8作为掩模蚀刻保护绝缘膜44和栅极绝缘膜42。其结果，如SC和9C所示那样在栅极布线40的端子部上和漏极布线56的端子部上形成开口 43a、43b。这些端子部通过像这样形成的开口 43a、43b来与驱动电路进行连接。具体来说，在后述的工序中，用于形成公共电极80的透明导电膜也被提供给这些开口 43a、43b。其结果，各布线40、56的端子部通过被提供给这些开口 43a、43b的透明导电膜来与驱动电路相连接。
[0091]在蚀刻保护绝缘膜44和栅极绝缘膜42之后，在保护绝缘膜44上形成公共电极80和连结导体84。具体来说，如图10的1A所示那样在保护绝缘膜44上形成透明导电膜89。透明导电膜89的形成例如通过溅射法进行。然后，在透明导电膜89上涂覆抗蚀膜97，经过曝光工序和显影工序，图案形成抗蚀膜97。即，将抗蚀膜97形成为与公共电极80和连结导体84相对应的图案。然后，将图案形成的抗蚀膜97作为掩模，来蚀刻透明导电膜89。其结果，如1B所示那样在保护绝缘膜44上形成公共电极80和连结导体84。此外，在该过程中，对上述的开口43a、43b也提供了透明导电膜，经过蚀刻处理等，仅在开口 43a、43b的部分残留透明导电膜。以上就是第一基板16的制造方法的例子。
[0092]在以上说明的液晶面板10中，栅极布线40具有包含下栅极布线40a和上栅极布线40b的两层结构，该下栅极布线40a由与像素电极70相同的材料形成且位于与像素电极70相同的层，该上栅极布线40b层叠在下栅极布线40a上，由导电率高于像素电极70的透明导电材料的材料形成。因此，通过一次曝光工序能够形成栅极布线40和像素电极70这双方。
[0093]特别地，在液晶面板10中，在与公共电极80相同的层上形成连结导体84，该连结导体84由与该公共电极80相同的材料形成且通过接触孔92、94与TFT 50的源电极54和像素电极70进行连接。由此，能够通过与形成公共电极80相同的工序形成连结导体84。其结果，能够抑制为了连结导体84而增加制造工序。
[0094]此外，在以上的例子中，连结导体84形成在保护绝缘膜44上，通过分开设置的接触孔92、94将源电极54和像素电极70进行了连接。然而，连结导体84也可以在一个接触孔中将源电极54和像素电极70进行连接。图11是表示源电极54与像素电极70的连接结构的另一例的截面图，其切割面与图3相同。此外，在图11中，对与此前所说明的位置相同的部分附加相同的附图标记。
[0095]在本例中，源电极54超过栅极布线40上的区域而朝向像素电极70延伸。源电极54的端部位于像素电极70的上方(在本例中，是连接焊盘32的上方)，从俯视来看与连接焊盘32的一部分相重叠。在保护绝缘膜44和栅极绝缘膜42上形成有贯通于这些膜的接触孔947。一个接触孔形成为使源电极54的端部和连接焊盘32的一部分露出。即，源电极54的端部和连接焊盘32的一部分位于接触孔的内侧。连结导体(连结电极)8f在接触孔94'中被连接在源电极54的端部和像素电极70(在本例中，是连接焊盘32)上。这样的连结导体84'与上述连结导体84相比长度较短，因此能够提高各像素的开口率。此外，连结导体也与连结导体84同样地由与公共电极80相同的材料形成。连结导体能够通过图10所示的工序与公共电极80同时形成。另外，源电极54'能够通过参照图6说明的工序与源电极54同样地形成。
[0096][第二实施方式]
[0097]图12是本发明的第二实施方式所涉及的液晶面板110所具备的第一基板的俯视图。图13和图14是本实施方式的液晶面板110的截面图，分别将用图12的XII1-XIII线和XIV-XIV线表示的面作为切割面。此外，在这些图中，对与以上说明的部分相同的部分附加相同的附图标记。
[0098]在该方式中，由透明导电材料形成的公共电极180被形成在保护绝缘膜44上。在本例中，虽然也在公共电极180上形成了狭缝，但是其形状与上述的公共电极80不同。即，形成在公共电极180上的狭缝形成为从一方的公共布线182朝向另一方的公共布线182斜向延伸。多个狭缝被形成为夹持各像素的中心线C相对称。
[0099]另外，本例的公共布线182如图13所示那样虽然沿着漏极布线56形成，但是没有被形成为覆盖漏极布线56。通过这样能够降低由漏极布线56和公共电极80形成的电容。其结果，能够抑制由漏极布线56进行的影像信号的传送延迟。
[0100]如图14所示，在比公共电极180低的层上形成有辅助公共布线183。辅助公共布线183形成在与上述的栅极布线40和像素电极70相同的层上。即，辅助公共布线183形成在第一基板16上。另外，辅助公共布线183沿着栅极布线40形成。换言之，辅助公共布线183与栅极布线40平行地形成。另外，辅助公共布线183靠近相邻的两个栅极布线40中的一方的栅极布线40。
[0101]辅助公共布线183与上述的栅极布线40同样地具有两成结构。具体来说，辅助公共布线183包含下辅助布线183a和上辅助布线183b，该下辅助布线183a由与像素电极70、下栅极布线40a相同的透明导电材料形成，该上辅助布线183b层叠在下辅助布线183a上，由与上栅极布线40b相同的材料形成。即，上辅助布线183b由导电率高于透明导电材料的材料形成。
[0102]辅助公共布线183与公共电极180电连接。由此，能够降低公共电极180的电阻。在本例中，如图14所示那样在栅极绝缘膜42和保护绝缘膜44上形成有接触孔195。辅助公共布线183通过该接触孔195与公共电极180电连接。
[0103]这样的辅助公共布线183能够在图5所示的与像素电极70和栅极布线40相同的工序中形成。即，在使透明导电膜79、导体膜49以及抗蚀膜99层叠在第一基板16上之后(图5中的5A)，利用多灰阶掩模来形成薄抗蚀膜99A和厚抗蚀膜99B，该薄抗蚀膜99A具有与栅极布线40和辅助公共布线183的形状相对应的图案，该厚抗蚀膜99B具有与像素电极70的形状相对应的图案。通过这样，无需增加曝光工序的次数，就能够形成辅助公共布线183。
[0104]另外，接触孔195在图7所示的形成接触孔92、94的工序中形成。即，在保护绝缘膜44上形成具有与接触孔92、94、195相对应的图案的抗蚀膜(参照图7中的7B)。然后，在蚀刻保护绝缘膜44和栅极绝缘膜42之后，将该抗蚀膜剥离。由此，能够得到接触孔92、94、195。其它的工序与第一实施方式相同。
[0105][第三实施方式]
[0106]图15是本发明的第三实施方式所涉及的液晶面板210所具备的第一基板的俯视图。图16和图17是本实施方式的液晶面板210的截面图，分别将用图15的XV1-XVI线和XVI1-XVII线表示的面作为切割面。此外，在这些图中对与以上说明的部分相同的部分附加相同的附图标记。
[0107]如图15和图16所示，在公共电极180上形成有辅助公共布线283。辅助公共布线283由具有比形成公共电极80的透明导电材料高的导电率的材料形成。具体来说，辅助公共布线283由铜、钼、招等金属形成。由此，能够降低公共电极80的电阻。
[0108]另外，在本例中，辅助公共布线283沿着公共布线82形成，层叠在该公共布线82上。公共布线82如上所述那样被形成在由铜等金属形成的漏极布线56的上方。因此，通过形成辅助公共布线283能够抑制像素的开口率下降。
[0109]如图17所示，在连结导体84上层叠有辅助连结导体284。辅助连结导体284由具有比形成公共电极80、连结导体84的透明导电材料高的导电率的材料形成。具体来说，辅助连结导体284与辅助公共布线283同样地由铜、钼、铝等金属形成。由此，能够降低连结导体84的电阻。
[0110]说明第三实施方式所涉及的第一基板的制造方法。本方式的第一基板16的制造方法与形成第一实施方式所涉及的液晶面板10的第一基板16的工序大致相同，不同点在于图10所示的第四曝光工序。图18A至图18D是表示第三实施方式所涉及的第一基板的制造中的第四曝光工序的图。在图18A至图18D中，(a)是将用图15的XV1-XVI线表示的面作为切割面的截面图，(b)是将用图15所示的XVI1-XVII线表示的面作为切割面的截面图。
[0111]在本方式中，在形成公共电极80、连结导体84时，也利用多灰阶掩模。由此，无需增加曝光工序的次数，就能够形成辅助连结导体284和辅助公共布线283。具体来说，如图18A所示，使透明导电膜89以及用于形成辅助公共布线283和辅助连结导体284的导体膜289层叠在保护绝缘膜44上，并且在导体膜289上形成抗蚀膜97。
[0112]接着，如图18B所示，经过利用多灰阶掩模的曝光工序和显影工序来图案形成抗蚀膜97，在导体膜289上形成厚度不同的