层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法与流程

文档序号:12051061阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种层叠体,其包括:

包含基材层和配置在所述基材层上的粘合剂层的切割片、和

配置在所述粘合剂层上的半导体背面保护薄膜,

固化后的所述半导体背面保护薄膜的拉伸储能模量在23℃~80℃全部范围下为1GPa以上。

2.根据权利要求1所述的层叠体,其中,

固化后的所述半导体背面保护薄膜的80℃拉伸储能模量与固化后的所述半导体背面保护薄膜的23℃拉伸储能模量之比为0.3~1.0。

3.根据权利要求1所述的层叠体,其中,

所述半导体背面保护薄膜含有树脂成分,

所述树脂成分含有丙烯酸类树脂、环氧树脂和酚醛树脂,

所述树脂成分100重量%中的所述丙烯酸类树脂的含量为0.1重量%~30重量%。

4.一种联合体,其包括:

剥离衬垫、和

配置在所述剥离衬垫上的权利要求1所述的层叠体。

5.一种半导体装置的制造方法,其包括如下工序:

在权利要求1~3中任一项所述的层叠体的所述半导体背面保护薄膜上固定半导体晶圆的工序;

在所述层叠体的所述半导体背面保护薄膜上固定所述半导体晶圆的工序之后,使所述半导体背面保护薄膜固化的工序;

在使所述半导体背面保护薄膜固化的工序之后,通过对固定在所述半导体背面保护薄膜上的所述半导体晶圆进行切割,从而形成包含半导体芯片和固定在所述半导体芯片上的切割后半导体背面保护薄膜的组合的工序;和

从所述切割片上剥离所述组合的工序。

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