电子设备的制作方法

1.本实用新型涉及电子产品技术领域，特别涉及电子设备。


背景技术：

2.随着科技的飞速发展，手机、平板电脑、智能手表等电子设备越来越轻薄化，扬声器模组作为手机必不可少的零件。
3.电子设备轻薄化的过程中，扬声器模组空间不可避免的被压缩，而扬声器模组的空间被压缩会让扬声器模组的音质受到很大的影响。因此，在节省空间的同时，如何提高电子设备的放音音质是一个难题。


技术实现要素：

4.本实用新型的主要目的是提出一种新型结构的电子设备，旨在解决现有的具有声音播放功能的轻薄化电子设备放音音质不佳的问题。
5.为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：电子设备，包括主体，所述主体内设有扬声器模组，所述扬声器模组包括扬声器单体，所述主体包括结构件，还包括设于所述结构件上的助推磁组件，所述助推磁组件对应于所述扬声器单体设置，所述助推磁组件用于调整所述扬声器单体的磁场强度。
6.进一步地，所述结构件上设有容纳槽，所述助推磁组件的至少部分区域设于收容于所述容纳槽内。
7.进一步地，所述容纳槽的深度大于或等于所述助推磁组件的厚度。
8.进一步地，所述容纳槽连通所述结构件的相对两侧。
9.进一步地，所述结构件为所述主体的外壳，所述助推磁组件位于所述外壳的内侧或外侧。
10.进一步地，所述结构件为所述主体的中框。
11.进一步地，所述扬声器单体包括盆架和分别设于所述盆架上的振动组件及磁路组件，所述磁路组件包括轭铁和设于所述轭铁上的中心磁钢，所述轭铁上还设有多个边磁钢，所述中心磁钢位于至少一组相对设置的两个所述边磁钢之间，所述中心磁钢与所述边磁钢之间形成磁间隙；或者，所述轭铁具有多个翻边，所述中心磁钢位于至少一组相对设置的两个所述翻边之间，所述中心磁钢与所述翻边之间形成磁间隙。
12.进一步地，所述中心磁钢的中心与所述助推磁组件的中心的连线垂直于所述轭铁靠近所述振动组件的面。
13.进一步地，所述助推磁组件为电磁铁、单磁体或多个磁体组成的组合的组合磁体，所述助推磁组件的磁场与所述磁路组件的磁场的同向。
14.进一步地，所述助推磁组件为海尔贝克阵列磁体结构，所述海尔贝克阵列磁体结构中位于中央的磁铁与所述中心磁钢相互靠近的一端的磁极相反。
15.本实用新型的有益效果在于：电子设备的主体上设置用于调整扬声器单体的磁场
强度的助推磁组件，提高了扬声器的力系数bl，提升了扬声器的声学性能。相比于现有的轻薄化电子设备，本电子设备利用助推磁组件进行磁性助推，助推扬声器单体中的音圈进行振动，在同等声音效果的前提下更省电，利于延长电子设备的续航时间，在相同电流的前提下声音更大、音质更好；本电子设备整体结构简单、制造成本低、发展空间大。
附图说明
16.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
17.图1为本实用新型实施例一的电子设备的部分结构的结构示意图；
18.图2为图1所示结构的部分区域的剖视图；
19.图3为本实用新型实施例一的电子设备中的助推磁组件的结构示意图。
20.附图标号说明：
21.1、结构件；11、容纳槽；
22.2、扬声器模组；21、模组外壳；22、扬声器单体；
23.3、助推磁组件；31、中心磁铁；32、副磁铁。
具体实施方式
24.本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
25.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
26.需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示诸如上、下、左、右、前、后
……
，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态如附图所示下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
27.另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
28.另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“和/或”为例，包括方案，或方案，或和同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
29.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情
况理解上述术语在本技术中的具体含义。
30.请参照图1至图3，电子设备，包括主体，所述主体内设有扬声器模组2，所述扬声器模组2包括扬声器单体22，所述主体包括结构件1，还包括设于所述结构件1上的助推磁组件3，所述助推磁组件3对应于所述扬声器单体22设置，所述助推磁组件3用于调整所述扬声器单体22的磁场强度。
31.从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：电子设备的主体上设置用于调整扬声器单体22的磁场强度的助推磁组件3，提高了扬声器的力系数bl，提升了扬声器的声学性能。相比于现有的轻薄化电子设备，本电子设备利用助推磁组件3进行磁性助推，助推扬声器单体22中的音圈进行振动，在同等声音效果的前提下更省电，利于延长电子设备的续航时间，在相同电流的前提下声音更大、音质更好；本电子设备整体结构简单、制造成本低、发展空间大。
32.进一步地，所述结构件1上设有容纳槽11，所述助推磁组件3的至少部分区域设于收容于所述容纳槽11内。
33.由上述描述可知，助推磁组件3的至少部分区域嵌设于容纳槽11内，助推磁组件3对于电子设备其他部件布局影响小，甚至是没有影响，更大限度地提高了电子设备对空间的利用率。
34.进一步地，所述容纳槽11的深度大于或等于所述助推磁组件3的厚度。
35.由上述描述可知，助推磁组件3可完全收容于容纳槽11内，助推磁组件3的增设对于电子设备中其他部件的布局完全无影响。
36.进一步地，所述容纳槽11连通所述结构件1的相对两侧。
37.由上述描述可知，此时，容纳槽11等同于开窗，可以将助推磁组件3的更多区域容纳于容纳槽11中，进一步提高空间利用率。
38.进一步地，所述结构件1为所述主体的外壳，所述助推磁组件3位于所述外壳的内侧或外侧。
39.由上述描述可知，可按需将助推磁组件3设于主体的外壳的内侧或外侧。
40.进一步地，所述结构件1为所述主体的中框。
41.由上述描述可知，可作为结构件1的构件众多，利于丰富电子设备的多样性。
42.进一步地，所述扬声器单体22包括盆架和分别设于所述盆架上的振动组件及磁路组件，所述磁路组件包括轭铁和设于所述轭铁上的中心磁钢，所述轭铁上还设有多个边磁钢，所述中心磁钢位于至少一组相对设置的两个所述边磁钢之间，所述中心磁钢与所述边磁钢之间形成磁间隙；或者，所述轭铁具有多个翻边，所述中心磁钢位于至少一组相对设置的两个所述翻边之间，所述中心磁钢与所述翻边之间形成磁间隙。
43.进一步地，所述中心磁钢的中心与所述助推磁组件3的中心的连线垂直于所述轭铁靠近所述振动组件的面。
44.由上述描述可知，助推磁组件3与磁路组件可以形成更为顺畅地磁回路。
45.进一步地，所述助推磁组件3为电磁铁、单磁体或多个磁体组成的组合的组合磁体，所述助推磁组件3的磁场与所述磁路组件的磁场的同向。
46.由上述描述可知，助推磁组件3的具体结构形态多种多样，可按需设置。
47.进一步地，所述助推磁组件3为海尔贝克阵列磁体结构，所述海尔贝克阵列磁体结
构中位于中央的磁铁与所述中心磁钢相互靠近的一端的磁极相反。
48.由上述描述可知，采用海尔贝克阵列磁体结构作为助推磁组件3，更能够提高扬声器模组2的力系数bl，更大程度上提升扬声器模组2的性能。
49.实施例一
50.请参照图1至图3，本实用新型的实施例一为：电子设备，所述电子设备可以是手机、平板电脑、智能手表、对讲机、游戏手柄等。
51.电子设备包括主体，所述主体内设有扬声器模组2，扬声器模组2包括模组外壳21和设于所述模组外壳21内的扬声器单体22，所述扬声器单体22包括盆架、磁路组件和振动组件，所述磁路组件和所述振动组件分别连接所述盆架；所述振动组件包括振膜组件和固定在所述振膜组件上的音圈，所述音圈位于所述盆架内；所述振膜组件包括音膜和设于所述音膜上的球顶，所述音膜与盆架连接固定；所述磁路组件包括轭铁和设于所述轭铁上的中心磁钢及多个边磁钢，所述中心磁钢位于至少一组相对设置的两个所述边磁钢之间，所述中心磁钢与所述边磁钢之间形成磁间隙，所述音圈的至少部分区域位于所述磁间隙中，所述中心磁钢靠近所述振膜组件的一侧设有中心华司，所述边磁钢的顶面设有边华司，所述边华司与所述盆架固定连接；所述主体包括结构件1，所述结构件1上设有助推磁组件3，所述助推磁组件3对应于所述扬声器单体22设置，所述助推磁组件3用于调整所述扬声器单体22的磁场强度，例如增强所述扬声器单体22的磁场强度，换句话说，所述助推磁组件3用于调整所述磁间隙的磁通密度。
52.所述助推磁组件3既可以是位于所述振动组件远离所述磁路组件的一侧的，也可以是位于所述轭铁远离所述振动组件的一侧的。
53.优选的，所述中心磁钢的中心与所述助推磁组件3的中心的连线垂直于所述轭铁靠近所述振动组件的面。
54.需要说明的是，在一些实施例中，所述模组外壳21可以是由所述电子设备本身的结构充当的。
55.还需要说明的是，部分扬声器单体22可能不具有所述边磁钢和边华司，此时，所述轭铁具有多个翻边，所述中心磁钢位于至少一组相对设置的两个所述翻边之间，所述中心磁钢与所述翻边之间形成所述磁间隙，所述翻边由所述轭铁的部分区域弯折成型。
56.具体的，所述结构件1为所述主体的外壳或所述主体的中框，当所述结构件1为所述主体的外壳时，所述助推磁组件3既可以是设置在所述外壳的内侧的，也可以是设置在所述外壳的外侧的。
57.为减小甚至是消除所述助推磁组件3对于所述电子设备中其他结构/元器件的布局影响，优选的，所述结构件1上设有容纳槽11，所述助推磁组件3的至少部分区域设于收容于所述容纳槽11内。
58.进一步优选的，所述容纳槽11的深度大于或等于所述助推磁组件3的厚度。当然，所述助推磁组件3稍稍凸出于所述容纳槽11也并非是不可接受的。
59.可选的，所述容纳槽11连通所述结构件1的相对两侧。
60.所述助推磁组件3既可以是单向磁场结构，也可以是海尔贝克阵列磁体结构。
61.当所述助推磁组件3是单向磁场结构时，所述助推磁组件3靠近所述磁路组件的一面的各个区域磁极极性相同(比如同为s极)，所述助推磁组件3远离所述磁路组件的一面的
各个区域磁极极性相同(同为n极)，此时，所述中心磁钢靠近所述助推磁组件3的一端为n极，远离所述助推磁组件3的一端为s极，反之亦然。即所述助推磁组件3的磁场与所述磁路组件的磁场的同向，如此，所述助推磁组件3可明显增强所述扬声器单体22的磁场强度。
62.当所述助推磁组件3是单向磁场结构时，所述助推磁组件3为电磁铁、单磁体或多个磁体组成的组合的组合磁体，当所述助推磁组件3为单磁体时，所述助推磁组件3既可以是呈矩形的，也可以是呈十字型的，还可以是呈其他异形的，需要说明的是，所述单磁体指代的是单个磁钢；当所述助推磁组件3为多个磁体组成的组合的组合磁体时，数量为多个的所述磁体可以组合成矩形、十字型或其他形状。
63.当所述助推磁组件3是海尔贝克阵列磁体结构时，所述海尔贝克阵列磁体结构中位于中央的磁铁与所述中心磁钢相互靠近的一端的磁极相反，即所述海尔贝克阵列磁体结构中正对所述中心磁钢的磁铁靠近所述中心磁钢的一端为n极时，所述中心磁钢靠近所述海尔贝克阵列磁体结构的一端为s极。本实施例中，所述海尔贝克阵列磁体结构包括中心磁铁31和多个副磁铁32，所述中心磁铁31即为正对所述中心磁钢的磁铁，所述中心磁铁31呈矩形，所述副磁铁32的数量为四个，所述中心磁铁31的周遭分别设有所述副磁铁32。在其他实施例中，所述副磁铁32的数量还可以是三个或其他数量的。
64.上述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。