电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备的制造方法_3

文档序号:9809613阅读:来源:国知局
[0186] 在电荷输送层形成时,此类溶剂与具有由式(1)和(2)表示的结构单元的聚碳酸 酯树脂和电荷输送材料组合使用,从而获得涂布性优异并且即使重复使用时也几乎不引起 起雾的电子照相感光构件。
[0187] 电荷输送层的厚度优选为5-40 μ m,特别优选7-25 μ m。
[0188] 电荷输送物质的含量基于电荷输送层的总质量优选为20-80质量%,特别优选 30-60 质量%。
[0189] 电荷输送物质包含各种三芳胺化合物、腙化合物、芪化合物、吡唑啉化合物、噁唑 化合物、噻唑化合物和三烯丙基甲烷化合物。特别是,三芳胺化合物可以用作电荷输送物 质。
[0190] 对于各层的涂布方法,可以使用如浸渍涂布法(浸渍法)、喷涂法、旋涂法、珠涂 法、刮涂法和束涂法(beam coating method)等涂布方法。
[0191] 图1为示出设置有包括本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的 示意性构造的一个实例的图。
[0192] 符号1为圆筒状(鼓状)电子照相感光构件,围绕轴2沿箭头方向以预定的圆周 速度(处理速度)旋转驱动。
[0193] 电子照相感光构件1的表面在旋转过程中通过充电单元3充电至预定的正或负的 电位。接着,电子照相感光构件1的带电表面用来自图像曝光单元(未示出)的图像曝光 光4来照射,并且根据目标图像信息形成静电潜像。使图像曝光光4根据目标图像信息的 时间序列电数字图像信号进行光强度调制,所述光从例如狭缝曝光单元或激光束扫描曝光 单元的图像曝光单元输出。
[0194] 使形成于电子照相感光构件1的表面上的静电潜像通过容纳在显影单元5内的调 色剂来显影(常规显影或反转显影),并且在电子照相感光构件1的表面上形成调色剂图 像。将形成于电子照相感光构件1的表面上的调色剂图像通过转印单元6转印至转印材料 7。将具有与调色剂的保有电荷相反的极性的偏压在此处从偏置电源(未示出)施加至转 印单元6。当转印材料7为纸时,与电子照相感光构件1的旋转同步,将转印材料7从供纸 单元(未示出)中取出,并且供给至电子照相感光构件1与转印单元6之间。
[0195] 将调色剂图像从电子照相感光构件1转印至其上的转印材料7与电子照相感光构 件1的表面分离,输送至图像定影单元8,进行调色剂图像的定影处理,并且作为图像形成 物(打印品、复印品)从电子照相设备中输出。
[0196] 将调色剂图像从其转印至转印材料7的电子照相感光构件1的表面,通过借助清 洁单元9去除如调色剂(转印残留调色剂)等附着物来清洁。近几年已经开发了无清洁器 系统,并且转印残留调色剂也可以通过显影机等直接去除。此外,电子照相感光构件1的表 面通过来自预曝光单元(未示出)的预曝光光10进行除电处理,然后重复用于图像形成。 本文中,当充电单元3为使用充电辑等的接触充电单元时,预曝光单元不是必需的。
[0197] 本发明中,如电子照相感光构件1、充电单元3和清洁单元9等构成组件中的多个 构成组件可以容纳在容器中从而一体化支承以形成处理盒。处理盒于是可以构成为可拆卸 地安装至电子照相设备的主体。例如,选自充电单元3、显影单元5和清洁单元9的至少一 种与电子照相感光构件1 一起一体化支承从而形成盒,并且该盒可以形成通过使用如电子 照相设备主体的导轨等引导单元12可拆卸地安装至电子照相设备主体的处理盒11。
[0198] 当电子照相设备为复印机或打印机时,图像曝光光4可以为来自原稿的反射光或 透过光。可选择地,图像曝光光4可以为通过由传感器读取原稿以转换为信号,并且根据信 号进行激光束的扫描、LED阵列的驱动或液晶快门阵列的驱动而放射的光。
[0199] 本发明的电子照相感光构件1还可以广泛应用于如激光束打印机、CRT打印机、 LED打印机、FAX、液晶打印机和激光制版等电子照相应用领域。
[0200] 实施例
[0201] 下文中,参考具体实例更详细地描述本发明。下述"份"指"质量份"。然而,本发 明不限于此。本文中,各实施例和比较例的电子照相感光构件各层的厚度通过涡电流式厚 度计(Fischerscope,由Fischer Instruments制造)来求得,或者由每单位面积的质量换 算为比重来求得。
[0202] (合成例1)
[0203] 在氮气流的气氛下,将5. 46份邻苯二甲腈和45份α -氯萘放入反应容器中,然后 加热至30°C的温度,然后保持该温度。接着,将3. 75份三氯化镓在该温度(30°C )下放入 其中。放入时的混合液的水分值为150ppm。然后,将温度升高至200°C。接着,在氮气流气 氛下,使所得物在200°C的温度下进行反应4. 5小时,然后冷却,并且当温度达到150°C时, 将所得物过滤,从而获得产物。将过滤的所得产物用N,N-二甲基甲酰胺在140°C的温度下 分散洗涤2小时,然后将所得物过滤,将过滤的所得产物用甲醇洗涤,然后干燥,从而获得 4. 65份氯镓酞菁颜料(产率:71 % )。
[0204] (合成例2)
[0205] 将合成例1中获得的氯镓酞菁颜料(4. 65份)在10°C的温度下溶解在139. 5份 浓硫酸中,在搅拌下将所得溶液滴入620份冰水中以再沉淀,并且使用压滤机过滤。所得湿 滤饼(过滤物)用2%的氨水分散洗涤,然后使用压滤机过滤。接着,将所得湿滤饼(过滤 物)用离子交换水分散洗涤,然后将使用压滤机的过滤重复三次,然后获得固成分为23% 的羟基镓酞菁颜料(含水的羟基镓酞菁颜料)(酸溶处理).
[0206] 接着,将6. 6kg所得羟基镓酞菁颜料(含水的羟基镓酞菁颜料)使用Hyper-Dry 干燥机(产品名称:HD-06R,频率(振荡频率):2455MHz ± 15MHz,由Biocon (Japan) Ltd.制 造)如下干燥。
[0207] 将所得羟基镓酞菁颜料作为从压滤机中取出的物质(含水的滤饼的厚度:4cm以 下)放在专用的圆形塑料托盘中,并且将远红外线设定为关闭和干燥机的内壁温度设定 为50°C。然后,当进行用微波的照射时,调节真空栗和针阀从而将真空度调节为4. 0至 10.0 kPa。
[0208] 首先,第一步骤中,用4. 8kW的微波照射羟基镓酞菁颜料50分钟,然后一旦关闭 微波并且一旦关闭针阀,获得2kPa以下的高真空气氛。此处羟基镓酞菁颜料的固成分为 88%〇
[0209] 第二步骤中,调节针阀从而将真空度(干燥机内的压力)调节为设定值(4.0至 10.0 kPa),然后用1. 2kW的微波照射羟基镓酞菁颜料5分钟,并且一旦关闭微波并一旦关闭 针阀,获得2kPa以下的高真空。将第二步骤再重复一次(总计两次)。此处羟基镓酞菁颜 料的固成分为98%。
[0210] 此外,第三步骤中,除了将第二步骤的微波由1. 2kW变更为0. 8kW以外,以与第二 步骤相同的方式进行用微波的照射。将第三步骤再重复一次(总计两次)。
[0211] 此外,第四步骤中,调节针阀从而将真空度(干燥机内的压力)调节为设定值(4.0 至10.0 kPa),然后用0. 4kW的微波照射羟基镓酞菁颜料3分钟,并且一旦关闭微波并一旦关 闭针阀,获得2kPa以下的高真空。将第四步骤进一步重复七次(总计8次)。
[0212] 如上所述,在总计3小时内获得1. 52kg放入水含量为1%以下的羟基镓酞菁颜料。
[0213] (实施例 1-1)
[0214] 使合成例2获得的羟基镓酞菁(0. 5份)和10份N,N-二甲基甲酰胺通过球磨机 与20份直径为0. 8mm的玻璃珠一起在室温(23°C )和120rpm的条件下进行研磨处理400 小时。通过使用N,N-二甲基甲酰胺从分散液中取出羟基镓酞菁晶体,并且进行过滤并且用 四氢呋喃充分洗涤过滤器。将通过过滤取出的产物在真空下干燥,从而获得〇. 45份羟基镓 酞菁晶体。所得晶体的粉末X射线衍射图示于图2。
[0215] 通过NMR测量确认相对于本实施例获得的羟基镓酞菁晶体内的羟基镓酞菁, N,N-二甲基甲酰胺的含量以质子比计为1. 4质量%。
[0216] (实施例 1-2)
[0217] 除了将实施例1-1的研磨处理时间由400小时变更为2000小时以外,进行与实施 例1-1相同的处理,从而获得〇. 43份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线 衍射与图2示出的粉末X射线衍射相同。
[0218] 通过NMR测量确认相对于本实施例获得的羟基镓酞菁晶体内的羟基镓酞菁, N,N-二甲基甲酰胺的含量以质子比计为0. 8质量%。
[0219] (实施例 1-3)
[0220] 除了将实施例1-1的10份N,N_二甲基甲酰胺变更为10份二甲基亚砜并且将研 磨处理时间由400小时变更为100小时以外,进行与实施例1-1相同的处理,从而获得0. 40 份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射与图2所示的粉末X射线衍射 相同。
[0221] 通过NMR测量确认相对于本实施例获得的羟基镓酞菁晶体内的羟基镓酞菁,二甲 基亚砜的含量以质子比计为2. 0质量%。
[0222] (实施例 1-4)
[0223] 除了将实施例1-3的研磨处理时间由100小时变更为2000小时以外,进行与实施 例1-3相同的处理,从而获得0. 39份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线 衍射与图2所示的粉末X射线衍射相同。
[0224] 通过NMR测量确认相对于本实施例获得的羟基镓酞菁晶体内的羟基镓酞菁,二甲 基亚砜的含量以质子比计为0. 7质量%。
[0225] (实施例 1-5)
[0226] 除了将实施例1-1的10份N,N_二甲基甲酰胺变更为10份N-甲基甲酰胺并且将 研磨处理时间由400小时变更为200小时以外,进行与实施例1-1相同的处理,从而获得 0. 45份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射与图2所示的粉末X射线 衍射相同。
[0227] 通过NMR测量确认相对于本实施例获得的羟基镓酞菁晶体内的羟基镓酞菁,N-甲 基甲酰胺的含量以质子比计为1. 2质量%。
[0228] (实施例 1-6)
[0229] 除了将实施例1-5的研磨处理时间由200小时变更为1000小时以外,进行与实施 例1-5相同的处理,从而获得0. 43份羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X射线 衍射与图2所示的粉末X射线衍射相同。
[0230] 通过NMR测量确认相对于本实施例获得的羟基镓酞菁晶体内的羟基镓酞菁,N
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