Fddlte与tddlte载波聚合的harq时序实现方法和设备的制造方法

文档序号:8265202阅读:431来源:国知局
Fdd lte与tdd lte载波聚合的harq时序实现方法和设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及无线通信技术领域,特别涉及一种FDD (Frequency Division Duplexing,频分双工)LTE (Long Term Evolution,长期演进)与 TDD (Time Division Duplexing,时分双工)LTE 载波聚合的 HARQ (Hybrid Automatic Repeat Request,混合自 动重传请求)时序实现方法和设备。
【背景技术】
[0002] LTE是3GPP推出的新一代无线通信系统,是3G的演进技术,一般被称为3. 9G或准 4G。LTE目前共有R8、R9、RlO三个版本,其中R8和R9版本已分别于2008年底和2009年 底冻结,代表4G技术的RlO版本也称为LTE-Advanced,其主要技术规范也在2011年初完 成,当前正在进行的Rll将于2012年9月完成标准化工作。LTE通过采用正交频分复用 (OFDM)和多入多出(MMO)作为其无线网络演进的主流标准,可以提高小区容量、降低系统 延迟,更好地满足用户对数据业务的需求。
[0003] 按照双工方式,LTE分为FDD LTE和TDD LTE。FDD LTE和TDD LTE有许多技术不 同点,二者的帧结构不同,帧结构分别如图1和图2所示。同时,二者的HARQ时序也差异较 大,图3、图4、图5、图6分别示出FDD LTE下行HARQ时序关系、TDD LTE下行HARQ时序关 系、FDD LTE的上行HARQ时序关系、TDD LTE的上行HARQ时序关系。
[0004] 为了有效支持各种用户业务与更大的系统容量,3GPP RANl工作组决定在LTE-A 系统中利用载波聚合技术扩展系统带宽。载波聚合通过将分散的频谱碎片聚合为完整 的频谱实现更高的系统带宽和频率利用率,载波聚合的基本频谱单元称为组成载波(CC, Component Carrier)。根据各组成载波在频域的相对位置,可将载波聚合分为连续载波 聚合(Continuous Carrier Aggregation)和非连续载波聚合(Discontinuous Carrier Aggregation)两大类。连续载波聚合又称为频带内连续载波聚合(Intra-Band Adjacent Carrier Aggregation),指的是所聚合的组成载波在频域上位于同一段频带内且彼此相 邻。非连续载波聚合指的是所聚合的组成载波在频域上互不相邻。根据组成载波是否位于 同一段频带内,非连续载波聚合可以进一步细分为频带内非连续载波聚合和频带间非连续 载波聚合。频带内非连续载波聚合指的是所聚合的组成载波虽然在频域上互不相邻,但是 位于同一段频带内。频带间非连续载波聚合指的是所聚合的组成载波分布在不同的频带 上。频带内连续载波聚合对网络端和UE终端设备的硬件能力要求最低,所以组网成本相对 较低。当组成载波的频率间隔较小时,频带内非连续载波聚合与连续聚合类似。组成载波 频率间隔较大的频带内非连续载波聚合及频带间非连续载波聚合对频谱碎片的利用更加 灵活,可有效提高频率利用率。但是组成载波频率间隔较大的非连续载波聚合要求收发端 都要配置多条射频链,对UE终端的硬件能力要求较高,而UE终端的硬件又必须要考虑体积 和成本的限制。
[0005] 目前LTE最新版本的Rll仅支持FDD LTE内或TDD LTE内的载波聚合,由于FDD LTE和TDD LTE的HARQ时序完全不同,难以进行载波聚合的跨载波调度,所以仍不支持FDD LTE与TDD LTE间的载波聚合。

【发明内容】

[0006] 本发明实施例提出一种FDD LTE与TDD LTE载波聚合的HARQ时序实现方案,以解 决FDD LTE与TDD LTE无法进行载波聚合的跨载波调度的问题。
[0007] 根据本发明实施例的一个方面,提出一种FDD LTE与TDD LTE载波聚合的HARQ时 序实现方法,包括:在FDD LTE与TDD LTE进行载波聚合的跨载波调度时,副载波的HARQ时 序与主载波的HARQ时序关系保持一致。
[0008] 当FDD LTE为主载波、TDD LTE为副载波进行载波聚合的跨载波调度时,第η子帧 的TDD LTE的上行PUSCH由第n-k子帧的FDD LTE的TOCCH调度,第η子帧的TDD LTE的 PUSCH对应的ACK/NACK由第n+k子帧的FDD LTE的PHICH反馈;第η子帧的TDD LTE的下 行TOSCH由第η子帧的FDD LTE的TOCCH调度,第η子帧的TDD LTE的TOSCH对应的ACK/ NACK由第n+k子帧的FDD LTE的PUCCH/PUSCH反馈;其中,k由无线传输时延和接收处理时 延决定。
[0009] 当TDD LTE为主载波、FDD LTE为副载波进行载波聚合的跨载波调度时,第n-kl子 帧的FDD LTE的下行roSCH由第n-kl子帧的TDD LTE的roCCH调度,第n-kl子帧的FDD LTE的TOSCH对应的ACK/NACK由第η子帧的TDD LTE的PUCCH/PUSCH反馈;第η子帧的TDD LTE的TOCCH调度第n+k2子帧的FDD LTE的PUSCH ;第n-k3子帧的FDD LTE的PUSCH对应 的ACK/NACK在第η子帧的TDD LTE的PHICH反馈;其中,kl、K2、K3由无线传输时延和接收 处理时延决定。
[0010] 根据本发明实施例的一个方面,提出一种FDD LTE与TDD LTE载波聚合的HARQ时 序实现设备,包括:时序处理单元,用于在FDD LTE与TDD LTE进行载波聚合的跨载波调度 时,副载波的HARQ时序与主载波的HARQ时序关系保持一致。
[0011] 时序处理单元,具体用于当FDD LTE为主载波、TDD LTE为副载波进行载波聚合的 跨载波调度时,第η子帧的TDD LTE的上行PUSCH由第n-k子帧的FDD LTE的HXXH调度, 第η子帧的TDD LTE的PUSCH对应的ACK/NACK由第n+k子帧的FDD LTE的PHICH反馈;第 η子帧的TDD LTE的下行roSCH由第η子帧的FDD LTE的roCCH调度,第η子帧的TDD LTE 的TOSCH对应的ACK/NACK由第n+k子帧的FDD LTE的PUCCH/PUSCH反馈;其中,k由无线 传输时延和接收处理时延决定。
[0012] 时序处理单元,具体用于当TDD LTE为主载波、FDD LTE为副载波进行载波聚合的 跨载波调度时,第n-kl子帧的FDD LTE的下行H)SCH由第n-kl子帧的TDD LTE的HXXH 调度,第n-kl子帧的FDD LTE的roSCH对应的ACK/NACK由第η子帧的TDD LTE的PUCCH/ PUSCH反馈;第η子帧的TDD LTE的TOCCH调度第n+k2子帧的FDD LTE的PUSCH ;第n-k3 子帧的FDD LTE的PUSCH对应的ACK/NACK在第η子帧的TDD LTE的PHICH反馈;其中,kl、 K2、K3由无线传输时延和接收处理时延决定。
[0013] 由于FDD LTE和TDD LTE的HARQ时序完全不同,因此本发明提出在FDD LTE与 TDD LTE进行载波聚合的跨载波调度时,不再维持副载波的HARQ时序,而使副载波的HARQ 时序与主载波的HARQ时序关系保持一致,例如,TDD LTE的上下行HARQ时序关系完全参照 FDD LTE的HARQ时序关系而不是TDD LTE自身的HARQ时序,或者,FDD LTE的上下行HARQ 时序关系完全参照TDD LTE的HARQ时序关系而不是FDD LTE自身的HARQ时序,从而可以 基于主载波的HARQ时序对FDD LTE与TDD LTE进行载波聚合的跨载波调度,进而实现FDD LTE与TDD LTE间载波聚合,提高系统容量。
[0014] 通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其 优点将会变得清楚。
【附图说明】
[0015] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可 以根据这些附图获得其他的附图。
[0016] 图1示出现有技术的FDD LTE帧结构示意图。
[0017] 图2示出现有技术的TDD LTE帧结构示意图。
[0018] 图3示出现有技术的FDD LTE下行HARQ时序关系示意图。
[0019] 图4示出现有技术的TDD LTE下行HARQ时序关系示意图。
[0020] 图5示出现有技术的FDD LTE的上行HARQ时序关系示意图。
[0021] 图6示出现有技术的TDD LTE的上行HARQ时序关系示意图。
[0022] 图7示出本发明FDD LTE为主载波、TDD LTE为副载波进行载波聚合的跨载波调 度时下行HARQ时序关系一个示例的示意图。
[0023] 图8示出本发明FDD LTE为主载波、TDD LTE为副载波进行载波聚合的跨载波调 度时上行HARQ时序关系一个不例的不意图。
【具体实施方式】
[0024] 下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。以下 对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使 用的任何限制。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提 下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0025] 在这里示出和讨论的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不 是作为限制。因此,示例
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