1.一种广视角像素结构，其特征在于，包括：垂直设置的扫描线组和数据线组，以及由所述扫描线组和所述数据线组所形成的两个像素区，其中，所述扫描线组包括依次平行设置的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，所述数据线组包括平行设置的第一数据线和第二数据线；所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述第一数据线和所述第二数据线形成第一像素区；所述第二扫描线、所述第三扫描线、所述第一数据线和所述第二数据线形成第二像素区；所述第一像素区包括第一主区和第一子区，所述第二像素区包括第二主区、第二子区和第一薄膜晶体管，所述第一子区与所述第二子区通过所述第一薄膜晶体管相连。
2.根据权利要求1所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第一子区包括第二薄膜晶体管和第一子区像素电极，其中，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线相连，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极分别与所述第一子区像素电极和所述第一薄膜晶体管的漏极相连。
3.根据权利要求2所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第二子区包括第三薄膜晶体管和第二子区像素电极，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描线相连，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二子区像素电极相连，所述第三薄膜晶体管的源极和所述第一薄膜晶体管的源极均与所述第二数据线相连，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第三扫描线相连。
4.根据权利要求3所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第二主区包括第二主区像素电极和第四薄膜晶体管，其中，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描线相连，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第二主区像素电极相连，所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二数据线相连。
5.根据权利要求2或3所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第一主区包括第一主区像素电极和第五薄膜晶体管，其中，所述第五薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线相连，所述第五薄膜晶体管的源极与所述第一数据线相连，所述第五薄膜晶体管的漏极与所述第一主区像素电极相连。
6.根据权利要求3所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第一子区像素电极与所述第二子区像素电极的极性相反。
7.根据权利要求4所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第二主区像素电极与所述第二子区像素电极的极性相同。
8.根据权利要求5所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第一主区像素电极与所述第一子区像素电极的极性相同。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板以及根据权利要求1-8中任一项所述的广视角像素结构，其中，所述广视角像素结构设置在所述衬底基板上。