一种提高闪存存储性能的方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种提高闪存存储性能的方法和装置。
【背景技术】
[0002]在由一层浮栅加一层控制栅所组成的闪存结构中，提高数据的存储性能一直是一项挑战，数据的擦除性能和存储性能存在天生地矛盾，数据的擦除性能与存储性能此消彼长。在对擦除性能有较高要求的应用中，往往由于追求较快的擦除速度和性能，而牺牲存储数据的保持能力；相反追求较高的数据存储能力，就会对擦除性能造成抑制。
[0003]传统提高闪存存储性能的方法是通过调整闪存结构中浮栅周边绝缘层的厚度，比如绝缘层下放的隧穿氧化层，或者周边及上方的绝缘层，从而使充入的电子不易从浮栅中跑掉，提尚数据的存储能力。
[0004]然而这种方法存在弊端，在提高闪存存储性能的同时，擦除性能也会受到很大的影响，严重影响擦除速度，在某些对擦除速度要求比较高的领域中受到很大限制
[0005]因此，在很多对擦除和存储都有较高要求的领域中，需要打破这种限制，使擦除速度和存储能力都达到较高的水准。
【发明内容】
[0006]本发明提供一种提尚闪存存储性能的方法和装置，以解决在提尚闪存存储性能的同时，影响擦除速度的问题。
[0007]为了解决上述问题，本发明提供了一种提高闪存存储性能的方法，包括:
[0008]将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份；
[0009]将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布；
[0010]使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中充入的电子。
[0011]优选地，所述将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份，包括:
[0012]将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为多份。
[0013]优选地，所述将待注入到闪存的浮栅中的固定剂量和能量的离子划分为多份，包括:
[0014]将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为第一份离子和第二份离子。
[0015]优选地，所述将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布，包括:
[0016]先将所述第一份离子注入到所述浮栅中之后，再将所述第二份离子注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布。
[0017]优选地，所述将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布，包括:
[0018]将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度按照所述浮栅自上至下的顺序呈现由大变小的梯度分布。
[0019]本发明还提供了一种提高闪存存储性能的装置，包括:
[0020]离子划分模块，用于将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份；
[0021]离子注入模块，用于将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布；
[0022]电子吸附模块，用于使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中充入的电子。
[0023]优选地，所述离子划分模块将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为多份。
[0024]优选地，所述离子划分模块将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为第一份离子和第二份离子。
[0025]优选地，所述离子注入模块先将所述第一份离子注入到所述浮栅中之后，再将所述第二份离子注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布。
[0026]优选地，所述离子注入模块将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度按照所述浮栅自上至下的顺序呈现由大变小的梯度分布。
[0027]与现有技术相比，本发明包括以下优点:
[0028]首先，将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份，将划分后的多份离子分多次注入到浮栅中，以使浮栅中的离子浓度呈现梯度分布，浓度呈现梯度分布的离子使浮栅中形成固有的内电场，增加了吸附浮栅中充入的电子的能力。
[0029]而且，没有改变浮栅周边绝缘层的厚度，对闪存的擦除性能没有造成影响。
【附图说明】
[0030]图1是本发明实施例中的闪存的浮栅中离子分布示意图；
[0031]图2是本发明实施例一中的一种提高闪存存储性能的方法流程图；
[0032]图3是本发明实施例二中的一种提高闪存存储性能的方法流程图；
[0033]图4是本发明实施例二中的向浮栅中分布注入离子的示意图；
[0034]图5是本发明实施例三中的一种提高闪存存储性能的装置结构图；
[0035]图6是本发明实施例四中的一种提高闪存存储性能的装置结构图。
【具体实施方式】
[0036]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0037]本发明通过调整闪存的浮栅中每次注入离子的能量，使浮栅中的离子浓度呈梯度分布，从而在浮栅内部形成内电场E，使电子在充入浮栅的时候，在内电场的作用下不易脱离浮栅而造成数据丢失。如图1所示，圆形加号为注入到浮栅中的离子。
[0038]同时，由于浮栅中注入的离子总量不变，整体浓度没有变化，从而使闪存的擦除性能不会变差。
[0039]下面通过列举几个具体的实施例详细介绍本发明提供的一种提高闪存存储性能的方法和装置。
[0040]实施例一
[0041 ] 本发明实施例一提供了一种提尚闪存存储性能的方法。
[0042]参照图2，示出了本发明实施例一中的一种提高闪存存储性能的方法流程图。
[0043]步骤100，将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份。
[0044]将待注入到闪存的浮栅中的一定量的离子划分为多份，例如，将一定量A的离子划分为Al和A2份。
[0045]步骤102，将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布。
[0046]例如，将上述Al份的离子和A2份的离子分别注入到浮栅中，可以先注入Al份，后注入A2份，也可以先注入A2份，后注入Al份，具体可以根据实际情况设定注入顺序，以使浮栅中注入的离子的浓度呈现梯度分布的情况。
[0047]步骤104，使用所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中充入的电子。
[0048]浓度呈现梯度分布的离子可以在浮栅内部形成内电场，在内电场的作用下，用于在闪存中存储数据的电子不容易从浮栅中脱离，即提高了浮栅中电子的吸附能力，也就是提尚了闪存的存储性能。
[0049]本发明实施例通过采用上述方案，将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份，将划分后的多份离子分多次注入到浮栅中，以使浮栅中的离子浓度呈现梯度分布，浓度呈现梯度分布的离子使浮栅中形成固有的内电场，增加了吸附浮栅中充入的电子的能力。
[0050]而且，没有改变浮栅周边绝缘层的厚度，对闪存的擦除性能没有造成影响。
[0051]实施例二
[0052]详细介绍本发明实施例提供的一种提高闪存存储性能的方法。
[0053]参照图3，示出了本发明实施例二中的一种提高闪存存储性能的方法流程图。
[0054]步骤200，将待注入到闪存的浮栅中的离子划分为多份。
[0055]将待注入到闪存的浮栅中的一定量的离子划分为多份，例如，将一定量A的离子划分为Al和A2份。
[0056]优选地，所述步骤200可以为:
[0057]将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为多份。
[0058]例如，将待注入到闪存的浮栅中的固定能量的离子划分为第一份离子和第二份离子。
[0059]将注入到浮栅中的固定剂量的离子划分为多份，用不同能量注入，使之存在浓度梯度，形成内部电场。而浮栅中的总体离子总量不变。
[0060]所述固定能量是相对于不采用本发明技术方案向浮栅中注入离子的能量而言。例如，不采用本发明技术方案向浮栅中注入能量为N的离子，本发明技术方案仍然向浮栅中注入能量为N的离子。
[0061]步骤202，将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布。
[0062]例如，将上述Al份的离子和A2份的离子分别注入到浮栅中，可以先注入Al份，后注入A2份，也可以先注入A2份，后注入Al份，具体可以根据实际情况设定注入顺序，以使浮栅中注入的离子的浓度呈现梯度分布的情况。
[0063]优选地，所述步骤202可以为:
[0064]将划分后的多份离子分多次注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度按照所述浮栅自上至下的顺序呈现由大变小的梯度分布。
[0065]如图4所示，圆形加号为注入到浮栅中的离子。分两步向浮栅中注入离子，离子注入前浮栅中的离子浓度为零；第一步注入后浮栅中的离子浓度增加，但是整个浮栅中离子浓度呈现均匀分布的状态；第二步注入后浮栅中的离子浓度进一步增加，但是整个浮栅中离子浓度不再呈现均匀分布的状态，而是按照浮栅自上至下的顺序呈现离子浓度由大变小的梯度分布。
[0066]例如，先将所述第一份离子注入到所述浮栅中之后，再将所述第二份离子注入到所述浮栅中，以使所述浮栅中的离子浓度呈现梯度分布。
[0067]所述浓度呈现梯度分布的离子吸附所述浮栅中充入的电子的能力强于浓度呈现均匀分布的离子吸附浮栅中充入的电子的能力。
[0068]浓度呈现梯度分布的离子可以在浮栅内部形成内电场，在内电场的作用下，用于在闪存中存储数据的电子不容易从浮栅中脱离，即提高了浮栅中电