1)ECMP电化学机械抛光
1.Advanced Process Control Extends ECMP Process Consistency;先进的工艺流程控制拓展电化学机械抛光工艺相容性(英文)
2.A new electrochemical mechanical polishing(ECMP) procedure was presented.介绍了一种使用螺旋式线型工具电极的电化学机械抛光新工艺。
英文短句/例句
1.ECMP of Cu in the Preparation Process of ULSIULSI制造中Cu的电化学机械抛光
2.Study on Electrochemical Mechanism and Polishing Rate of Chemical-Mechanical Polishing of Copper;铜化学-机械抛光电化学机理与抛光速率的研究
3.A Test Study On Electrochemical Mechanical Finishing D60 Tungsten SteelD60钨钢电化学机械复合抛光试验研究
4.Electroplate and chemical mechanical polishing technology of ULSIVLSI的电镀和化学机械抛光技术
5.Study on Conditioner for Polishing Pad in CMP;化学机械抛光用抛光垫修整器的研究
6.Study on Electrochemistry and Polishing Rate of Chemical Mechanical Polishing of Semiconductor Silicon Wafer;半导体硅片化学机械抛光电化学与抛光速率研究
7.Study on Chemical Mechanical Polishing of Tantalum Lithium Crystal Wafer;光电子材料钽酸锂晶片化学机械抛光过程研究
8.Study on and Fabrication of Chemical Mechanical Polishing Tester with Electrochemical Testing System;化学机械抛光电化学测试试验台的研制
9.Application of chemical mechanical polishing on the finish machining化学机械抛光技术及其在电子制造中的应用
10.Study on Conditioning Technology of Polishing Pad in CMP;化学机械抛光中抛光垫修整技术的研究
11.Chemical mechanical polishing for silicon wafer by composite abrasive slurry利用复合磨粒抛光液的硅片化学机械抛光
12.Study on CMP Slurry of CVD Diamond Film;CVD金刚石膜化学机械抛光液的研制
13.Material removal characteristic of silicon wafers in chemical mechanical polishing单晶硅片化学机械抛光材料去除特性
14.The Study of the CMP Technology of SiO_2 ILD in ULSI;超大规模集成电路二氧化硅介质层的化学机械抛光技术的研究
15.Research for Aluminum Interconnected Line and Aluminum Plug Chemical Mechanical Polishing in ULSI;甚大规模集成电路中铝布线及铝插塞化学机械抛光的研究
16.A Study on the CMP of Coper for Mulilevel Metallization in ULSI;甚大规模集成电路铜布线工艺中化学机械抛光技术的研究
17.Influence of abrasive and chemical composition on chemo-mechanical polishing of MgO single crystal substrate抛光液中磨料和化学成分对单晶MgO基片化学机械抛光的影响
18.Study on Pad Properties & Effects on Processing in CMP;抛光垫特性及其对化学机械抛光效果影响的研究
相关短句/例句
chemical-mechanical polishing machine化学机械抛光机
3)chemical mechanical polishing化学机械抛光(CMP)
4)chemical mechanical polishing(CMP)化学机械抛光(CMP)
5)chemical mechanical polishing(CMP)化学机械抛光
1.Presents a sequence of order-of-magnitude calculations based on the concepts of chemical kinetics and transport phenomena during the chemical mechanical polishing(CMP) process.考虑抛光液/芯片的相界面氧化剂浓度和芯片氧化薄膜缺陷对材料去除机理的影响,提出化学机械抛光(CMP)中材料去除机理的量级估算方法,应用化学动力学及传质学等理论估算氧化薄膜的扩散深度量级和生成速率,采用纳米压痕仪模拟单个磨粒在芯片表面的压痕作用,应用线性回归方法分析载荷70 nN下,磨粒压入芯片的深度量级为10-11m。
2.Slurry flow weighs heavily on the performances of chemical mechanical polishing(CMP) process,wherein the pad surface will alter the flow features considerably.抛光垫表面特性能可大大改变抛光液的流动情况,从而影响化学机械抛光的抛光性能。
3.For high-quality and high-efficiency chemical mechanical polishing(CMP) of multilayer interconnection in ultralarge-scale integrated(ULSI) circuit,the silica sol nano-abrasive with large-particle and lowpolydispersition was prepared by polymerization growth technique with control of constant liquid level.为满足甚大规模集成电路(ULSI)互连结构高质量、高效率化学机械抛光(CMP)的要求,以LaMer模型为理论指导,对恒液面聚合生长法制备大粒径、低分散度硅溶胶研磨料的粒径增长阶段进行了机理分析,并讨论了加料速率对平均粒径及分散度的影响;优化加料速率为3。
6)chemical-mechanical polishing化学机械抛光
1.In order to obtain the effect of carrier film on contact pressure distribution in the chemical-mechanical polishing(CMP) of silicon wafer,a mechanism model and a boundary equation were set up,then the contact pressure distribution was calculated and analyzed by use of finite element method,and the calculated result was verified by polishing experiments.为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中背垫对接触压强分布的影响规律,建立了有背垫抛光过程的接触力学模型和边界条件,利用有限元方法进行了有背垫时的接触压强分布的计算与分析,并利用抛光实验对计算结果进行了验证,获得了硅片与抛光垫的接触表面压强分布形态,以及背垫的物理参数对压强分布的影响规律。
2.In traditional chemical-mechanical polishing of silicon wafer,the surface quality and efficiency of silicon wafer polishing is not satisfactory and need to be improved when the diameter of a silicon wafer becomes bigger and bigger.针对硅片的传统化学机械抛光,特别是随着硅片直径不断增大,硅片抛光表面质量和抛光效率成为一个亟待解决的问题。
延伸阅读
电化学动力学 由于电化学的反应必须在电极的金属｜电解质界面上才能进行，电化学动力学的主要对象是电极反应动力学。电极反应是一种非均相化学反应，所以电极反应动力学的方法与非均相化学反应动力学很类似。它的反应历程必须包括金属｜电解质界面上的迁越步骤（见迁越超电势）和扩散步骤（见扩散超电势）。迁越步骤是电极反应区别于其他非均相化学反应的标志，是电极反应的基本步骤。为使迁越步骤能持续进行，反应物必须从电解质本体扩散到电极界面;生成物也必须扩散离去,这是与非均相化学反应类似的。此外，在液相电解质中也可能在迁越步骤的前后发生前置反应和后续反应等化学反应步骤。在电极金属表面也可能发生固相的形成和溶解步骤。如果形成的物相是金属，这就是电（沉）积过程（见电镀）；如果是绝缘体或半导体，则电极金属可能被钝化（见金属钝化）或产生光电效应（见光电化学和半导体电化学）。特别要提出的是在电极界面上经常发生的吸附现象，它能改变电极界面结构并对电极过程产生明显的干扰。它可以促进化学反应(见电催化)，也可以阻滞电极反应，如金属腐蚀中缓蚀剂的作用。 以上各步骤所需的超电势可以分别称为迁越超电势ηCT、扩散超电势ηd、反应超电势ηr(ηd和 ηr合称为浓差极化）等等。电极反应总的超电势应是各串联步骤超电势之和，其中"速控步骤"的超电势是主导的。但在实际测量过程中，电极电势(位)是相对于某一参比电极进行测量的，在参比电极的鲁金毛细管口到工作电极的金属表面这一段距离间，通电时存在欧姆电势（即电位降，停电时消失），这就是电阻极化。电阻极化是因电解液的电阻（与电池的设计有关）和可能存在的金属表面被膜的电阻引起的，它与电极反应无关，故计算总超电势时应予扣除，或在测量时进行校正。 总之,电极反应往往是相当复杂的过程。电极反应动力学的任务就是根据实验事实，包括利用各种稳态技术和暂态技术的电化学研究方法获得的各类极化曲线（见极化和超电势）和电化学参数，以及利用各种非电化学方法所得信息，推断反应历程和"速率控制步骤"（简称速控步骤），得出动力学方程，并与根据动力学理论得到的各个基元步骤的动力学特征进行对比，从而推论出合理的电极反应机理，以便最终为生产实际提供控制电化学过程的依据。 参考书目 查全性著：《电极过程动力学导论》,科学出版社,北京，1976。
