1.一种半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
制作耐高温胶层：将聚酰亚胺膜的双面进行差异性涂胶；
耐高温基板钻孔：取耐高温基板并对耐高温基板钻孔；
胶体贴合：将所述聚酰亚胺膜与所述耐高温基板贴合，得到半成品治具；
脱泡处理：将所述半成品治具执行脱泡处理操作。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述制作耐高温胶层的步骤进一步包括：
贴附离型膜：将差异性涂胶完成的所述聚酰亚胺膜贴附离型膜；
模切冲型：将贴附离型膜后的所述聚酰亚胺膜贴进行模切冲型，打出第一排气结构及第一定位结构，得到耐高温胶层。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述耐高温基板钻孔的步骤进一步包括：
在所述耐高温基板上打出与所述第一排气结构及所述第一定位结构匹配的第二排气结构和第二定位结构。
4.根据权利要求2所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述差异性涂胶的步骤进一步包括：
将所述聚酰亚胺膜的一面涂胶为高粘层，另一面涂胶为低粘层；
所述高粘层的厚度均大于所述聚酰亚胺膜及所述低粘层的厚度；
所述高粘层的粘性大于所述低粘层的粘性。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述脱泡处理的步骤进一步包括：
将所述半成品治具放入真空脱泡箱内；
设定所述真空脱泡箱压强为5-8mpa；
设定所述真空脱泡箱温度为40-60摄氏度；
将所述半成品治具脱泡10-20分钟。
6.根据权利要求4所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述胶体贴合的步骤进一步包括：
根据所述第一定位结构及所述第二定位结构将所述耐高温胶层与所述耐高温基板贴合；
将所述高粘层的离型膜撕掉，贴附所述耐高温基板，并保留所述低粘层的离型膜。
7.根据权利要求4所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述差异性涂胶的步骤进一步包括：
使用卷对卷辊涂方式执行差异性涂胶；
当涂胶完成后，将所述耐高温胶层于180℃下固化30-50分钟；
当固化完成后，贴附所述离型膜。
8.根据权利要求3所述的半导体芯片高温承载治具的加工工艺，其特征在于：所述第一排气结构及所述第二排气结构呈阵列式排布。
9.一种半导体芯片高温承载治具，其特征在于，包括：耐高温基板（10）、耐高温胶层、第二定位结构（41）及第二排气结构（42）；
所述耐高温胶层包括聚酰亚胺膜（22）及设于聚酰亚胺膜（22）两面的高粘层（21）及低粘层（23）；
所述耐高温胶层上开设有第一定位结构（31）和第一排气结构（32）；
所述耐高温基板（10）开设有第二定位结构（41）和第二排气结构（42）；
所述耐高温基板（10）通过所述高粘层（21）与所述聚酰亚胺膜（22）连接。
10.根据权利要求9所述的半导体芯片高温承载治具，其特征在于：所述第一排气结构（32）的面积不小于所述耐高温胶层面积的10%；
所述第二排气结构（42）的面积不小于所述耐高温基板（10）面积的10%；
所述耐高温基板（10）材质为fr4，厚度为0.5-2mm。