于边缘的第一绝缘层中，进一步减小了声阻，并且增加边缘电容的效果明显，信噪比也会进一步提高。
96.因此，本公开提供的微机电结构、麦克风可以大大提高产品的性能。
97.在以上的描述中，对于各层的构图、蚀刻等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
98.以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。