具有改良音膜及结构的气动式高音单体的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型为一种高音单体，特别是指一种具有改良音膜及结构的气动式高音单体。
【背景技术】
[0002]气动式高音单体为一种常应用在高级喇叭内的结构，在现今的社会中是被广泛使用的高级音响设备。图1为一简易示意图，用以说明现有气动式高音单体内部的发声构造，请参照图1，现有高音单体的发声原理是藉由置放在磁铁支架上的多块磁铁2以及一上方的音膜I，音膜I是打褶的、松松的挂在音膜支架上，而音膜I位于多块磁铁2的间隙内，当高音单体通电后，磁力交替挤压弯曲皱褶的音膜I，会将音膜I推开，空气就随着音频而挤压发出声音S。这样的设计有很高的效率，音膜I上的强大磁力可降低有效质量电抗或音频阻抗，这也是“气动式变压器”名称的由来。由上述内容可知，气动式高音是将平面音膜加以折叠然后运用挤压的原理驱动空气，由于驱动的空气量比传统平面振膜更多，因此效率更高。
[0003]图2为一示意图，用以说明现有气动式高音单体结构中音膜的结构，图3为一示意图，用以说明现有气动式高音单体的整体结构。请同时参照图2及图3，然而，在上述现有的气动式高音单体结构中，音膜I的结构包括一导电的铝膜层U、一背胶层13以及一薄膜层15，铝膜层11大都是利用背胶层13来固定在薄膜层15上。由于目前业界中可用的背胶层13都具有一定的厚度，因此，此种固定方式会使得气动式高音单体整体结构的厚度变得较厚，另一方面，音膜I及多块磁铁2又分别各自以音膜支架111以及磁铁支架113固定，再经由分开独立的上华司115、下华司117和垫圈119予以结合在一起，因此会让整体结构扩大，进而无法将气动式高音单体的结构应用在耳机等小尺寸的喇叭中；另一方面，也因为一般耳机的发声结构都是使用平面振膜，或是动圈单体，平衡电枢式单体，抑或是这3种的交互混用，进而导致无法将气动式高音结构应用在耳机的小尺寸结构中，也对耳机等小尺寸发声装置的设计造成了限制，使耳机的音质无法进一步提升。
[0004]基于上述理由，如果能将音膜的厚度变薄，结构一体化，使气动式高音结构尺寸变小的同时也将气动式高音结构应用在耳机等小尺寸的发声装置中，让耳机发出的声音达到更饱满的境界，乃是待解决的问题。
【实用新型内容】
[0005]鉴于上述现有技术的缺点，本实用新型主要为提供一种具有改良音膜及结构的气动式高音单体，包括:一底架;一支架，具有一上夹架槽以及一下夹架槽，并组设于该底架；至少一磁铁，组设于该下夹架槽中；一改良音膜，组设于该上夹架槽中；以及一外套底架，具有多个开口以及一外套部，并套设于该底架、该支架、该至少一磁铁及该改良音膜外；其中该改良音膜包括一薄膜层以及一电路薄膜层，该电路薄膜层藉由一电解接合层固定于该薄膜层的一侧。
[0006]较佳地，该至少一磁铁为栅形磁铁。[0007 ]较佳地，该电路薄膜层由无胶铜材质制成。
[0008]较佳地，该至少一磁铁为一铷铁。
[0009]较佳地，该改良音膜为打褶结构。
[0010]较佳地，该支架为一体式支架。
[0011]较佳地，该外套底架整合一上华司及一垫圈。
[0012]本实用新型的其它目的、好处与创新特征将可由以下本实用新型的详细范例连同附图而得知。
【附图说明】
[0013]图1为说明现有气动式尚首单体内部的发声构造的简易不意图；
[0014]图2为说明现有气动式高音单体结构中音膜的结构的示意图；
[0015]图3为说明现有气动式高音单体的整体结构；
[0016]图4为说明本实用新型第一实施例中改良音膜的结构的示意图；
[0017]图5为说明本实用新型第一实施例的具有改良音膜及结构的气动式高音单体结构的不意图；以及
[0018]图6为说明本实用新型第一实施例的具有改良音膜及结构的气动式高音单体内部的发声构造示意图。
[0019]其中，附图标记说明如下:
[0020]I 音膜[0021 ]2 磁铁
[0022]3 改良音膜
[0023]11 铝膜层
[0024]13 背胶层
[0025]15、33 薄膜层
[0026]111 音膜支架
[0027]113 磁铁支架
[0028]115 上华司
[0029]117 下华司
[0030]119 垫圈
[0031 ]31 电路薄膜层
[0032]35 电解接合层
[0033]41 底架
[0034]43 改良一体式支架
[0035]45 磁铁
[0036]47 外套底架
[0037]431 下夹架槽
[0038]433 上夹架槽
[0039]471 开口
[0040]473 外套部[0041 ] S 声音
【具体实施方式】
[0042]以下配合附图及附图标记对本实用新型的实施方式做更详细的说明，使熟习本领域的技术人员在研读本说明书后能据以实施。
[0043]图4为一示意图，用以说明本实用新型第一实施例中改良音膜的结构。请参照图4，在说明时是将改良音膜3用平整的状态表示，而在实际使用时改良音膜3为打褶结构，本实用新型第一实施例中的改良音膜3包括一电路薄膜层31以及一薄膜层33，且通过电解接合的方式将电路薄膜层31固定于薄膜层33的一侧，如图4所示，电路薄膜层31藉由电解接合的方式通过一电解接合层35固定于薄膜层33的一侧，为了方便辨识，各个电解接合层的厚度并未依照实际的比例绘示，实际的电解接合层35的厚度比图中所示的更薄，基本上可以无视电解接合层35的存在。此外，在本实用新型一实施例中，采用无胶铜作为所述的电路薄膜层31，而在其他实施例中，电路薄膜层31的材质不限于无胶铜，任何其他可导电并且可通过电解接合的方式