层叠基板和电子器件的制造方法与流程

文档序号：18087557发布日期：2019-07-06 10:36阅读：152来源：国知局

本发明涉及层叠基板和使用该层叠基板的电子器件的制造方法。

背景技术：

近年来，太阳能电池(pv)、液晶面板(lcd)、有机el面板(oled)等电子器件(电子设备)的薄型化、轻量化正在进行。与其相对应，这些电子器件中使用的玻璃基板的薄板化正在进行。

另一方面，如果因薄板化而玻璃基板的强度不足，则在电子器件的制造工序中，玻璃基板的处理性降低。

因此，最近，为了应对上述课题，正在进行在用支撑基材支撑玻璃基板的状态下，在玻璃基板上制造电子器件。例如，专利文献1中记载了一种电子器件的制造方法，其使用在支撑基材(玻璃板)形成由无机膜或树脂膜构成的密合层(剥离膜)而成的加强板形成在该加强板的密合层层叠并密合玻璃基板而得的层叠基板(层叠体)，在层叠基板的玻璃基板形成电子器件用构件后，从层叠基板剥离玻璃基板。

根据该方法，即使玻璃基板薄也能够提高处理性，进行适当的定位等而在玻璃基板形成布线等电子器件用构件，进而，在完成规定的处理后，通过从玻璃基板剥离密合层和支撑基材，能够使用薄板的玻璃基板制造电子器件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－114183号公报

技术实现要素：

但是，作为能够实现更高精细的液晶显示器等的薄膜晶体管(tft(thinfilmtransistor))，已知低温多晶硅tft(ltps(low-temperaturepoly-silicon)－tft)和氧化物tft。

在此，根据本发明人等的研究，如果使用层叠基板制造ltps－tft、氧化物tft，则在密合层产生裂纹(裂缝、开裂)，由于该裂纹，有时无法制造适当的制品。

本发明人等对该现象反复进行了深入研究。其结果，得到以下的见解。

图5(a)概念性地表示层叠基板的端部的截面图，图5(b)概念性地表示图5(a)的区域b的放大图。

如上所述，层叠基板100具有在支撑基材102形成密合层104，在密合层104层叠并密合玻璃基板106而得的构成。

如专利文献1中也记载的那样，层叠基板100通常为了防止玻璃基板106的开裂等损伤，如图5(a)所示，在将支撑基材102、密合层104和玻璃基板106层叠后，进行端部的倒角。

层叠基板100中，通常，与支撑基材102相比，玻璃基板106薄。因此，如果进行层叠基板100的倒角，则如图5(b)所示，在密合层104的端部产生未被玻璃基板106覆盖的露出的区域104a。

另外，层叠基板的倒角中，并不是如图5(a)所示那样使层叠基板100的整个端面为曲面状，也有时如图6(a)中概念性地示出截面图的层叠基板110那样，形成仅对层叠基板10的端部的角部进行倒角的形状。

此时，也会根据磨石的形状、磨石的硬度、层叠基板的磨削量和层叠基板100的形状等而导致在密合层104与玻璃基板106的界面，玻璃基板106的端部(或者进一步密合层104的端部)被磨削，如图6(a)的区域b的放大图即图6(b)中概念性所示，在密合层104的端部产生未被玻璃基板106覆盖的露出的区域104a。

另一方面，一直以来通用的使用非晶硅的tft的制造中，处理的最高温度为380℃左右。与此相对，在ltps－tft、氧化物tft的制造中，工艺的最高温度为550℃左右。因此，在ltps－tft、氧化物tft的制造中，使用也可耐受550℃左右的密合层104。

本发明人等进行了深入研究，结果发现在使用层叠基板100的ltps－tft、氧化物tft的制造中存在如下情况：在进行550℃左右这样的高温工艺后的降温时，在密合层104的未被玻璃基板106覆盖的露出的区域104a产生裂纹，进而，该裂纹延伸至被玻璃基板106覆盖的区域。

如果在密合层104产生这样的裂纹，则例如在其后的湿式工艺中，药液等进入裂纹内，被携带入下一工序等，成为制品、处理设备等污染的原因。

另外，密合层104的裂纹也有时在制品等的检查时成为噪声而被判断为异物、缺陷等。

通过减小密合层104的膜厚，能够抑制裂纹的产生。然而，如果减小密合层104的膜厚，则容易产生因将层叠基板的制造工序中产生的尘埃、附着于基板的异物等咬入层叠基板(支撑基材102和/或玻璃基板106与密合层104之间)而形成的气泡。气泡的直径大或数量多时，在形成ltps－tft等电子器件时的加热工序中气泡膨胀，发生剥离。根据以上的情况，需要使层叠基板中所含的气泡的直径、数量为一定以下，密合层104的厚度越大，制造的效率(制品成品率)变得越良好。如果考虑该方面，密合层104的厚度优选500nm以上，更优选2μm以上。

本发明是通过得到这样的见解而完成的，其目的在于提供即使在用于制造ltps－tft、氧化物tft时，也能够防止在密合层产生裂纹的层叠基板。

另外，本发明的目的也在于提供使用该层叠基板的电子器件的制造方法。

本发明人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现能够通过以下的构成而解决上述课题。

(1)一种层叠基板，其特征在于，依次具备支撑基材、密合层和基板，

所述密合层的所述基板侧的面具有与所述基板接触的中央区域和不与所述基板接触的端部区域，将所述中央区域的厚度设为t1，将所述端部区域的厚度设为t2时，满足“t1×2/3＞t2”且在所述中央区域与端部区域之间具有阶差。

(2)根据(1)所述的层叠基板，其中，所述密合层的中央区域t1的厚度为100μm以下。

(3)根据(1)或(2)所述的层叠基板，其中，具有端部经倒角的形状。

(4)一种层叠基板，其特征在于，依次具备支撑基材、密合层和基板，

所述密合层的端面为凹状。

(5)根据(4)所述的层叠基板，其特征在于，所述密合层的所述基板侧的面的整个面与所述基板接触。

(6)根据(4)或(5)所述的层叠基板，其中，具有端部经倒角的形状。

(7)一种电子器件的制造方法，具有如下工序：

构件形成工序，在(1)～(3)中任一项所述的层叠基板的所述基板形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠基板，以及

分离工序，从所述带电子器件用构件的层叠基板除去所述支撑基材和所述密合层，得到具有所述基板和所述电子器件用构件的电子器件。

(8)一种电子器件的制造方法，具有如下工序：

构件形成工序，在(4)～(6)中任一项所述的层叠基板的所述基板形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠基板，以及

分离工序，从所述带电子器件用构件的层叠基板除去所述支撑基材和所述密合层，得到具有所述基板和所述电子器件用构件的电子器件。

(9)根据(7)或(8)所述的电子器件的制造方法，其中，所述电子器件用构件为低温多晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管。

根据本发明，能够提供即使用于进行550℃左右的高温工艺的ltps－tft、氧化物tft的制造，也能够防止在密合层产生裂纹的层叠基板。

另外，根据本发明，也能够提供使用该层叠基板的电子器件的制造方法。

附图说明

图1(a)是概念性地表示本发明的层叠基板的第1方式的一个例子的截面图，图1(b)是概念性地表示图1(a)的区域b的放大图。

图2(a)是概念性地表示本发明的层叠基板的第2方式的一个例子的截面图，图2(b)是概念性地表示图2(a)的区域b的放大图。

图3是概念性地表示本发明的层叠基板的另一个例子的端部附近的截面图。

图4(a)～图4(c)是概念性地表示本发明的层叠基板的另一个例子的端部附近的截面图。

图5(a)是概念性地表示以往的层叠基板的一个例子的截面图，图5(b)是概念性地表示图5(a)的区域b的放大图。

图6(a)是概念性地表示以往的层叠基板的另一个例子的截面图，图6(b)是概念性地表示图6(a)的区域b的放大图。

具体实施方式

以下，基于附带的附图所示的优选的实施方式对本发明的层叠基板和电子器件的制造方法详细地进行说明。

应予说明，本发明并不受以下的实施方式限制，可以在不脱离本发明的范围内对以下的实施方式进行各种变形和改良。

图1(a)概念性地表示本发明的层叠基板的第1方式的一个例子的截面图。另外，图1(b)概念性地表示图1(a)的区域b的放大图。

如图1(a)所示，该层叠基板10依次具有支撑基材12、密合层14和玻璃基板16。另外，密合层14的玻璃基板16侧的面具有与玻璃基板16接触的中央区域14c和不与玻璃基板16粘接的面方向周边部的端部区域14e(以虚线b所示的区域)，在将中央区域14c的厚度设为t1，将端部区域14e的厚度设为t2时，满足“t1×2/3＞t2”。因此，层叠基板10中，在中央区域14c与端部区域14e之间具有阶差14s。

本发明的第1方式的层叠基板10通过具有这样的构成，即使用于进行550℃左右这样的高温工艺的ltps－tft、氧化物tft的制造，也能够防止在密合层14产生裂纹。

应予说明，图示例中，作为形成电子器件用部件(电子器件)的基板，使用玻璃基板16，但本发明并不限定于此。即，本发明中，形成电子器件的基板除玻璃基板16以外，也可利用硅基板、聚酰亚胺基板等树脂基板等、电子器件中形成电子器件用部件的各种基板。

图1(a)所示的层叠基板10如下得到：将支撑基材12、密合层14和玻璃基板16层叠，根据需要切割成规定的形状后，与上述的图5(a)所示的例子同样地实施端部(端面)的倒角。

应予说明，对于本发明的层叠基板10，通常，主面(最大面)为正方形或长方形，端部的倒角通常如图示例那样在4个端面全部进行。然而，本发明并不限定于此，可以仅对3个端面进行端部的倒角，或者仅对2个端面进行端部的倒角，或者仅对1个端面进行端部的倒角，进而，也可以不进行端部的倒角。另外，密合层14的端部的形状也只要是在至少1个端面具有后述的阶差的形状即可。然而，本发明中，优选在4个端面全部进行端部的倒角且密合层14的端部的形状也为在4个端面全部具有后述的阶差的形状。

应予说明，本发明的层叠基板中，主面的形状不限定于正方形和长方形，可利用例如圆形等各种形状。使用圆形的层叠基板时，端部的倒角可以为1/4周、半周、2/3周等一部分，优选在圆周的整个区域进行倒角。

关于以上的方面，后述的密合层的端面为凹状的本发明的第2方式的层叠基板也同样。

层叠基板10中，由支撑基材12和密合层14构成的2层部分在形成构成lcd等的电子器件用构件的构件形成工序中加强玻璃基板16。

使用层叠基板10直至后述的构件形成工序。即，使用层叠基板10直至在玻璃基板16的表面(与密合层14相反侧的主面)形成电子器件用构件(构成电子器件的构件)。然后，形成有电子器件用构件的层叠基板10被分离为支撑基材12和密合层14与电子器件(形成有电子器件用构件的玻璃基板16)，密合层14和支撑基材12不成为构成电子器件的部分。可以在密合层14和支撑基材12层叠新的玻璃基板16，作为新的层叠基板10进行再利用。

密合层14被固定在支撑基材12上，玻璃基板16可剥离地密合(层叠)于密合层14。

本发明中，固定与可剥离的密合(层叠)在剥离强度(剥离所需的应力)方面存在不同，固定是指相对于密合，剥离强度大。即，密合层14与支撑基材12的界面的剥离强度大于密合层14与玻璃基板16的界面的剥离强度。换言之，可剥离的密合也是指可剥离，同时能够在不产生被固定的面的剥离的情况下进行剥离。

具体而言，支撑基材12与密合层14的界面具有剥离强度(x)，如果对支撑基材12与密合层14的界面施加超过剥离强度(x)的剥离方向的应力，则支撑基材12与密合层14剥离。另外，密合层14与玻璃基板16的界面具有剥离强度(y)，如果对密合层14与玻璃基板16的界面施加超过剥离强度(y)的剥离方向的应力，则密合层14与玻璃基板16剥离。

层叠基板10(也包括后述的形成有电子器件用构件的层叠体)中，剥离强度(x)高于剥离强度(y)。因此，如果对层叠基板10施加将支撑基材12与玻璃基板16剥离的方向的应力，则层叠基板10在密合层14与玻璃基板16的界面剥离，分离为玻璃基板16和具有密合层14的支撑基材12。

剥离强度(x)优选与剥离强度(y)相比足够高。

提高密合层14对于支撑基材12的附着力的方法没有特别限制，例如可举出如后所述使含有规定成分的固化性树脂在支撑基材12上固化(交联固化)而形成密合层14的方法。能够以固化时的粘接力形成以高的粘合力粘合于支撑基材12的密合层14。

另一方面，密合层14对于玻璃基板16的粘合力通常低于在固化性树脂固化时产生的粘合力。因此，通过在支撑基材12上对固化性树脂层实施固化处理(加热处理)而形成密合层14，然后，在密合层14的面层叠玻璃基板16，从而能够制造满足期望的剥离关系的层叠基板10。

如上所述，层叠基板10具有支撑基材12、密合层14和玻璃基板16。

＜支撑基材＞

支撑基材12支撑并加强玻璃基板16，在后述的构件形成工序(制造电子器件用构件的工序)中在制造电子器件用构件时防止玻璃基板16的变形、划伤、破损等。另外，支撑基材12因薄板化而玻璃基板16的强度不足，从而玻璃基板16自身的处理性降低，但通过使支撑基材12和密合层14与玻璃基板16密合，消除了该处理性降低的问题。

作为支撑基材12，例如可使用玻璃板、塑料板、金属板(例如，sus板)等。通常，构件形成工序伴有热处理，因此，支撑基材12优选由与玻璃基板16的线膨胀系数的差小的材料形成，更优选由与玻璃基板16相同的材料形成，支撑基材12优选为玻璃板。特别优选支撑基材12是由与玻璃基板16相同的玻璃材料构成的玻璃板。

支撑基材12的厚度可以比玻璃基板16厚，也可以比玻璃基板16薄。通常，支撑基材12的厚度比玻璃基板16厚。

优选基于玻璃基板16的厚度和密合层14的厚度以及层叠基板10的厚度选择支撑基材12的厚度。例如，现有的构件形成工序是以对厚度0.5mm的基板进行处理的方式设计的，玻璃基板16的厚度与密合层14的厚度之和为0.1mm时，使支撑基材12的厚度为0.4mm。支撑基材12的厚度在通常的情况下优选0.1～5.0mm。

为了稳定地减少玻璃基板16的翘曲，从控制层叠基板10的翘曲的观点考虑，支撑基材12优选翘曲小、刚性高。玻璃基板16的基板与支撑基材12为相同材质时，支撑基材12可以具有与玻璃基板16的基板面对称的翘曲形状。

支撑基材12为玻璃板时，从容易处理、不易开裂等理由出发，玻璃板的厚度优选0.03mm以上。另外，从在电子器件用构件形成后进行剥离时期望不会开裂而适度地挠曲这样的刚性的理由出发，玻璃板的厚度优选1.0mm以下。

支撑基材12与玻璃基板16的在25～300℃下的平均线膨胀系数的差优选为10×10^-7/℃以下，更优选为3×10^-7/℃以下，进一步优选为1×10^-7/℃以下。

如果支撑基材12与玻璃基板16的平均线膨胀系数的差过大，则有可能在构件形成工序中的加热冷却时层叠基板10剧烈翘曲或支撑基材12与玻璃基板16发生剥离。支撑基材12的材料与玻璃基板16的材料相同时，能够抑制产生这样的问题。

＜密合层＞

密合层14将玻璃基板16与支撑基材12密合直至进行将支撑基材12与玻璃基板16分离的操作，并且防止玻璃基板16等因分离操作而破损。密合层14的玻璃基板16侧的面(主面)与玻璃基板16(其一侧的主面)可剥离地密合(层叠)。如上所述，密合层14以弱的粘合力粘合于玻璃基板16，其界面的剥离强度(y)低于密合层14与支撑基材12之间的界面的剥离强度(x)。

即，在将玻璃基板16与支撑基材12分离时，在玻璃基板16与密合层14的界面发生剥离，在支撑基材12与密合层14的界面不易剥离。因此，密合层14虽然与玻璃基板16密合，但具有能够将玻璃基板16容易地剥离的表面特性。即，密合层14以某种程度的粘合力粘合于玻璃基板16而使玻璃基板16与支撑基材12密合，并且以在将玻璃基板16剥离时不破坏玻璃基板16地能够容易剥离的程度的粘合力进行粘合。

本发明中，将该密合层14表面的能够容易地剥离的性质称为剥离性。即，密合层14与玻璃基板16以具有剥离性的状态密合(粘合)。另一方面，密合层14的支撑基材12侧的面(主面)以相对不易剥离的粘合力粘合于支撑基材12(其一侧的主面)。即，支撑基材12与密合层14以相对不易剥离的粘合力粘合。

密合层14没有特别限制。即，密合层14可以利用各种在用于制造电子器件的层叠基板(玻璃层叠体)中将支撑基材12与玻璃基板16密合的公知的密合层(吸附层、贴合层、粘接层、粘合层)。

因此，密合层14可以为由树脂等构成的有机层，也可以为无机层。以下，对各个情况进行详述。

[有机层]

作为有机层，优选为含有规定的树脂的树脂层。形成树脂层的树脂的种类没有特别限制，例如可举出有机硅树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂或氟系树脂。也可以混合使用几种树脂。其中，优选有机硅树脂、聚酰亚胺树脂、氟系树脂。

有机硅树脂是指含有规定的有机硅氧烷单元的树脂，通常使固化性有机硅固化而得到。固化性有机硅根据其固化机制而被分类为加成反应型有机硅、缩合反应型有机硅、紫外线固化型有机硅和电子束固化型有机硅，均可使用。这些之中，优选加成反应型有机硅或缩合反应型有机硅。

作为加成反应型有机硅，可优选使用含有主剂和交联剂且在铂系催化剂等催化剂的存在下进行固化的固化性的组合物。加成反应型有机硅的固化通过加热处理而得到促进。加成反应型有机硅中的主剂优选为具有与硅原子键合的烯基(乙烯基等)的有机聚硅氧烷(即，有机烯基聚硅氧烷。此外，优选直链状)，烯基等成为交联点。加成反应型有机硅中的交联剂优选为具有与硅原子键合的氢原子(氢甲硅烷基)的有机聚硅氧烷(即，有机氢聚硅氧烷。此外，优选直链状)，氢甲硅烷基等成为交联点。

加成反应型有机硅通过主剂与交联剂的交联点进行加成反应而固化。应予说明，从来自交联结构的耐热性更优异的方面考虑，优选有机氢聚硅氧烷的与硅原子键合的氢原子相对于有机烯基聚硅氧烷的烯基的摩尔比为0.5～2。

使用加成反应型有机硅时，可以根据需要使用催化剂(特别是铂族金属系催化剂)。

铂族金属系催化剂(氢甲硅烷基化用铂族金属催化剂)是用于使上述有机烯基聚硅氧烷中的烯基与上述有机氢聚硅氧烷中的氢原子的氢甲硅烷基化反应进行、得以促进的催化剂。作为铂族金属系催化剂，可举出铂系、钯系、铑系等的催化剂，从经济性、反应性的方面考虑，特别优选使用铂系催化剂。

作为缩合反应型有机硅，可优选使用作为单体的水解性有机硅烷化合物或其混合物(单体混合物)或者使单体或单体混合物进行部分水解缩合反应而得到的部分水解缩合物(有机聚硅氧烷)。

通过使用该缩合反应型有机硅进行水解·缩合反应(溶胶凝胶反应)，能够形成有机硅树脂。

聚酰亚胺树脂是具有酰亚胺结构的树脂，是使四羧酸类与二胺类进行反应而得到的树脂。

聚酰亚胺树脂的结构没有特别限制，优选由下述式(1)所示的具有四羧酸类的残基(x)和二胺类的残基(a)的重复单元构成。

式(1)中，x表示从四羧酸类除去羧基而得到的四羧酸残基，a表示从二胺类除去氨基而得到的二胺残基。

式(1)中，x表示从四羧酸类除去羧基而得到的四羧酸残基，优选由选自以下的式(x1)～(x4)所示的基团中的至少1种基团构成。其中，从聚酰亚胺树脂的耐热性优异的方面考虑，更优选x的总数的50摩尔％以上(优选为80～100摩尔％)由选自以下的式(x1)～(x4)所示的基团中的至少1种基团构成。进一步优选x的总数的实质上全部(100摩尔％)由选自以下的式(x1)～(x4)所示的基团中至少1种基团构成。

另外，a表示从二胺类除去氨基而得到的二胺残基，优选由选自以下的式(a1)～(a8)所示的基团中的至少1种基团构成。其中，从聚酰亚胺树脂的耐热性优异的方面考虑，更优选a的总数的50摩尔％以上(优选为80～100摩尔％)由选自以下的式(a1)～(a8)所示的基团中的至少1种基团构成。进一步优选a的总数的实质上全部(100摩尔％)由选自以下的式(a1)～(a8)所示的基团中的至少1种基团构成。

有机层的厚度没有特别限制，优选0.5～100μm，更优选2～30μm，进一步优选4～20μm。如果有机层的厚度为这样的范围，则有机层与玻璃基板16的密合变得充分。

另外，为了提高有机层的平坦性，可以在有机层中含有流平剂。流平剂的种类没有特别限定，作为代表性的流平剂，可举出氟系流平剂等。

[无机层]

构成无机层的材料没有特别限制，优选含有例如选自氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、碳氮化物、硅化物和氟化物中的至少1种。其中，从玻璃基板16的剥离性更优异的方面考虑，优选含有氧化物。

作为氧化物(优选为金属氧化物)、氮化物(优选为金属氮化物)、氮氧化物(优选为金属氮氧化物)，例如可举出选自si、hf、zr、ta、ti、y、nb、na、co、al、zn、pb、mg、bi、la、ce、pr、sm、eu、gd、dy、er、sr、sn、in和ba中的1种以上的元素的氧化物、氮化物、氮氧化物。更具体而言，可举出氮氧化硅(sinxoy)、氧化钛(tio2)、氧化铟(in2o3)、铟铈氧化物(ico)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)、氧化镓(ga2o3)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌锡(zto)、添加有镓的氧化锌(gzo)等。

作为碳化物(优选为金属碳化物)、碳氮化物(优选为金属碳氮化物)，例如可举出选自ti、w、si、zr和nb中的1种以上的元素的碳化物、碳氮化物、碳氧化物。例如可举出碳氧化硅(sico)等。

应予说明，作为碳化物，可以为所谓的碳材料，也可以为例如将酚醛树脂等树脂成分进行烧结而得到的碳化物。

作为硅化物(优选为金属硅化物)，例如可举出选自mo、w和cr中的1种以上的元素的硅化物。

作为氟化物(优选为金属氟化物)，例如可举出选自mg、y、la和ba中的1种以上的元素的氟化物。例如，可举出氟化镁(mgf2)等。

无机层的厚度没有特别限定，优选5～5000nm，更优选10～500nm。

无机层的与玻璃基板16相接的面的表面粗糙度ra(算术平均粗糙度ra)优选为2.0nm以下，更优选为1.0nm以下。下限值没有特别限制，最优选0。如果为上述范围，则与玻璃基板16的密合性变得更良好，能够抑制玻璃基板16单独时产生的吸附不良等，并且玻璃基板16的剥离性也优异。

表面粗糙度ra可以依照jisb0601(2001年修订)进行测定。

密合层14可以为等离子体聚合膜。

密合层14为等离子体聚合膜时，形成等离子体聚合膜的材料可举出cf4、chf3、c2h6、c3h6、c2h2、ch3f、c4h8等碳氟化合物单体、甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、丙烯、乙炔、苯、甲苯等碳氢化合物单体、氢、sf6等。特别优选由碳氟化合物单体或碳氢化合物单体构成的等离子体聚合膜。它们可以仅使用1种，也可以混合使用2种以上。

作为等离子体聚合膜的厚度，从耐擦伤性的观点考虑，优选1～100nm，更优选1～50nm，进一步优选1～10nm。

应予说明，本发明的第1方式的层叠基板10中，密合层14的玻璃基板16侧的面具有与玻璃基板16接触的中央区域14c和比中央区域14c薄且不与玻璃基板16接触的周边部的端部区域14e，在中央区域14c与端部区域14e之间具有阶差14s。

后面对该方面进行详述。

＜玻璃基板＞

玻璃基板16没有特别限制，lcd、oled和太阳能电池等电子器件中使用的公知的玻璃基板均可利用。

因此，玻璃基板16可以为一般的玻璃基板。例如，作为lcd、oled之类的显示装置用的玻璃基板，可举出由无碱硼硅酸玻璃构成的玻璃板、旭硝子株式会社制的商品名“an100”等。玻璃基板16优选耐化学试剂性、耐透湿性优异且热收缩率低的玻璃基板。作为热收缩率的指标，可使用jisr3102(1995年修订)中规定的线膨胀系数。

玻璃基板16的制造方法没有特别限制，通常是将玻璃原料熔融并将熔融玻璃成型为板状而得到的。这样的成型方法可以为一般的方法，例如可使用浮法、熔融法、流孔下引(slotdowndraw)法等。

玻璃基板16的玻璃的种类没有特别限制，优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高二氧化硅玻璃、其它以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40～90质量％的玻璃。

作为玻璃基板16的玻璃，可采用适于电子器件用构件的种类、其制造工序的玻璃。例如，从碱金属成分的溶出容易对液晶造成影响的方面考虑，液晶面板用的玻璃基板由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)构成(但是通常含有碱土金属成分)。如此，玻璃基板16的玻璃可基于所应用的器件的种类和其制造工序而适当选择。

lcd等电子器件的制造中，将玻璃基板16的主面(与密合层14相反侧的主面)与另一基板粘接时，该基板与玻璃基板16的在25～300℃下的平均线膨胀系数的差优选为10×10^-7/℃以下，更优选为3×10^-7/℃以下，进一步优选为1×10^-7/℃以下。如果差过大，则有可能在构件形成工序中的加热冷却时层叠基板10剧烈翘曲或支撑基材12与玻璃基板16发生剥离。支撑基材12的材料与玻璃基板16的材料相同时，能够抑制产生这样的问题。应予说明，可以在这些基板之间存在粘接层等不同的层。

从薄型化和/或轻量化的观点考虑，玻璃基板16的厚度优选0.5mm以下，更优选0.4mm以下，进一步优选0.2mm以下，特别优选0.10mm以下。

通过使玻璃基板16的厚度为0.5mm以下，能够对玻璃基板16赋予良好的挠性。玻璃基板16的厚度为0.2mm以下时，能够将玻璃基板16卷绕成卷状。

另外，从玻璃基板16的制造容易、玻璃基板16的处理容易等理由出发，玻璃基板16的厚度优选0.03mm以上。

进而，玻璃基板16的面积(主面的面积)没有特别限制，从电子器件的生产率的方面考虑，优选300cm²以上。

应予说明，玻璃基板16可以由2层以上构成，此时，形成各个层的材料可以为同种材料，也可以为不同种材料。另外，此时，“玻璃基板16的厚度”是指所有层的合计厚度。

如上所述，本发明的第1方式的层叠基板10中，密合层14具有与玻璃基板16接触的中央区域14c和不与玻璃基板16粘接的面方向周边部的端部区域14e(虚线b)，在将中央区域14c的厚度设为t1，将端部区域14e的厚度设为t2时，满足“t1×2/3＞t2”。进而，本发明的第1方式的层叠基板10中，在中央区域14c与端部区域14e之间具有阶差14s。

本发明的层叠基板10通过具有这样的构成，即使用于进行550℃左右这样的高温工艺的ltps－tft、氧化物tft的制造，也能够防止在密合层14产生裂纹。

如之前例示图5(a)进行说明那样，为了防止玻璃基板106的开裂等损伤，具有支撑基材102、密合层104和玻璃基板106的层叠基板100进行端部的倒角。

如果进行层叠基板100的端部的倒角，则如图5(b)所示，在密合层104的端部形成未被玻璃基板106覆盖的露出的区域104a。

本发明人等进行了深入研究，结果如上所述发现：使用这样的具有密合层104未被玻璃基板106覆盖的露出的区域104a的层叠基板100制造需要550℃左右这样的高温下的工艺的ltps－tft、氧化物tft时，在进行了高温下的工艺后的冷却时，在露出的区域104a产生裂纹，并且该裂纹延伸至密合层104的被玻璃基板106覆盖的区域。

本发明人等进一步对防止这样的裂纹的方法反复进行了深入研究。其结果发现如图1(b)所示，通过相对于与玻璃基板16接触的中央区域14c的厚度，减薄面方向周边部的不与玻璃基板16接触、即未被玻璃基板16覆盖的露出的端部区域14e的厚度，能够防止在进行高温下的工艺后在密合层14产生裂纹。具体而言，如上所述，设置在中央区域14c与端部区域14e之间具有阶差14s的明显的厚度变化位置，使端部区域14e的厚度t2小于中央区域14c的厚度t1的2/3(满足“t1×2/3＞t2”)。由此，能够降低由于支撑基材12与密合层14的端部区域14e的热膨胀系数的差而在加热后的冷却时对端部区域14e施加的应力的影响，防止在层叠基板10进行高温下的工艺后在密合层14产生裂纹。

本发明的第1方式中，如果端部区域14e的厚度t2为中央区域14c的厚度t1的2/3以上(如果为“t1×2/3≤t2”)，则无法充分地抑制在层叠基板10进行高温下的工艺后产生的裂纹。

优选端部区域14e的厚度t2为中央区域14c的厚度t1的1/2以下，更优选为1/10以下。

应予说明，端部区域14e的厚度只要在整个区域满足“t1×2/3＞t2”，则也可以混合存在厚度不同的区域。

层叠基板10的面方向的端部区域14e的长度，即，图1(b)中由虚线b表示的区域的长度可根据层叠基板10的倒角的形状、中央区域14c的厚度t1取各种长度，没有特别限制。

另外，密合层14的厚度即中央区域14c的厚度t1如上所述，在密合层14为有机层时优选1～100μm，在密合层14为无机层时优选5～5000nm，密合层14为等离子体聚合膜时优选1～100nm。

应予说明，从能够防止由在层叠基板10产生的气泡引起的制造的效率(成品率)降低的方面考虑，密合层14的厚度如上所述优选500nm以上，更优选2μm以上。根据本发明的层叠基板10，即使在将密合层14形成为这样的厚度的情况下，也能够抑制ltps－tft、氧化物tft的制造中的在进行高温下的工艺后产生的密合层14的裂纹。

特别是密合层14为有机层时，中央区域14c的厚度t1优选100μm以下，更优选30μm以下，进一步优选10μm以下。

＜层叠基板的制造方法＞

层叠基板10的制造方法没有特别限定，可利用公知的方法。

作为一个例子，进行如下工序而制造层叠基板10：在支撑基材12上形成密合层14的密合层形成工序，在密合层14上层叠玻璃基板16而得到层叠基板的层叠工序，进行层叠基板的端部的倒角的倒角工序，以及对端部区域14e进行加工的端部加工工序。

[密合层形成工序]

密合层形成工序是在支撑基材12上形成密合层14的工序。形成密合层14的方法没有特别限制，可利用公知的方法，根据构成密合层14的材料的种类而不同。

例如，密合层14为有机层时，作为制作有机层的方法，例如可举出如下方法：将含有固化性树脂的固化性树脂组合物涂布在支撑基材12上，使固化性树脂组合物固化而形成固定在支撑基材12上的密合层14的方法(涂布法)；将膜状的密合层14固定于支撑基材12的表面的方法(贴附法)等。其中，从密合层14对于支撑基材12的粘接强度更优异的方面考虑，优选涂布法。涂布法中，作为在支撑基材12的表面形成固化性树脂组合物层的方法，例如可举出将固化性树脂组合物涂布在支撑基材12表面上的方法。作为进行涂布的方法，可举出喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。

固化方法没有特别限制，可根据所使用的树脂选择最佳的固化条件。通常，作为固化方法，可利用加热处理。

另外，密合层14为无机层时，作为无机层的制造方法，可利用公知的方法。例如可举出通过蒸镀法、溅射法和cvd法等气相成膜法在支撑基材12上设置由规定的成分构成的无机层的方法。通过气相成膜法得到的无机层被固定在支撑基材12上，并且该无机层的表面能够可剥离地密合玻璃基板16。

应予说明，作为制作由碳化物(碳材料)构成的无机层的方法，例如也可举出将含有酚醛树脂等树脂成分的树脂组合物涂布在支撑基材12上并实施烧结处理使其碳化的方法。

制造条件可根据所使用的材料而适当选择最佳的条件。

[层叠工序]

层叠工序是在密合层形成工序中得到的形成的密合层14的面上层叠玻璃基板16，得到依次具备支撑基材12、密合层14和玻璃基板16的层叠基板的工序(参照图5(a))。

将玻璃基板16层叠在密合层14上的方法没有特别限制，可利用公知的方法。

例如可举出在常压环境下在密合层14的表面上重叠玻璃基板16的方法。应予说明，可以根据需要在密合层14的表面上重叠玻璃基板16后，使用辊、压力机使玻璃基板16压接于密合层14。通过利用辊或压力机的压接，可较容易地除去混入密合层14与玻璃基板16的层之间的气泡，因而优选。

如果通过真空层压法、真空加压法将玻璃基板16与密合层14压接，则可抑制气泡的混入、确保良好的密合，因而更优选。也具有如下优点：通过在真空下进行压接，即使在残留微小的气泡的情况下，也不会因加热而气泡生长，不易导致玻璃基板16的歪斜缺陷。

在层叠玻璃基板16时，优选将与密合层14接触的玻璃基板16的表面充分地清洗，在清洁度高的环境下进行层叠。清洁度越高，玻璃基板16的平坦性变得越良好，因而优选。

应予说明，在将玻璃基板16层叠后，可以根据需要进行预退火处理(加热处理)。通过进行预退火处理，所层叠的玻璃基板16对于密合层14的密合性提高，能够形成适当的剥离强度(y)，电子器件的生产率提高。

另外，在将玻璃基板16层叠后，可以根据需要进行将层叠基板切割成规定的尺寸的切割工序。

[倒角工序]

倒角工序是进行层叠有玻璃基板16的层叠基板的端部的倒角的工序(参照图5(a))。

层叠基板的端部的倒角方法没有特别限制，可利用使用玻璃基板用的倒角机的方法等公知的方法。

[端部加工工序]

如上所述，通过进行层叠有玻璃基板16的层叠基板的端部的倒角，在密合层14的端部(面方向的端部)产生未被玻璃基板16覆盖的露出的区域(参照图5(b))。

端部加工工序是对露出的密合层14的端部进行加工，以在中央区域14c与端部区域14e之间具有阶差14s的状态使端部区域14e的厚度t2小于中央区域14c的厚度t1的2/3(满足“t1×2/3＞t2”的厚度)，形成本发明的层叠基板10的工序。

对密合层14的未被玻璃基板16覆盖的端部的露出的区域进行加工，形成具有阶差的中央区域14c和端部区域14e的方法没有特别限制，可利用公知的方法。作为一个例子，可例示使用磨削机等的利用机械加工的方法、使用蚀刻气体的利用各向异性蚀刻的加工方法等。

另外，可以通过磨石形状的调节、磨削位置的调节等而与倒角工序同时进行端部加工工序。

或者，特别是以无机层形成密合层14时，在密合层形成工序中，首先，通过蒸镀法等在支撑基材12的整个面形成端部区域14e的厚度t2的厚度的密合层，接着，将端部区域14e掩盖，仅对中央区域14c进行密合层14的形成，由此预先形成具有阶差14s且使端部区域14e的厚度t2小于中央区域14c的厚度t1的2/3的密合层14，从而可以同时进行密合层形成工序和端部加工工序。该方法在后述的图4(a)和图4(c)所示的层叠基板等的制造中有效。

图2(a)概念性地示出本发明的层叠基板的第2方式的一个例子的截面图。另外，图2(b)概念性地示出图2(a)的区域b的放大图。

应予说明，图2(a)和图2(b)所示的层叠基板20除密合层的形状不同以外，与图1(a)等所示的上述的层叠基板10具有基本相同的构成，因此，对相同的构件标注相同的符号，以下的说明主要对不同的部位进行。

如图2(a)所示，该层叠基板20依次具有支撑基材12、密合层24和玻璃基板16。另外，密合层24的面方向的端面24a为凹状(凹面状)。

本发明的第2方式的层叠基板20通过具有这样的构成，与上述的第1方式的层叠基板10同样地，即使用于进行550℃左右这样的高温的工艺的ltps－tft、氧化物tft的制造，也能够防止在密合层14产生裂纹。

层叠基板20中，如上所述，支撑基材12和玻璃基板16与图1(a)等所示的上述的层叠基板10同样。

另外，密合层24也除端面的形状不同以外，形成材料、厚度等与上述的层叠基板10的密合层14同样。

在此，本发明的第2的方式的层叠基板20如图2(b)所示，密合层24的面方向的端面的形状成为凹状(凹面状)。另外，对于图示例的密合层24，作为优选的方式，玻璃基板16侧的面的整个面(图中上侧的面的整个面)与玻璃基板16接触。

层叠基板20通过密合层24的端面为凹状，与上述的层叠基板10同样地，能够降低由于支撑基材12与密合层14的热膨胀系数的差而在加热后的冷却时对密合层14的露出的区域施加的应力的影响，防止在层叠基板10进行在高温下的工艺后在密合层14产生裂纹。

密合层24的端面24a的形状如果为凹状，则可利用各种形状。因此，端面24a可以为曲面状的凹状，也可以为多边形状的凹状，还可以为将曲面和多边形组合而成的凹状。另外，形成凹状的端面24a的曲面可以部分曲率不同，同样地，多边形可以为正多边形，也可以为顶角彼此不同的多边形。

另外，密合层24的端面24a优选遍及厚度方向的整个区域为凹状。

这样的层叠基板20除对密合层24的露出的区域进行加工的端部加工工序不同以外，能够与上述的层叠基板10同样地制造。

层叠基板20的端部加工工序可利用将倒角工序中产生的具有端部(面方向的端部)未被玻璃基板16覆盖的露出的区域(参照图5(b))的密合层制成端面24a为凹状的密合层24的公知的方法。

作为一个例子，可例示通过使用蚀刻液的湿式蚀刻，对未被玻璃基板16的露出的区域进行加工，对密合层的端部进行加工，形成端面24a为凹状的密合层24的方法。另外，密合层由进行热分解的材料形成时，可例示在进行倒角加工后，通过对层叠基板进行热处理，对密合层的端部进行加工，形成端面24a为凹状的密合层24的方法。进而，通过磨石形状的调节、磨削位置的调节等，可以与倒角工序同时进行端部加工工序而形成端面24a为凹状的密合层24。

本发明的层叠基板并不限定于以上的例子，只要满足具有与玻璃基板接触的中央区域和不与玻璃基板接触的端部区域、在中央区域与端部区域之间具有阶差且中央区域的厚度t1和端部区域的厚度t2满足“t1×2/3＞t2”的构成以及密合层的端面为凹状的构成中的至少一个构成，则可利用各种构成。

图3示出其一个例子。应予说明，图3是与图1(b)等同样的将层叠基板的端部的截面图放大而概念性地示出的图。关于该方面，后述的图4(a)～图4(c)也同样。

图3所示的层叠基板是具有密合层26的层叠基板，所述密合层26具有凹状的端面26a且具有与玻璃基板16接触的中央区域26c和不与玻璃基板16接触的端部区域26e，而且端部区域26e的厚度大大薄于中央区域26c。即，本发明也可利用具有将图1(b)所示的密合层14和图2(b)所示的密合层24组合而成的密合层的构成。

此时，也优选中央区域26c的厚度t1和端部区域26e的厚度t2满足“t1×2/3＞t2”。

图1(a)和图1(b)、图2(a)和图2(b)以及图3所示的例子为具有将层叠基板的整个端面倒角成曲面状的端面的形状的例子，但这些密合层的构成也可在图6(a)等所示的仅对端部的角部进行倒角的层叠基板中利用。

另外，本发明的层叠基板并不限定于如图1(a)和图1(b)、图2(a)和图2(b)以及图3所示的层叠基板那样进行了端部的倒角的构成，未进行端部的倒角的层叠基板也可利用。

作为一个例子，如图4(a)中概念性地示出端部的截面图的层叠基板那样，可例示玻璃基板16比支撑基材12小，密合层30具有与玻璃基板16接触的中央区域30c和不与玻璃基板16接触的露出的端部区域30e，且在中央区域30c与端部区域30e之间具有阶差30s，且中央区域30c的厚度t1和端部区域30e的厚度t2满足“t1×2/3＞t2”的构成。

作为其它例子，如图4(b)中概念性示出端部的截面图的层叠基板那样，玻璃基板16比支撑基材12小，密合层30的玻璃基板16侧的面的整个面与玻璃基板16接触且密合层30的端面32a遍及厚度方向的整个区域成为凹状的构成也可利用。

进而，作为其它例子，如图4(c)中概念性地示出端部的截面图的层叠基板那样，玻璃基板16与支撑基材12的大小相同，密合层34具有与玻璃基板16接触的中央区域34c和不与玻璃基板16接触的被玻璃基板16覆盖的端部区域34e，且在中央区域34c与端部区域34e之间具有阶差34s，且中央区域34c的厚度t1和端部区域34e的厚度t2满足“t1×2/3＞t2”的构成也可利用。

这些层叠基板也可利用公知的方法制造。作为一个例子，只要通过按照上述的图1(a)等和图2(a)等所示的层叠基板的方法制造即可。

这样的本发明的层叠基板可用于各种用途。作为一个例子，可举出制造显示装置用面板、pv、薄膜二次电池、在表面形成有电路的半导体晶片等电子器件的用途等。

在此，显示装置用面板包含lcd、oled、电子纸、等离子体显示器面板、场发射面板、量子点led面板、mems(microelectromechanicalsystems)快门面板等。作为lcd，包含tn型、stn型、fe型、tft型、mim型、ips型、va型等。本发明基本上在无源驱动型和有源驱动型的任意显示装置的情况下均可利用。

本发明的电子器件的制造方法使用本发明的层叠基板制造包含玻璃基板和电子器件用构件的电子器件。

具体而言，在层叠基板的玻璃基板形成电子器件用构件而制造带电子器件用构件的层叠基板，以密合层的玻璃基板侧的界面作为剥离面从得到的带电子器件用构件的层叠基板剥离玻璃基板，由此分离为电子器件和具有密合层的支撑基材。

在层叠基板的玻璃基板上形成电子器件用构件而制造带电子器件用构件的层叠基板的工序是本发明的制造方法中的构件形成工序。

另外，以密合层的玻璃基板侧的界面作为剥离面从带电子器件用构件的层叠基板剥离玻璃基板，分离为电子器件与密合层和支撑基材的工序是本发明的制造方法中的分离工序。

以下，以使用层叠基板10的情况为例，对本发明的电子器件的制造方法的一个例子进行说明。

＜构件形成工序＞

构件形成工序是在层叠基板10的玻璃基板16(玻璃基板16的与密合层14相反的表面(玻璃基板16上))形成电子器件用构件的工序。

电子器件用构件为在层叠基板10的玻璃基板16形成而构成电子器件的至少一部分的构件。

具体而言，作为电子器件用构件，可举出显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池或在表面形成有电路的半导体晶片等电子部件等中使用的构件(例如，显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子部件用电路)。

电子器件用构件可利用与制造的电子器件对应的公知的构件。例如，作为太阳能电池用构件，在薄膜硅型时，可举出正极的氧化锡等透明电极、p层/i层/n层所示的硅层和负极的金属等，此外，可举出与化合物型、色素敏化型、量子点型等对应的各种构件等。另外，作为薄膜二次电池用构件，在锂离子型时，可举出正极和负极的金属或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等，此外，可举出与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。

另外，作为电子部件用电路用构件，在ccd、cmos等固体摄像元件时，可举出导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等。

另外，作为显示装置用构件，可举出构成oled、tft－lcd的各种构件。后面对这些进行详述。

此外，可举出与压力传感器·加速度传感器等各种传感器、刚性印刷基板、柔性印刷基板、刚性柔性印刷基板等对应的各种构件等。

本发明的构件形成工序中，电子器件用构件的形成方法没有特别限定，只要通过与形成的电子器件用构件对应的公知的方法在层叠基板10的玻璃基板16形成电子器件用构件即可。

例如，制造oled时，为了在层叠基板10的玻璃基板16形成有机el结构体，构件形成工序具有如下工序：形成透明电极的工序，在形成有透明电极的面上蒸镀空穴注入层·空穴传输层·发光层·电子传输层等的工序，形成背面电极的工序，以及使用密封板进行密封的工序等各种层的形成工序、处理工序。

这些层的形成工序、处理工序具体而言只要利用例如成膜处理、蒸镀处理、密封板的粘接处理等进行即可。

另外，例如，制造tft－lcd时，构件形成工序具有tft形成工序、cf形成工序和贴合工序。

tft形成工序是在层叠基板10的玻璃基板16上使用抗蚀液对通过cvd法和溅射法等一般的成膜法而形成的金属膜和金属氧化膜等进行图案形成而形成薄膜晶体管(tft)的工序。cf形成工序是在与tft形成工序不同的层叠基板10的玻璃基板16上将抗蚀液用于图案形成而形成滤色器(cf)的工序。贴合工序是将tft形成工序中得到的带电子器件用构件的层叠基板即带tft的层叠基板10和cf形成工序中得到的带电子器件用构件的层叠基板即带cf的层叠基板10层叠并贴合的工序。

在此，本发明中，层叠基板10的密合层14具有与玻璃基板16接触的中央区域14c和不与玻璃基板16接触的端部区域14e，且在中央区域14c与端部区域14e之间具有阶差，且中央区域14c的厚度t1和端部区域14e的厚度t2满足“t1×2/3＞t2”，即使经过550℃左右的高温下的工艺，也能够防止在密合层14产生裂纹。

因此，作为tft形成工序中形成的tft，可优选例示工艺的最高温度为550℃左右的ltps－tft和氧化物tft。关于该方面，在oled的制造中，形成tft作为开关元件的情况也同样。进而，关于以上的方面，使用密合层的端面为凹状的本发明的第2方式的层叠基板，通过本发明的制造方法制造电子器件的情况也同样。

tft形成工序和cf形成工序中，只要使用公知的光刻技术、蚀刻技术等在玻璃基板16上形成tft、cf即可。此时，可使用抗蚀液作为图案形成用的涂布液。

应予说明，制造tft－lcd时，在构件形成工序中，在形成tft、cf之前，可以根据需要对玻璃基板16进行清洗。作为清洗方法，可使用众所周知的干式清洗、湿式清洗。

贴合工序中，使带tft的层叠基板10的tft形成面与带cf的层叠基板10的cf滤色器形成面对置，使用密封剂(例如，单元形成用紫外线固化型密封剂)贴合。然后，在由带tft的层叠基板10和带cf的层叠基板10形成的单元内注入液晶材料。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法和滴加注入法。

＜分离工序＞

分离工序是由构件形成工序中得到的带电子器件用构件的层叠基板，以密合层14与玻璃基板16的界面作为剥离面，从带电子器件用构件的层叠基板分离为玻璃基板16(电子器件)与密合层14和支撑基材12而得到电子器件的工序。

将玻璃基板16与密合层14和支撑基材12剥离的方法没有特别限制。

作为一个例子，可例示在玻璃基板16与密合层14的界面插入锋利的刀具状的刀具，赋予剥离的起点，然后喷吹水与压缩空气的混合流体，进行剥离的方法。

优选以带电子器件用构件的层叠基板的支撑基材12为上侧、玻璃基板16(电子器件用构件)侧为下侧的方式配置在平台上，将玻璃基板16侧真空吸附在平台上(在两面层叠有支撑基材时依次进行)，在该状态下，首先使刀具侵入玻璃基板16与密合层14的界面。然后，将支撑基材12侧用多个真空吸附垫吸附，从插入有刀具的位置附近依次使真空吸附垫上升。这样，在密合层14与玻璃基板16的界面、密合层14的凝聚破坏面形成空气层，该空气层扩展到界面、凝聚破坏面的整个面，能够将支撑基材12容易地剥离。

剥离的起点形成、剥离可以使用激光。

另外，从玻璃基板16剥离的密合层14和支撑基材12可以与新的玻璃基板16层叠而制造本发明的层叠基板10。

应予说明，在从带电子器件用构件的层叠基板剥离形成有电子器件用构件的玻璃基板16时，通过控制利用离子发生器的喷吹、湿度，能够控制密合层14的碎片静电吸附于电子器件。

本发明的制造方法中，构件形成工序中形成的电子器件用构件可以为最终形成于玻璃基板16的全部构件(以下，称为“全部构件”)，也可以为全部构件的一部分(以下，称为“部分构件”)。

构件形成工序中形成全部构件时，作为一个例子，制作在玻璃基板16形成有全部构件的层叠基板10，然后，从在玻璃基板16形成有全部构件的层叠基板10剥离密合层14和支撑基材12而制造电子器件。另外，也可以将在玻璃基板16形成有全部构件的层叠基板10组合2张，然后，从2张层叠基板10剥离密合层14和支撑基材12，制成形成有电子器件用构件的玻璃基板16。进而，对于从密合层14剥离的形成有全部构件的玻璃基板16，可以在其剥离面(与密合层14接触的面)形成其它电子器件用构件。

另一方面，在构件形成工序中形成部分构件时，作为一个例子，制作在玻璃基板16形成有部分构件的层叠基板10，然后，从在玻璃基板16形成有部分构件的层叠基板10剥离密合层14和支撑基材12，制成形成有部分构件的玻璃基板16。也可以将该形成有部分构件的玻璃基板16作为其后的工序中形成有全部构件的玻璃基板16。

应予说明，上述的电子器件的制造方法为使用作为本发明的层叠基板的第1方式的层叠基板10的例子，但使用作为本发明的层叠基板的第2的方式的层叠基板20等时，也能够同样地制造电子器件。

以上，对本发明的层叠基板和电子器件的制造方法详细地进行了说明，但本发明并不限定于以上的例子，当然可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种改良、变更。

实施例

以下，通过实施例等对本发明具体地进行说明，但本发明并不受这些例子限制。

＜实施例1＞

[树脂的合成]

在1升的烧瓶中加入三乙氧基甲基硅烷179g、甲苯300g、乙酸5g，在25℃搅拌20分钟后，加热至60℃使其反应12小时。

冷却至25℃后，加入水300g将反应粗液清洗3次。从反应粗液减压馏去甲苯而形成浆料状态后，利用真空干燥机干燥过夜，由此得到白色的有机聚硅氧烷化合物即树脂1。

[涂布溶液的制备]

将20g的树脂1、作为固化催化剂的乙酰丙酮铝(iii)(东京化成工业株式会社制)0.6g、作为溶剂的丙二醇1－单甲基醚2－乙酸酯(关东化学株式会社制)30g混合后，用孔径0.45μm的注射器式过滤器进行过滤，得到涂布溶液1。

[层叠基板的制作]

作为支撑基材，准备200×200mm、厚度0.5mm的玻璃板(旭硝子株式会社制，an100)。

通过旋涂法将涂布溶液1涂布于支撑基材的一面，使用加热板在100℃加热10分钟。然后，使用烘箱，在大气下，在250℃加热30分钟，在支撑基材12的一面形成膜厚6μm的由有机硅树脂层构成的密合层(密合层形成工序)。

另一方面，作为玻璃基板，准备200×200mm、厚度0.2mm的玻璃板(旭硝子株式会社制，an100)。

将该玻璃基板放置在密合层(有机硅树脂层)上，用贴合装置贴合，制作层叠基板(层叠工序)。

将得到的层叠基板的4个边从基板端各切掉20mm后，使用玻璃基板用倒角机对端部进行倒角加工(倒角工序，参照图5(a))。用扫描型电子显微镜观察经倒角加工的层叠基板的端部的截面，结果得到如图5(b)所示的在端部具有密合层不与玻璃基板接触的部分(露出的区域104a)的层叠基板。

[密合层端部的加工]

将制作的层叠基板的端部浸渍于氢氟酸系蚀刻液，对层叠基板的端部的密合层(有机硅树脂层)进行蚀刻(端部加工工序)，制作层叠基板。

用扫描型电子显微镜观察基板端部的截面，结果密合层被蚀刻，密合层的端面如图2(b)所示那样成为凹状的形状。

＜实施例2＞

[树脂的合成]

在1升的烧瓶中加入三乙氧基甲基硅烷150g、二乙氧基二甲基硅烷21g、甲苯250g、乙酸7g，在25℃搅拌20分钟后，加热至100℃使其反应12小时。

冷却至25℃后，加入水300g将反应粗液清洗3次。从反应粗液减压馏去甲苯而形成浆料状态后，用真空干燥机干燥过夜，由此得到白色的有机聚硅氧烷化合物即树脂2。树脂2的t单元的个数：d单元的个数＝86：14(摩尔比)。

[涂布溶液的制备]

使用树脂2，除此以外，与实施例1同样地制备涂布溶液(涂布溶液2)。

[层叠基板的制作]

使用涂布溶液2，除此以外，与实施例1同样地进行密合层的形成、玻璃基板的层叠和倒角，制作层叠基板。应予说明，作为密合层的有机硅树脂层的厚度为6μm。

用扫描型电子显微镜观察经倒角加工的层叠基板的端部的截面，结果得到如图5(b)所示的在端部具有密合层不与玻璃基板接触的部分(露出的区域104a)的层叠基板。

[密合层端部的加工]

将制作的层叠基板的端部浸渍于有机硅溶解剂ksr－2(关东化学株式会社制)，对层叠基板的端部的密合层(有机硅树脂层)进行湿式蚀刻，制造层叠基板。

用扫描型电子显微镜观察基板端部的截面，结果密合层被蚀刻，密合层的端面如图2(b)所示那样成为凹型的形状。

＜实施例3＞

[树脂的合成]

在1升的烧瓶中加入三乙氧基甲基硅烷179g、甲苯300g、乙酸5g，在25℃搅拌20分钟后，加热至60℃使其反应12小时。

冷却至25℃后，加入水300g将反应粗液清洗3次。在反应粗液加入三甲基氯硅烷70g，在25℃搅拌20分钟后，加热至50℃使其反应12小时。冷却至25℃后，加入水300g将反应粗液清洗3次。从反应粗液减压馏去甲苯而制成浆料状态后，用真空干燥机干燥过夜，由此得到白色的有机聚硅氧烷化合物即树脂3。树脂3的t单元的个数：m单元的个数＝87：13(摩尔比)。

[涂布溶液的制备]

使用树脂3，除此以外，与实施例1同样地制备涂布溶液(涂布溶液3)。

[层叠基板的制作]

使用涂布溶液3，除此以外，与实施例1同样地进行密合层的形成、玻璃基板的层叠和倒角而制作层叠基板。应予说明，作为密合层的有机硅树脂层的厚度为10μm。

[密合层端部的加工]

使用烘箱，将制作的层叠基板在大气下在400℃加热60分钟，使端部的密合层(有机硅树脂层)热分解而制造层叠基板。

用扫描型电子显微镜观察基板端部的截面，结果层叠基板的端部的密合层被热分解，密合的端面如图2(b)所示那样成为凹型的形状。

＜实施例4＞

[层叠基板的制作]

作为支撑基材，准备100×100mm、厚度0.5mm的玻璃板(旭硝子株式会社制，an100)。

使用磁控溅射法在该支撑基材的一面形成膜厚500nm的由ito层构成的密合层。

另一方面，作为玻璃基板，准备100×100mm、厚度0.2mm的玻璃板(旭硝子株式会社制，an100)。

将该玻璃基板放置在密合层(ito层)上，用贴合装置贴合，制作层叠基板。

将得到的层叠基板的4个边从基板端各切掉10mm后，使用玻璃基板用倒角机对端部进行倒角加工。

[密合层端部的加工]

将制作的层叠基板的端部浸渍于由盐酸和氯化铁构成的蚀刻液，对层叠基板的端部的密合层(ito层)进行蚀刻而制造层叠基板。

用扫描型电子显微镜观察基板端部的截面，结果层叠基板的端部的密合层被蚀刻，密合层的端面如图2(b)所示那样成为凹型的形状。

＜实施例5＞

[层叠基板的制作]

与实施例4同样地将支撑基材(玻璃板)、密合层(ito层)和玻璃基板(玻璃板)层叠而制作以ito层为粘接层的层叠基板，对基板端部进行倒角加工。

用扫描型电子显微镜观察经倒角加工的层叠基板的端部的截面，得到如图5(b)所示的在端部具有密合层不与玻璃基板接触的部分(露出的区域104a)的层叠基板。

[密合层端部的加工]

将制作的层叠基板放入干式蚀刻装置，使用氩和四氟化碳对层叠基板的端部的密合层(ito层)进行蚀刻而制作层叠基板。

用扫描型电子显微镜观察层叠基板端部的截面，结果不与玻璃基板接触的密合层被蚀刻，密合层的端部成为如图1(b)所示的具有阶差的形状。经蚀刻的区域(端部区域)的膜厚为50nm。

＜实施例6＞

[层叠基板的制作]

作为支撑基材，准备100×100mm、厚度0.5mm的玻璃板(旭硝子株式会社制，an100)。

使用磁控溅射法在该支撑基材的一面形成膜厚500nm的由ico层构成的密合层。应予说明，该磁控溅射法中，作为靶材料，使用将氧化铟和氧化铈混合·烧结而成的物质，各自的含量是相对于氧化铟和氧化铈的合计质量，氧化铟为80质量％，氧化铈为20质量％。得到的无机层中的铈元素的含量相对于无机层中的总金属元素为12at％。

另一方面，作为玻璃基板，准备100×100mm、厚度0.2mm的玻璃板(旭硝子株式会社制，an100)。

将该玻璃基板放置在密合层(ico层)上，用贴合装置贴合，制作层叠基板。将得到的层叠基板的4个边从基板端各切掉10mm后，使用玻璃基板用倒角机对端部进行倒角加工。

[密合层端部的加工]

将制作的层叠基板放入干式蚀刻装置，使用氩和四氟化碳对层叠基板的端部的密合层(ito层)进行蚀刻而制作层叠基板。

＜比较例1＞

将实施例1的层叠基板中未进行密合层端部的加工(湿式蚀刻)的层叠基板作为比较例1。应予说明，该层叠基板的密合层为有机硅树脂层。