本实用新型涉及烟膜技术领域，具体为一种具有防红外线功能的烟膜。
背景技术：
随着科技的进步和消费水平的提高，消费者对产品的包装会更加关注，尤其是高档产品的外包装。现有的薄膜，产品表面硬度低，加工过程中容易造成的划伤，产生白色痕迹，这种白色痕迹削弱了包装产品的美观性，影响亮视觉，降低了对包装产品的档次。普通的烟膜，其在共挤出时，表层与熔融管和模头内壁直接接触，会与熔融管和模头内壁产生一定的摩擦，容易产生热封料降解和熔体破裂现象，增加薄膜表面的缺陷。
现有的烟膜不具有防红外线性能，且防刮性能较差，烟膜被刮花后使产品外观较丑，影响产品销售。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种具有防红外线功能的烟膜，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种具有防红外线功能的烟膜，包括均聚pp层，所述均聚pp层下表面设置有第二高结晶pp层，所述第二高结晶pp层下表面设置有第二共聚pp层，所述第二共聚pp层下表面设置有含氟弹性体层，所述含氟弹性体层下表面设置有隐形防伪层，所述隐形防伪层下表面设置有防红外线层，所述均聚pp层上表面设置有第一高结晶pp层，所述第一高结晶pp层上表面设置有第一共聚pp层，所述第一共聚pp层上表面设置有热封膜，所述热封膜上表面设置有耐磨层。
优选的，所述防红外线层设置为金属氧化物层，防红外线层的厚度设置为1微米。
优选的，所述耐磨层设置为纳米级硅微粉或纳米级陶瓷粒子层，耐磨层的厚度设置为1微米。
优选的，所述耐磨层内部设置有抗静电颗粒。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型防红外线层可增强对红外线的反射率，以提高防红外线的性能，耐磨层增加了薄膜的表面硬度，防划伤效果好，烟膜表面不会产生白色痕迹，提高了包装产品的美观性，且耐磨层内部设置有抗静电颗粒，从而增强了该烟膜的抗静电性能，便于包装，通过设置隐形防伪层，可增强该烟膜的防伪性能，进一步保证消费者利益，通过设置含氟弹性体层，由于含氟弹性体层耐磨性强，在熔体共挤出过程中，在熔融管和模头内部形成动态的含氟弹性体涂层，为界面接触关系，有效的减少了加工过程中的热封料降解和熔体破裂现象。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1-耐磨层；2-热封膜；3-第一共聚pp层；4-第一高结晶pp层；5-均聚pp层；6-第二高结晶pp层；7-第二共聚pp层；8-含氟弹性体层；9-隐形防伪层；10-防红外线层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例1
请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种具有防红外线功能的烟膜，包括均聚pp层5，均聚pp层5下表面设置有第二高结晶pp层6，第二高结晶pp层6下表面设置有第二共聚pp层7，第二共聚pp层7下表面设置有含氟弹性体层8，含氟弹性体层8耐磨性强，在熔体共挤出过程中，在熔融管和模头内部形成动态的含氟弹性体涂层，为界面接触关系，有效的减少了加工过程中的热封料降解和熔体破裂现象，含氟弹性体层8下表面设置有隐形防伪层9，隐形防伪层9可增强该烟膜的防伪性能，进一步保证消费者利益，隐形防伪层9下表面设置有防红外线层10，防红外线层10可增强对红外线的反射率，以提高防红外线的性能，均聚pp层5上表面设置有第一高结晶pp层4，第一高结晶pp层4上表面设置有第一共聚pp层3，第一共聚pp层3上表面设置有热封膜2，热封膜2上表面设置有耐磨层1，耐磨层1增加了薄膜的表面硬度，防划伤效果好，烟膜表面不会产生白色痕迹，提高了包装产品的美观性，防红外线层10设置为金属氧化物层，防红外线层10的厚度设置为1微米，耐磨层1设置为纳米级硅微粉或纳米级陶瓷粒子层，耐磨层1的厚度设置为1微米，耐磨层1内部设置有抗静电颗粒。
工作原理：防红外线层10可增强对红外线的反射率，以提高防红外线的性能，耐磨层1增加了薄膜的表面硬度，防划伤效果好，烟膜表面不会产生白色痕迹，提高了包装产品的美观性，且耐磨层1内部设置有抗静电颗粒，从而增强了该烟膜的抗静电性能，便于包装，通过设置隐形防伪层9，可增强该烟膜的防伪性能，进一步保证消费者利益，由于含氟弹性体层8耐磨性强，在熔体共挤出过程中，在熔融管和模头内部形成动态的含氟弹性体涂层，为界面接触关系，有效的减少了加工过程中的热封料降解和熔体破裂现象。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。