固态成像元件的制作方法

技术特征：

1.一种固态成像元件，包括：

2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中

3.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中

4.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中

5.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中

6.根据权利要求1所述的固态成像元件，还包括

7.根据权利要求6所述的固态成像元件，其中

8.根据权利要求7所述的固态成像元件，其中

9.根据权利要求8所述的固态成像元件，其中

10.根据权利要求8所述的固态成像元件，其中

11.根据权利要求8所述的固态成像元件，其中

12.根据权利要求8所述的固态成像元件，其中

13.根据权利要求8所述的固态成像元件，其中

14.根据权利要求13所述的固态成像元件，其中

15.根据权利要求6所述的固态成像元件，还包括

16.根据权利要求15所述的固态成像元件，其中

17.根据权利要求15所述的固态成像元件，其中

18.根据权利要求6所述的固态成像元件，其中

19.根据权利要求18所述的固态成像元件，其中

20.根据权利要求18所述的固态成像元件，其中

技术总结
本发明在所有像素同时进行曝光的固态成像元件中提高了图像质量。所述固态成像元件包括预定数量的电容元件、前级电路、选择电路、后级电路和垂直扫描电路。所述前级电路生成预定的复位电平和与曝光量相对应的信号电平，并且使所述复位电平和所述信号电平保持在不同的电容元件中。在所述选择电路中，配置有打开和关闭所述各电容元件的一端与预定的节点之间的路径的选择晶体管。所述后级电路经由所述节点顺次读出所述复位电平和所述信号电平。所述垂直扫描电路执行控制以当保持所述复位电平和所述信号电平时降低所述一端的电位。

技术研发人员：朝仓伦丰
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15