广视角像素结构及阵列基板的制作方法

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种广视角像素结构及阵列基板。

背景技术：

垂直配向模式(Vertical Alignment，简称VA)显示以其宽的视野角、高对比度等优势，成为大尺寸TV用薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)的常见模式。不同视野角下的色偏(Color Shift)现象是VA产品所面对的重大问题。为了解决大视角色偏的问题，通常的对策是采用8畴设计，即将一个像素分为2个区，称主区(main区)和子区(sub区)。在给电压的情况下每个区内的液晶有四个不同的倒向，通过使sub区的电压低于mian区，实现一个像素内的液晶有8种不同的倒向角度，从而实现宽的视野角。图1是常见的宽视角像素设计，101为数据线，201为扫描线，301为main区，401为sub区。图中有3颗薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，其中2颗TFT用于为像素充电，1颗TFT用于为sub区放电，另外像素还包括一个共享电容(share电容)，用于实现sub与main区的不同电位。

现有技术中的上述结构，对于每个像素需要使用3个TFT，为进一步减少TFT的使用，实现高开口率，亟需一种方法或结构来对上述结构进行改进。

技术实现要素：

本发明提供一种广视角像素结构及阵列基板，用以解决现有技术中TFT数量多导致开口率不高的技术问题。

本发明一方面提供一种广视角像素结构，包括：垂直设置的扫描线组和数据线组，以及由扫描线组和数据线组所形成的两个像素区，其中，扫描线组包括依次平行设置的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，数据线组包括平行设置的第一数据线和第二数据线；第一扫描线、第二扫描线、第一数据线和第二数据线形成第一像素区；第二扫描线、第三扫描线、第一数据线和第二数据线形成第二像素区；第一像素区包括第一主区和第一子区，第二像素区包括第二主区、第二子区和第一薄膜晶体管，第一子区与第二子区通过第一薄膜晶体管相连。

进一步的，第一子区包括第二薄膜晶体管和第一子区像素电极，其中，第二薄膜晶体管的栅极与第一扫描线相连，第二薄膜晶体管的源极与第一数据线相连，第二薄膜晶体管的漏极分别与第一子区像素电极和第一薄膜晶体管的漏极相连。

进一步的，第二子区包括第三薄膜晶体管和第二子区像素电极，第三薄膜晶体管的栅极与第二扫描线相连，第三薄膜晶体管的漏极与第二子区像素电极相连，第三薄膜晶体管的源极和第一薄膜晶体管的源极均与第二数据线相连，第一薄膜晶体管的栅极与第三扫描线相连。

进一步的，第二主区包括第二主区像素电极和第四薄膜晶体管，其中，第四薄膜晶体管的栅极与第二扫描线相连，第四薄膜晶体管的漏极与第二主区像素电极相连，第四薄膜晶体管的源极与第二数据线相连。

进一步的，第一主区包括第一主区像素电极和第五薄膜晶体管，其中，第五薄膜晶体管的栅极与第一扫描线相连，第五薄膜晶体管的源极与第一数据线相连，第五薄膜晶体管的漏极与第一主区像素电极相连。

进一步的，第一子区像素电极与第二子区像素电极的极性相反。

进一步的，第二主区像素电极与第二子区像素电极的极性相同。

进一步的，第一主区像素电极与第一子区像素电极的极性相同。

本发明另一方面提供一种阵列基板，包括：衬底基板以及上述所述的广视角像素结构，其中，广视角像素结构设置在衬底基板上。

本发明提供的广视角像素结构及阵列基板，由于通过第一薄膜晶体管同时对第一子区和第二子区进行放电，第一子区或第二子区的放电不需要通过各自的薄膜晶体管分别与共享电容连接来实现，因此，上述结构不仅减少了薄膜晶体管数量，同时也减少了共享电容的使用，进一步提高了开口率。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1为现有技术中的宽视角像素结构的电路原理示意图；

图2为本发明实施例提供的广视角像素结构的电路原理示意图；

图3为本发明实施例提供的广视角像素结构示意图。

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

请参考图2和图3，本发明实施例提供一种广视角像素结构，包括：垂直设置的扫描线组和数据线组，以及由扫描线组和数据线组所形成的两个像素区，其中，扫描线组包括依次平行设置的第一扫描线11、第二扫描线12和第三扫描线13，数据线组包括平行设置的第一数据线21和第二数据线22；第一扫描线11、第二扫描线12、第一数据线21和第二数据线22形成第一像素区；第二扫描线12、第三扫描线13、第一数据线21和第二数据线22形成第二像素区；第一像素区包括第一主区1和第一子区2，第二像素区包括第二主区3、第二子区4和第一薄膜晶体管TFT1，第一子区2与第二子区4通过第一薄膜晶体管TFT1相连。

第一扫描线11、第二扫描线12和第三扫描线13相互平行，且第二扫描线12位于第一扫描线11和第三扫描线13之间。第一像素区与第二像素区为上下相邻的两个像素区，第一子区2与第二子区4通过第一薄膜晶体管TFT1相连，第一薄膜晶体管TFT1对第一像素区和第二像素区中的第一子区2和第二子区4进行放电，降低其相对于公共线的电位，使在实际点灯时，第一主区1和第二主区3较亮，第一子区2和第二子区4较暗，使每一个像素区(第一像素区或第二像素区)都具有8种液晶倒向，从而实现宽的视野角。由于第一子区2与第二子区4通过第一薄膜晶体管TFT1相连，第一薄膜晶体管TFT1可实现同时对第一子区2与第二子区4进行放电，因此，在同样实现宽的视野角的前提下，上述结构可减少薄膜晶体管的数量，有利于实现高开口率。

在本发明一个具体实施例中，第一子区2包括第二薄膜晶体管TFT2和第一子区像素电极20，其中，第二薄膜晶体管TFT2的栅极与第一扫描线11相连，第二薄膜晶体管TFT2的源极与第一数据线21相连，第二薄膜晶体管TFT2的漏极分别与第一子区像素电极20和第一薄膜晶体管TFT1的漏极相连。

第一薄膜晶体管TFT1同时与第一子区2和第二子区4连接，因此可通过第一薄膜晶体管TFT1来同时对第一子区2和第二子区4放电，以使第一子区2和第二子区4的电位分别比第一主区1和第二主区3低，从而对于每一个像素区(第一像素区或第二像素区)，均可有8中液晶倒向，在实现宽的视野角的同时，减少薄膜晶体管的数量，实现高开口率。另外，由于使用上述结构对第一子区2和第二子区4进行放电，与现有技术相比，第一子区2或第二子区4的放电不需要通过与共享电容连接来实现，因此，上述结构也减少了共享电容的使用，进一步提高了开口率。

在本发明另一个具体实施例中，第二子区4包括第三薄膜晶体管TFT3和第二子区像素电极40，第三薄膜晶体管TFT3的栅极与第二扫描线12相连，第三薄膜晶体管TFT3的漏极与第二子区像素电极40相连，第三薄膜晶体管TFT3的源极和第一薄膜晶体管TFT1的源极均与第二数据线22相连，第一薄膜晶体管TFT1的栅极与第三扫描线13相连。

进一步的，第一子区像素电极20与第二子区像素电极40的极性相反。

在本发明又一个具体实施例中，第二主区3包括第二主区像素电极30和第四薄膜晶体管TFT4，其中，第四薄膜晶体管TFT4的栅极与第二扫描线12相连，第四薄膜晶体管TFT4的漏极与第二主区像素电极30相连，第四薄膜晶体管TFT4的源极与第二数据线22相连。

进一步的，第二主区像素电极30与第二子区像素电极40的极性相同。

在本发明一个具体实施例中，第一主区1包括第一主区1像素电极和第五薄膜晶体管TFT5，其中，第五薄膜晶体管TFT5的栅极与第一扫描线11相连，第五薄膜晶体管TFT5的源极与第一数据线21相连，第五薄膜晶体管TFT5的漏极与第一主区1像素电极相连。

进一步的，第一主区像素电极10与第一子区像素电极20的极性相同。

上述结构在工作时，首先与第一扫描线11连接的对应像素区(第一主区1和第一子区2)充电完成，图中与第一扫描线11和第一数据线21所连接的像素电极为正极性。第一扫描线11打开时，同时对第一扫描线11上的第一主区1像素电极和第一子区像素电极20进行充电，其极性为负极性。之后第一扫描线11关闭，第二扫描线12开启，同时对第二扫描线12上的第二主区像素电极30和第二子区像素电极40进行充电，其极性为正极性。与此同时第一薄膜晶体管TFT1打开，对第一扫描线11和第二扫描线12上的第一子区像素电极20和第二子区像素电极40进行放电。通过控制第一薄膜晶体管TFT1的大小和各扫描线(第一扫描线11、第二扫描线12和第三扫描线13)的打开时间，来实现对各像素区子区像素电极(第一子区像素电极20和第二子区像素电极40)电位的控制。

本发明实施例还提供一种阵列基板，包括：衬底基板以及上述实施例中的广视角像素结构，其中，广视角像素结构设置在衬底基板上。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。