1)V-grooveV型槽
1.Research on Fabrication Technology of Silicon V-groove with High Precision;高精度Si-V型槽的制备技术研究
2.Design and Fabrication of Silicon Micro-bench with V-groove for Coupling;耦合用硅片V型槽的设计与制作
3.A mechanics of contact and radial crushing strength are used to analyze the force properties of the photonic crystal fiber which is placed in the V-groove.运用接触力学和圆环压溃强度理论对由V型槽固定的光子晶体光纤进行了受力分析。
英文短句/例句
1.Research on Hydraulic Valve with V-Groove on CFD Numerical Analysis;基于CFD解析具有V型槽的液压滑阀特性研究
2.Design and Analysis Micro V-groove Fly-cutting System Based on Conventional Lathe基于普通车床的微V型槽飞切装置分析与设计
3.v groove mos devicev 槽型栅金属氧化物半导体掐
4.v groove mos transistorv 槽型栅金属氧化物半导体晶体管
5.v groove isolation polycrystal backfilv 型隔离槽的多晶硅填充
6.Application of Double V-Trough Drainage to Debris Flow of Lions Tail River in Yunlong County,Yunnan Province云南省云龙县城狮尾河泥石流复式V型排导槽优化设计研究
7.Design Method of Light Guide Plate with V-Cut Slot Microstructure导光板中一种V-Cut槽结构的设计方法
8.Dynamic Numerical Simulation for the Mechanism of V-shaped Notch BlastingV形刻槽爆破机理动态数值模拟分析
9.Laser measurement and evaluation for brittle/ductile cutting of micro/nano scale V-shaped groove微纳V槽脆/塑性域切削的3D激光检测及评价
10.Experimental study of V-groove drag reduction effect in long-distance transportation pipeline长输管道中V形沟槽减阻效果的试验研究
11.Charpy V-notch toughness夏比v型缺口冲击韧性
12.chev(e)ron ring人字密封圈, v型圈
13.The circular arc wiring duct also called it separates wiring duct /the insulation wiring duct /seal type wiring duct /arc the circular arc wiring duct /walk wiring duct.圆弧线槽也称之为圆弧型隔线槽/绝缘线槽/密封式线槽/弧线槽/走地线槽。
14.production-scale cell生产用电解槽,大型电解槽
15.Slot-type Design for 10KA Rare Earth Molten Salt Electrolysis Cell;10KA底部阴极稀土熔盐电解槽槽型设计
16.Belt drives--Pulleys for classical and narrow V-belts drives(system based on datum width)--Geometrical inspection of groovesGB/T11356.1-1997带传动普通及窄V带传动用带轮(基准宽度制)槽形检验
17.This then allows the lower plate lug to make contact of its two corners with the slanting walls of "V" groove.这便于下面的极板年的两角与“V”字形沟槽的两个倾斜的壁相接触。
18.Belt drives--Pulleys for classical and narrow V-belts drives(system based effective width)--Geometrical inspection of groovesGB/T11356.2-1997带传动普通及窄V带传动用带轮(有效宽度制)槽形检验
相关短句/例句
V grooveV型槽
1.V grooves fabricated in LiNbO3 substrates via its the special characteristics is suggested.本文主要研究外加电场极化法制备周期极化铌酸锂晶体(PPLN)的技术和应用，并利用周期极化铌酸锂晶体具有的特殊化学性质，提出在局部畴反转的铌酸锂衬底上刻制出V型槽的方法，这种V型槽将用于简化铌酸锂光电器件的耦合封装。
3)V slotV型槽，V形槽
4)V-grooveV型沟槽
1.The effects of the tip shape of V-groove on drag reduction and flow field characteristics by numerical analysis;V型沟槽尖峰形状对减阻效果及流场特性影响的数值分析
2.The flow in turbulent boundary layer and the viscous drag over V-groove surface are numerically simulated using the RANS formula and RNG k-ε turbulence model.采用雷诺平均N-S方程和RNGk-ε湍流模型计算V型沟槽面的湍流边界层流动和粘性阻力,研究了沟槽尖峰形状和雷诺数对减阻效果的影响规律,初步分析了沟槽面减阻机理。
3.The flow in turbulent boundary layer and the viscous drag over V-groove surface are numerically simulated by using the RANS formula and RNG-turbulence model.采用雷诺平均N-S方程和RNGk-ε湍流模型计算V型沟槽面的湍流边界层流动和黏性阻力,通过改变来流速度大小和沟槽面布置位置,研究了雷诺数对沟槽减阻特性的影响规律。
5)silicon V-groove硅V型槽
1.One-dimension optical fiber array with silicon V-grooves;采用硅V型槽的一维光纤阵列的研制
6)vee cuttingV型拉槽
1.An example of the application of vee cutting blasting technology in the cutting excavation of a certain highway in Anhui Province is introduced in this paper, and the design of blast-hole arrangement, blasting parameters, initiating network,stemming and safety measures are presented.以中深孔V型拉槽爆破技术在安徽省滁宁高速公路路堑开挖中应用为例,讨论了V型拉槽爆破的炮孔布置、爆破参数选择、起爆网路设计和爆破安全评估等技术问题。
延伸阅读
V型槽金属-氧化物-半导体集成电路 在硅片表面上刻蚀出V型凹槽,并利用双扩散或外延生长等工艺在槽内制作的MOS集成电路，称为 VMOS电路。 基本原理 有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50％的溶液、18克分子浓度的KOH等，对硅的腐蚀速率为[100]＞[110]＞[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707，每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液，对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率，可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽，后者则为U形槽。 结构 经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型（或U型）槽有一定倾角，所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层，是为了增加击穿电压并减少输出电容。 应用和发展 VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度，获得自对准（由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定）的短沟道结构，可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路（见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路）技术兼容。但是,这种工艺比较复杂，[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外，对其他产品尚未推广应用。另一方面，VMOS晶体管由于沟道短，宽长比可以做得很大，没有二次击穿效应，而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面，在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻，又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管，通过选择合适的外延层（电阻率和厚度）、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦，减少电场集中效应，能提高击穿电压。同时，在栅极加正电压时，栅漏覆盖区变为累积层，也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
