。-(9表示1~10的整数）、下述式[6(3-1]、式[6(3-3]、 式[6C-4]或式[6c-引所示的结构。特别优选为碳原子数1~15的亚烷基、-(CH2-CH2-O) p-(P表示1~10的整数）、式[6c-l]、式[6c-4]或式[6c-引所示的结构。
[0269]
[0270] 式[6]中，X4表示选自由单键、-CH2-、-〇邸2-和0-邸2-邸2-组成的组中的至少1种 键合基团。其中，从密合性化合物的合成容易度的观点出发，优选为单键、-CH2-或-0CH2-所 示的结构。
[027。式[6]中，X5表示选自由下述式[6b-l]~[6b-引所示的结构组成的组中的至少1种结构。其中，从密合性化合物的合成容易度的观点出发，优选为式[化-1]、式[6b-2]或 式[6b-6]所示的结构。更优选为式[6b-l]或式[6b-2]所示的结构。
[0272]
[0273] 式[6b-4]中，表示氨原子或苯环。
[0274] 式[6b-8]中，Β嗦示选自由苯环、环己烧环和杂环组成的组中的至少1种环状基 团。
[027引式[6b-8]中，B嗦示选自由碳数1~12的亚烷基、碳数1~12的含氣亚烷基、碳 数1~12的烷氧基和碳数1~12的含氣烷氧基组成的组中的至少1种。
[0276]式[6]中，η表示1~3的整数。其中，从密合性化合物的合成容易度的观点出发， 优选为1或2。更优选为1。
[0277] 式[6]中，m表示1~3的整数。其中，从密合性化合物的合成容易度的观点出发， 优选为1或2。
[027引作为密合性化合物的更具体结构，可列举出下述式[6-la]~[6-3a]、式[6-化]~ [6-3b]、式[6-lc]~[6-3c]和式[6-ld]~[6-3d]所示的化合物。
[0279]
[0280] 式[6-la]中的χ3、式[6-2a]中的X嘴式[6-3a]中的X咯自独立地表示选自 由单键、-〇-、-C0NH-、-0邸2-、-C00-和-0C0-组成的组中的至少1种键合基团。其中，从 密合性化合物的制造容易度的观点出发，优选为单键、-〇-、-0CH2-或-0C0-。更优选为单 键、-0-或-0邸2-。
[028。式[6-la]中的Χ\式[6-2a]中的χ6和式[6-3a]中的Xh各自独立地表示选 自碳数1~15的亚烷基、-(CH2-CH2-0)p-(p表示1~10的整数）、式[6C-1]、式[6C-4] 和式[6c-引所示结构组成的组中的至少1种。此时，前述亚烷基的任意-CH2-基任选 被-C00-、-0C0-、-C0NH-、NHC0-、-C0-、-S-、-S02_、-CFz-、-C(CFs)厂、-Si(邸3) 2_、-OSi(邸3) 2-或-Si(CH3)20-置换，键合于任意碳原子的氨原子任选被径基（OH基）、簇基（C00H基）或面 素原子取代。
[0282] 式[6-la]中的r、式[6-2a]中的Xf和式[6-3a]中的X1各自独立地表示选自由 单键、-邸2-和-0邸2-组成的组中的至少1种键合基团。
[0283]式[6-la]中的nl、式[6-2a]中的n2和式[6-3a]中的n3各自独立地表示1或2 的整数。其中，优选为1。
[0284] 式[6-la]中的ml、式[6-2a]中的m2和式[6-3a]中的m3各自独立地表示1或2 的整数。其中，优选为1。
[0285]
[028引式[6-化]中的Χ3、式[6-2b]中的X嘴式[6-3b]中的X咯自独立地表示选自 由单键、-〇-、-C0NH-、-0邸2-、-C00-和-0C0-组成的组中的至少1种键合基团。其中，从 密合性化合物的制造容易度的观点出发，优选为单键、-〇-、-0CH2-或-0C0-。更优选为单 键、-0-或-0邸2-。
[0287]式[6-化]中的Χ\式[6-2b]中的r和式[6-3b]中的Xh各自独立地表示选自 由碳数1~15的亚烷基、-(CH2-CH2-0)p-(p表示1~10的整数）、式[6C-1]、式[6C-4] 和式[6c-引所示结构组成的组中的至少1种。此时，前述亚烷基的任意-CH2-基任选 被-C00-、-0C0-、-C0NH-、NHC0-、-C0-、-S-、-S02_、-CFz-、-C(CFs)厂、-Si(邸3) 2_、-OSi(邸3)厂 或-Si(CH3)20-置换，键合于任意碳原子的氨原子任选被径基（0H基）、簇基（C00H基）或面 素原子取代。
[028引式[6-化]中的Γ、式[6-2b]中的X嘴式[6-3b]中的X1各自独立地表示选自单 键、-邸2-和-0邸2-中的至少1种键合基团。
[028引式[6-化]中的心、式[6-26]中的4嘴式[6-36]中的43各自独立地表示氨原子 或碳数1~2的亚烷基。其中，优选为氨原子或甲基。
[0290] 式[6-化]中的nl、式[6-2b]中的n2和式[6-3b]中的n3各自独立地表示1或2 的整数。其中，优选为1。
[0291] 式[6-化]中的ml、式[6-2b]中的m2和式[6-3b]中的m3各自独立地表示1或2 的整数。其中，优选为1。
[0292]
[029引式[6-lc]中的Χ3、式[6-2c]中的X嘴式[6-3c]中的X咯自独立地表示选自 由单键、-〇-、-C0NH-、-0邸2-、-C00-和-0C0-组成的组中的至少1种键合基团。其中，从 密合性化合物的制造容易度的观点出发，优选为单键、-〇-、-0CH2-或-0C0-。更优选为单 键、-0-或-0邸2-。
[0294] 式[6-lc]中的Χ\式[6-2C]中的r和式[6-3C]中的Xh各自独立地表示选自 由碳数1~15的亚烷基、-(CH2-CH2-0)p-(p表示1~10的整数）、式[6C-1]、式[6C-4] 和式[6c-引所示结构组成的组中的至少1种。此时，前述亚烷基的任意-CH2-基任选 被-C00-、-0C0-、-C0NH-、NHC0-、-C0-、-S-、-S02_、-CFz-、-C(CFs)厂、-Si(邸3) 2_、-OSi(邸3)厂 或-Si(CH3)20-置换，键合于任意碳原子的氨原子任选被径基（0H基）、簇基（C00H基）或面 素原子取代。
[0295]式[6-lc]中的r、式[6-2C]中的Xf和式[6-3C]中的X1各自独立地表示选自由 单键、-邸2-和-0邸2-组成的组中的至少1种键合基团。
[029引式[6-lc]中的Al、式[6-2c]中的A嘴式[6-3c]中的A7各自独立地表示氨原子 或碳数1~2的亚烷基。其中，优选为氨原子或甲基。
[0297]式[6-lc]中的A2、式[6-2C]中的A5和式[6-3C]中的A8各自独立地表示碳数1~ 2的亚烷基。
[029引式[6-lc]中的A3、式[6-2C]中的A呀P式[6-3C]中的A9各自独立地表示氨原子 或碳数1~2的亚烷基。其中，优选为氨原子或甲基。
[0299] 式[6-lc]中的nl、式[6-2c]中的n2和式[6-3c]中的n3各自独立地表示1或2 的整数。其中，优选为1。
[0300] 式[6-lc]中的ml、式[6-2c]中的m2和式[6-3c]中的m3各自独立地表示1或2 的整数。其中，优选为1。
[0301]
[030引式[6-1山中的χ3、式[6-2山中的X嘴式[6-3山中的X咯自独立地表示选自 由单键、-0-、-CONH-、-0邸2-、-C00-和-0C0-组成的组中的至少1种键合基团。其中，从 密合性化合物的制造容易度的观点出发，优选为单键、-0-、-0CH2-或-0C0-。更优选为单 键、-0-或-0邸2-。
[030引式[6-ld]中的Χ\式[6-2d]中的χ6和式[6-3d]中的Xh各自独立地表示选自 由碳数1~15的亚烷基、-(CH2-CH2-0)p-(p表示1~10的整数）、式[6C-1]、式[6C-4] 和式[6c-引所示结构组成的组中的至少1种。此时，前述亚烷基的任意-CH2-基任选 被-C00-、-0C0-、-C0NH-、NHC0-、-C0-、-S-、-S02_、-CFz-、-C (CFs)厂、-Si(邸3)2_、-OSi(邸3)2-或-Si(CH3)20-置换，键合于任意碳原子的氨原子任选被径基（OH基）、簇基（C00H基）或面 素原子取代。
[0304]式[6-ld]中的r、式[6-2d]中的Xf和式[6-3d]中的χ?各自独立地表示选自由 单键、-邸2-和-0邸2-中的至少1种键合基团。
[030引式[6-1山中的Α\式[6-2山中的A?和式[6-3山中的AS各自独立地表示氨原子 或碳数1~2的亚烷基。其中，优选为氨原子或甲基。
[0306] 式[6-ld]中的A2、式[6-2d]中的A?和式[6-3d]中的A?各自独立地表示碳数1~ 2的亚烷基。
[0307] 式[6-ld]中的A3、式[6-2d]中的A7和式[6-3d]中的A"各自独立地表示碳数 1~2的亚烷基。
[030引式[6-ld]中的A4、式[6-2d]中的AS和式[6-3d]中的AU各自独立地表示氨原子 或碳数1~2的亚烷基。其中，优选为氨原子或甲基。
[0309] 式[6-ld]中的nl、式[6-2d]中的n2和式[6-3d]中的n3各自独立地表示1或2 的整数。其中，优选为1。
[0310] 式[6-ld]中的ml、式[6-2d]中的m2和式[6-3d]中的m3各自独立地表示1或2 的整数。其中，优选为1。
[0311] 作为密合性化合物，优选使用选自由下述式[6-1]和式[6-引所示的化合物组成 的组中的至少1种化合物。
[0312]
[031引（式[6-句中，η表示1~10的整数，式[6-5]中，m表示1~10的整数）。
[0314] 更具体而言，可列举出下述所示的化合物。
[0315]例如可列举出径甲基丙烷Ξ(甲基）丙締酸醋、季戊四醇Ξ(甲基）丙締酸 醋、二季戊四醇五（甲基）丙締酸醋、Ξ(甲基）丙締酷氧基乙氧基Ξ径甲基丙烷、甘油聚 缩水甘油酸聚（甲基）丙締酸醋等分子内具有3个聚合性不饱和基团的化合物；乙二醇二 (甲基）丙締酸醋、二乙二醇二（甲基）丙締酸醋、四乙二醇二（甲基）丙締酸醋、聚乙二 醇二（甲基）丙締酸醋、丙二醇二（甲基）丙締酸醋、聚丙二醇二（甲基）丙締酸醋、下二 醇二（甲基）丙締酸醋、新戊二醇二（甲基）丙締酸醋、环氧乙烧双酪A型二（甲基）丙締 酸醋、环氧丙烷双酪型二（甲基）丙締酸醋、1，6-己二醇二（甲基）丙締酸醋、甘油二（甲 基）丙締酸醋、季戊四醇二（甲基）丙締酸醋、乙二醇二缩水甘油酸二（甲基）丙締酸醋、 二乙二醇二缩水甘油酸二（甲基）丙締酸醋、邻苯二甲酸二缩水甘油醋二（甲基）丙締酸 醋、径基特戊酸新戊二醇二（甲基）丙締酸醋等分子内具有2个聚合性不饱和基团的化合 物；（甲基）丙締酸2-径基乙醋、（甲基）丙締酸2-径基丙醋、（甲基）丙締酸2-径基下 醋、2-苯氧基-2-径基丙基（甲基）丙締酸醋、2-(甲基）丙締酷氧基-2-径基丙基邻苯二 甲酸醋、3-氯-2-径基丙基（甲基）丙締酸醋、甘油单（甲基）丙締酸醋、2-(甲基）丙締 酷氧基乙基憐酸醋、N-径甲基（甲基）丙締酷胺等分子内具有1个聚合性不饱和基团的化 合物等。
[0316] 前述密合性化合物是一个例子，但不限定于它们。另外，用于液晶取向处理剂的密 合性化合物可W是1种，也可W组合2种W上。
[0317] 液晶取向处理剂中的密合性化合物的含量相对于所有聚合物成分100质量份优 选为0. 1~150质量份。为了使交联反应推进而表现出目标效果，相对于所有聚合物成分 100质量份更优选为0. 1~100质量份，尤其是最优选为1~50质量份。
[031引本发明的液晶取向处理剂中，在不损害本发明效果的范围内，也可W导入具有环 氧基、异氯酸醋基、氧杂环下烷基或环碳酸醋基的化合物；具有选自由径基、径基烷基和低 级烷氧基烷基组成的组中的至少1种取代基的化合物（也统称为交联性化合物）。此时，运 些取代基需要在交联性化合物中具有2个W上。
[0319] 作为具有环氧基或异氯酸醋基的交联性化合物，例如可列举出双酪丙酬缩水甘 油酸、苯酪酪醒清漆环氧树脂、甲酪酪醒清漆环氧树脂、Ξ缩水甘油基异氯脈酸醋、四缩水 甘油基氨基联苯、四缩水甘油基间苯二甲胺、四缩水甘油基-1,3-双（氨基乙基）环己烧、 四苯基缩水甘油酸乙烧、Ξ苯基缩水甘油酸乙烧、双酪六氣乙酷基二缩水甘油酸、1，3-双 (1-(2,3-环氧丙氧基）-1-Ξ氣甲基-2,2, 2-Ξ氣甲基）苯、4, 4-双化3-环氧丙氧 基）八氣联苯、Ξ缩水甘油基对氨基苯酪、四缩水甘油基间苯二甲胺、2-(4-化3-环氧丙 氧基）苯基）-2-(4-(1, 1-双（4-(2,3-环氧丙氧基）苯基）乙基）苯基）丙烷、1,3-双 (4- (1- (4- (2, 3-环氧丙氧基）苯基）-1- (4- (1- (4- (2, 3-环氧丙氧基）苯基）-1-甲基乙 基）苯基）乙基）苯氧基）-2-丙醇等。
[0320] 具有氧杂环下烷基的交联性化合物是具有至少2个下述式[4]所示的氧杂环下烧 基的交联性化合物。
[0321]
[0322] 具体而言，可列举出国际公开公报W02011/132751(2011. 10. 27公开）的58项~ 59项中记载的式[4a]~[4k]所示的交联性化合物。
[0323] 作为具有环碳酸醋基的交联性化合物，为具有至少2个下述式[引所示的环碳酸 醋基的交联性化合物。
[0324]
[0325] 具体而言，可列举出国际公开公报W02012/014898(2012. 2. 2公开）的76项~82 项中记载的式[5-1]~[5-42]所示的交联性化合物。
[0326] 作为具有选自由径基和烷氧基组成的组中的至少1种取代基的交联性化合物，例 如可列举出具有径基或烷氧基的氨基树脂，例如密胺树脂、脈树脂、脈胺树脂、甘脈-甲醒 树脂、班巧酷胺-甲醒树脂或乙撑脈-甲醒树脂等。具体而言，可W使用氨基的氨原子被径 甲基或烷氧基甲基或运两者取代而成的密胺衍生物、苯并脈胺衍生物、或者甘脈。该密胺衍 生物或苯并脈胺衍生物可二聚体或Ξ聚体的形式存在。它们优选每1个Ξ嗦环具有平 均3个W上且6个W下的径甲基或烷氧基甲基。
[0327] 作为运种密胺衍生物或苯并脈胺衍生物的例子，可列举出市售品的每1个Ξ嗦 环取代有平均3. 7个甲氧基甲基的MX-750、每1个Ξ嗦环取代有平均5. 8个甲氧基甲基 的MW-30(W上为Ξ和化学株式会社制），CYMEL300、301、303、350、370、771、325、327、 703、712等甲氧基甲基化密胺；CYMEL235、236、238、212、253、254等甲氧基甲基化下氧基 甲基化密胺；CYMEL506、508等下氧基甲基化密胺；CYMEL1141之类的含簇基甲氧基甲基 化异下氧基甲基化密胺；CYMEL1123之类的甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯并脈胺；CYMEL 1123-10之类的甲氧基甲基化下氧基甲基化苯并脈胺；CYMEL1128之类的下氧基甲基化苯 并脈胺；CYMEL1125-80之类的含簇基甲氧基甲基化乙氧基甲基化苯并脈胺（W上为Ξ井 亏斗六十；Κ公司制）。另夕F，作为甘脈的例子，可列举出CYMEL1170之类的下氧基甲基 化甘脈、CYMEL1172之类的径甲基化甘脈；Powderlink1174之类的甲氧基径甲基化甘脈 等。
[032引作为具有径基或烷氧基的苯、苯酪性化合物等交联性化合物，例如可列举出 1，3,5-Ξ(甲氧基甲基）苯、1，2,4-Ξ(异丙氧基甲基）苯、1,4-双（仲下氧基甲基）苯、 2, 6-二径基甲基对叔下基苯酪等。
[0329] 更具体而言，可列举出国际公开公报胖02011/132751(2011.10.27公开）的62 页~66页中记载的式[6-1]~[6-4引所示的交联性化合物。
[0330] 液晶取向处理剂中的交联性化合物的含量相对于所有聚合物成分100质量份优 选为0. 1~100质量份。为了使交联反应推进而表现出目标效果，相对于所有聚合物成分 100质量份，更优选为0. 1~50质量份，尤其是最优选为1~30质量份。
[0331] 本发明中的液晶取向处理剂中，作为促进垂直液晶取向膜中的电荷移动、促进元 件脱电荷的化合物，也可W添加国际公开公报W02011/132751(2011. 10. 27公开）的69 页~73页中记载的式[Ml]~[M156]所示的含氮杂环胺化合物。运些胺化合物可W直接 添加至液晶取向处理剂中，优选用适当的溶剂制成浓度为0. 1~10质量％、优选制成1~7 质量％的溶液后再添加。作为该溶剂，只要是溶解上述特定聚酷亚胺系聚合物的有机溶剂， 就没有特别限定。
[0332] 在不损害本发明效果的范围内，本发明的液晶取向处理剂可W使用使涂布液晶取 向处理剂时的垂直液晶取向膜的膜厚均匀性、表面平滑性提高的化合物。进而，也可W使用 使垂直液晶取向膜与基板的密合性提高的化合物等。
[0333] 作为使垂直液晶取向膜的膜厚均匀性、表面平滑性提高的化合物，可列举出氣系 表面活性剂、有机娃系表面活性剂、非离子系表面活性剂等。
[0334]更具体而言，例如可列举出EftopEF301、EF303、EF352(W上为Totikemproducts Coloration制）；MegafacF171、F173、R-30(W上为DieColoration制）；Fluorad FC430、FC431(W上为Sumitomo3MLimited制）；As址iGuardAG710、Su;rflonS-382、 SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(W上为旭硝子株式会社制）等。运些表面活性 剂的使用比例相对于液晶取向处理剂中含有的所有聚合物成分100质量份优选为0. 01~ 2质量份、更优选为0. 01~1质量份。
[0335] 作为使垂直液晶取向膜与基板的密合性提高的化合物的具体例，可列举出W下示 出的含官能性硅烷的化合物、含环氧基的化合物。
[0336] 例如可列举出3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、2-氨基丙基 二甲氧基硅烷、2-氨基丙基二乙氧基硅烷、N- (2-氨基乙基）-3-氨基丙基二甲氧基硅烷、 N-(2-氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-脈丙基Ξ甲氧基硅烷、3-脈丙基Ξ乙 氧基硅烷、N-乙氧基幾基-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、N-乙氧基幾基-3-氨基丙基Ξ乙氧 基硅烷、N-Ξ乙氧基甲娃烷基丙基Ξ乙Ξ胺、N-Ξ甲氧基甲娃烷基丙基Ξ乙Ξ胺、10-Ξ甲 氧基甲娃烷基-1, 4, 7-二氮杂癸烧、10-二乙氧基甲娃烷基-1, 4, 7-二氮杂癸烧、9-二甲 氧基甲娃烷基-3, 6-二氮杂壬基乙酸醋、9-Ξ乙氧基甲娃烷基-3, 6-二氮杂壬基乙酸醋、 N-苄基-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、N-苄基-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基 丙基Ξ甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、N-双（氧亚乙基）-3-氨基丙基Ξ 甲氧基硅烷、N-双（氧亚乙基）-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、乙二醇二缩水甘油酸、聚乙二醇 二缩水甘油酸、丙二醇二缩水甘油酸、Ξ丙二醇二缩水甘油酸、聚丙二醇二缩水甘油酸、新 戊二醇二缩水甘油酸、1，6-己二醇二缩水甘油酸、甘油二缩水甘油酸、2, 2-二漠新戊二醇 二缩水甘油酸、1，3, 5, 6-四缩水甘油基-2, 4-己二醇、Ν，Ν，Ν'，Ν'，-四缩水甘油基间苯二 甲胺、1,3-双（Ν，Ν-二缩水甘油氨基甲基）环己烧、Ν，Ν，Ν'，Ν'，-四缩水甘油基-4, 4'-二 氨基二苯基甲烧等。
[0337] 使用运些使液晶取向膜与基板密合的化合物时，相对于液晶取向处理剂中含有的 所有聚合物成分100质量份优选为0. 1~30质量份、更优选为1~20质量份。不足0. 1 质量份时，无法期待提高密合性的效果，多于30质量份时，有时液晶取向处理剂的保存稳 定性变差。
[033引本发明的液晶取向处理剂中，除了上述W外的化合物之外，只要在不损害本发明 效果的范围内，则也可W添加用于变更垂直液晶取向膜的介电常数、导电性等电特性的介 电体、导电物质。
[0339] <垂直液晶取向膜/液晶表示元件的制作方法〉
[0340]作为本发明的液晶表示元件中使用的基板，只要是透明性高的基板就没有特别限 定，除了玻璃基板之外，还可W使用丙締酸类基板、聚碳酸醋基板、PET(聚对苯二甲酸乙二 醇醋）基板等塑料基板等。
[0341] 将液晶表示元件制成逆向型元件并用于调光窗等时，优选为塑料基板。另外，从简 化工艺的观点出发，优选使用形成有用于驱动液晶的IT0(氧化铜锡，IndiumTin化ide)电 极等的基板。另外，制成反射型的逆向型元件时，若仅是单侧基板，则也可W使用娃晶片、侣 等金属，形成有介电体多层膜的基板。
[0342] 本发明的液晶表示元件的至少一个基板具有使液晶分子垂直取向的垂直液晶取 向膜。该垂直液晶取向膜可W通过将液晶取向处理剂涂布在基板上并烧成后，通过刷磨处 理、光照射等进行取向处理而得到。另外，在本发明的垂直液晶取向膜的情况下，不进行运 些取向处理也能够用作垂直液晶取向膜。
[0343] 液晶取向处理剂的涂布方法没有特别限定，工业上有丝网印刷、凹版印刷、胶版印 巧IJ、喷墨法、浸涂法、漉涂法、狭缝涂布法、旋涂法、喷涂法等，可W根据基板的种类、垂直液 晶取向膜的目标膜厚来适当选择。
[0344] 将液晶取向处理剂涂布在基板上后，利用热板、热循环型烘箱、IR(红外线）型烘 箱等的加热手段，根据液晶取向处理剂中使用的溶剂，W30~300°C、优选W30~250°C的 溫度使溶剂蒸发而烧成，从而能够得到垂直液晶取向膜。
[0345] 烧成后的垂直液晶取向膜的厚度过厚时，在液晶表示元件的耗电方面是不利的， 厚度过薄时，该元件的可靠性有时会降低，因此优选为5~300nm、更优选为10~200nm。
[0346] 液晶表示元件中使用的液晶组合物是至少具有液晶和聚合性化合物的液晶组合 物。作为液晶和聚合性化合物之外的物质，可列举出前述引发剂、用于控制液晶表示元件的 电极间隙（也称为间隙，gap)的间隔物。
[0347] 液晶组合物的注入方法没有特别限定，例如可列举出如下方法。旨P，基板使用玻璃 基板时，可列举出如下方法：准备形成有垂直液晶取向膜的一对基板，将单侧的4炔基板除 了一部分之外均涂布密封剂，其后，W垂直液晶取向膜的面朝向内侧的方式粘贴于另一侧 的基板，由此制作空单元。其后，从未涂布密封剂的部位减压注入液晶组合物，从而得到注 入有液晶组合物的单元。
[034引进而，基板使用塑料基板时，可列举出如下方法：准备形成有垂直液晶取向膜的一 对基板，在单侧的基板上利用0DF(液晶滴下式注入，化eDropFilling)法、喷墨法等滴加 液晶组合物，其后粘贴另一侧的基板，从而得到注入有液晶组合物的单元。此时，本发明的 液晶表示元件中，由于液晶层与垂直液晶取向膜的密合性高，因此4炔基板上也可W不涂 布密封剂。
[0349] 液晶表示元件的间隙可W用间隔物等控制。该方法可列举出：向上述液晶组合物 中导入目标大小的间隔物的方法、使用具有目标大小的柱间隔物的基板的方法。另外，间隙 的大小优选为1~100μm、更优选为2~50μm。特别优选为3~30μm。间隙过小时，液 晶表示元件的对比度降低，间隙过大时，该元件的驱动电压变高。
[0350] 本发明的液晶表示元件通过在液晶组合物的一部分或整体显示液晶性的状态下 进行液晶组合物的固化，形成液晶与聚合性化合物的固化物复合体从而得到。
[0351] 液晶组合物的固化通过对前述得到的注入有液晶组合物的单元进行活性能量射 线照射或加热中的至少一个处理来进行。此处，作为活性能量射线，适合为紫外线。作为紫 外线，波长为250~400皿、优选为310~370皿。另外，进行加热处理时，其溫度为40~ 120°C、优选为60~80°C。另外，也可W同时进