透射激光束的检测方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及透射激光束的检测方法，在向被加工物照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束时，检测透过了被加工物的激光束。
【背景技术】
[0002]公知有如下的加工方法:将对于半导体晶片或光器件晶片等板状的被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部而对被加工物照射激光束，在被加工物内部形成作为断裂起点的改质层，并对被加工物施加外力而将被加工物分割成各个芯片。
[0003]在该加工方法中，激光束几乎在被加工物的内部被吸收，但会产生透射到与激光束的照射面(第I面)相反侧的被加工物的第2面的所谓漏光(例如，参照日本特开2012-59989号公报)。
[0004]由激光振荡器振荡出激光束，经过由各种光学部件构成的光学系统和聚光器而照射到被加工物，但因光学系统的设置，存在激光束的截面的强度分布成为在径向上并不对称的扁圆的分布的情况。
[0005]如果利用这种激光束加工被加工物，则有可能会形成难以断裂的改质层，或者漏光的产生范围会扩展，漏光溢出分割预定线而对器件造成不良影响。
[0006]专利文献I:日本特开2012-59989号公报
[0007]以往，由于无法直接确认漏光，因此利用器件芯片的不良率来确认漏光的影响，但由于对各器件芯片的电特性的评价是非常耗费工时的评价，因此确认漏光的状态并不容易O
【发明内容】
[0008]本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于，提供一种透射激光束的检测方法，能够容易且低价地确认漏光的状态。
[0009]根据本发明，提供一种透射激光束的检测方法，将对于包含第I面和与该第I面相反侧的第2面的板状的被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部，从第I面侧照射该激光束，对透射到该第2面侧的激光束进行检测，其特征在于，该透射激光束的检测方法具有如下的步骤:感光片定位步骤，使具有感光层的感光片的该感光层与被加工物的该第2面相对，并利用卡盘工作台的保持面隔着该感光片保持被加工物;激光束照射步骤，在实施了该感光片定位步骤之后，从被加工物的该第I面侧照射该激光束；以及确认步骤，在实施了该激光束照射步骤之后，借助形成于该感光片的该感光层的感光反应区域来确认透射激光束的状态。
[0010]优选在该感光片定位步骤中，该感光片隔着具有透光性的液体的层而粘接于被加工物的该第2面。
[0011]根据本发明，对感光片的感光层以使其与被加工物的第2面相对的方式进行定位而观察从第I面照射了激光束后的感光片，从而能够容易且低价地确认在对被加工物的第I面照射激光束时的透射激光束(漏光)的状态。其结果为，能够有效地进行对能够抑制漏光的加工条件的选定。
[0012]由于能够根据感光层的种类，根据感光层的颜色的变化来确认漏光的能量分布，因此本发明能够应用于对照射到被加工物的激光束的能量分布的检查，对于光学系统的设置的调整也非常有效。
【附图说明】
[0013]图1是适合实施本发明的透射激光束的检测方法的激光加工装置的立体图。
[0014]图2是说明激光束照射步骤的框图。
[0015]图3是半导体晶片的正面侧立体图。
[0016]图4的(A)是说明感光片定位步骤的分解立体图，图4的(B)是其立体图。
[0017]图5是示出激光束照射步骤的剖视图。
[00?8]图6的(A)是不出基于漏光的感光层的感光反应的一例的俯视图，图6的(B)是不出漏光的能量分布的图。
[0019]图7的(A)是示出基于漏光的感光层的感光反应的另一例的俯视图，图7的(B)是示出漏光的能量的图。
[0020]标号说明
[0021 ] 2:激光加工装置；11:半导体晶片；23:感光片;27:感光层;27a:感光反应区域;28:卡盘工作台；29:改质层;31:漏光(透射激光束)；68:光学系统；72:掩模;73:针孔;74:聚光透镜。
【具体实施方式】
[0022]以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。若参照图1，示出适合实施本发明的透射激光束的检测方法的激光加工装置2的立体图。激光加工装置2包含以能够在X轴方向上移动的方式搭载在静止基台4上的第I滑动块6。
[0023 ]第I滑动块6借助由滚珠丝杠8和脉冲电动机1构成的加工进给机构12而沿着一对导轨14在加工进给方向、S卩X轴方向上移动。
[0024]第2滑动块16以能够在Y轴方向上移动的方式搭载在第I滑动块6上。即，第2滑动块16借助由滚珠丝杠18和脉冲电动机20构成的分度进给机构22而沿着一对导轨24在分度方向、即Y轴方向上移动。
[0025]在第2滑动块16上隔着圆筒支承部材26搭载有卡盘工作台28，卡盘工作台28能够旋转，并且能够借助加工进给机构12和分度进给机构22在X轴方向和Y轴方向上移动。
[0026]在卡盘工作台28上设置有夹持环状框架的夹具30，该环状框架隔着划片带对由卡盘工作台28吸引保持的半导体晶片进行支承。
[0027]在静止基台4上竖立设置有柱32，在该柱32上安装有激光束照射单元34。激光束照射单元34如图2所示那样包含收纳在外壳33中的激光束产生单元35、光学系统68以及安装于外壳33的前端的聚光器36。
[0028]激光束产生单元35包含振荡出YAG激光或者YV04激光的激光振荡器62、重复频率设定机构64以及脉冲宽度调整机构66。虽然未特别图示，但激光振荡器62具有布鲁斯特窗，从激光振荡器62射出的激光束是直线偏光的激光束。
[0029]从激光束产生单元35的激光振荡器62振荡出的脉冲激光束LB是对于图3所示的半导体晶片11具有透过性的波长的激光束，具有例如1064nm的波长。从激光束产生单元35的激光振荡器62振荡出的脉冲激光束LB穿过由多个光学部件构成的光学系统68并入射到聚光器36 ο
[0030]入射到聚光器36的脉冲激光束LB被反射镜70反射，穿过掩模72的针孔73且借助聚光透镜74对保持在卡盘工作台28上的半导体晶片11进行照射。
[0031]若再次参照图1，在外壳33的前端部配设有摄像单元38，该摄像单元38与聚光器36在X轴方向上排列而检测应该进行激光加工的加工区域。摄像单元38包含借助可见光来拍摄半导体晶片的加工区域的通常的CCD等摄像元件。
[0032]摄像单元38还包含:红外线照射机构，其对半导体晶片照射红外线；光学系统，其捕捉由红外线照射机构照射的红外线；以及由红外线CCD等红外线摄像元件构成的红外线摄像机构，其输出与由该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号，摄像单元38拍摄到的图像发送给控制器(控制机构)40。
[0033]控制器40由计算机构成，具有根据控制程序进行运算处理的中央处理装置(CPU)42、保存控制程序等的只读存储器(