抗蚀膜97A、97B。即，形成具有与公共电极80的形状相对应的图案的薄抗蚀膜97A以及具有与辅助公共布线283和辅助连结导体284的形状相对应的图案的厚抗蚀膜97B ο在此，厚抗蚀膜97B比薄抗蚀膜97A厚。
[0113]接着，如图18C所示那样将薄抗蚀膜97A和厚抗蚀膜97B这双方作为掩模，来蚀刻导体膜289和透明导电膜89。之后，如图18D所示那样将薄抗蚀膜97A剥离。此时，厚抗蚀膜97B以变薄的状态残留。接着，将残留的厚抗蚀膜97B作为掩模来蚀刻导体膜289，之后将厚抗蚀膜97B完全剥离。由此，能够得到图15和图16所示的辅助公共布线283和辅助连结导体284。其它的工序与第一实施方式相同。
[0114][第四实施方式]
[0115]图19是本发明的第四实施方式所涉及的液晶面板310所具备的第一基板的俯视图。图20和图21是本实施方式的液晶面板310的截面图，分别将用图19的XX-XX线盒XX1-XXI线表示的面作为切割面。
[0116]如图19和图20所示，在本方式中，在与漏极布线56相同的层上形成有辅助公共布线383。辅助公共布线383沿着漏极布线56形成。具体来说，辅助公共布线383与漏极布线56平行地形成，并且靠近相邻的两个漏极布线56中的一方的漏极布线56。
[0117]如图20所示，公共布线382位于辅助公共布线383和漏极布线56的上方，并覆盖辅助公共布线383和漏极布线56。即，公共布线382沿着辅助公共布线383和漏极布线56形成，从俯视来看形成为与这些布线相重叠。
[0118]如图21所示，辅助公共布线383通过形成于保护绝缘膜44的接触孔395与公共电极380相连接。在辅助公共布线383上设置有连接部383a，接触孔395形成在连接部383a上。在本例中，连接部383a从辅助公共布线383向沿着栅极布线40的方向突出，位于栅极布线40的上方。由此，能够抑制由于连接部383a而像素的开口率下降。此外，也可以不设置从辅助公共布线383突出的这种连接部383a。即，接触孔395也可以形成在辅助公共布线383上。
[0119]辅助公共布线383与漏极布线56同样地也具有由半导体层60和层叠在半导体层60上的导体层构成的两层结构。即，在本方式中，半导体层60被图案形成为与源电极54、漏电极52、漏极布线56以及辅助公共布线383相对应的形状。
[0120]这样的辅助公共布线383无需增加曝光工序的次数，就能够在形成漏极布线56的工序中形成。具体来说，首先，在参照图6说明的工序中，使半导体层60以及用于形成漏极布线56、辅助公共布线383等的导体膜层叠在栅极绝缘膜42上。接着，在该导体膜上形成抗蚀膜。然后，经过利用多灰阶掩模的曝光工序和显影工序来图案形成抗蚀膜。即，在导体膜上形成与沟道部53对应的图案的薄抗蚀膜和厚抗蚀膜，该厚抗蚀膜具有与具有漏极布线56、辅助公共布线383等两层结构的部分对应的图案。然后，利用这些薄抗蚀膜和厚抗蚀膜，形成沟道部53、源电极54、漏电极52、漏极布线56以及辅助公共布线383。
[0121]另外，接触孔395在图7所示的形成接触孔92、94的工序中形成。即，在保护绝缘膜44上形成具有与接触孔92、94、395相对应的图案的抗蚀膜(参照图7的7B)。然后，在蚀刻保护绝缘膜44和栅极绝缘膜42之后，将该图案形成的抗蚀膜剥离。由此，得到接触孔92、94、395。其它的工序与第一实施方式相同。
[0122][第五实施方式]
[0123]图22和图23是本发明的第五实施方式所涉及的液晶面板410的截面图。图22将与用图2的II1-1II线表示的切割面相同的面作为切割面。图23将与用图2的IV-1V线表示的切割面相同的面作为切割面。
[0124]在该方式中，也与第一实施方式同样地，公共电极80被形成为其一部分位于漏极布线56的上方。具体来说，与公共电极80—体形成的公共布线82位于漏极布线56的上方。在该方式中，在公共布线82与漏极布线56之间形成有附加绝缘部445。附加绝缘部445沿着公共布线82、漏极布线56形成在保护绝缘膜44上。即，附加绝缘部445仅形成在公共布线82与漏极布线56之间，不形成在除此以外的区域上。由此，能够抑制由于附加绝缘部445而透光率下降。
[0? 25]附加绝缘部445由介电常数比保护绝缘膜44低的材料形成。例如，在作为保护绝缘膜44使用Si02、SiNx的情况下，对附加绝缘部445使用相对介电常数为4以下的有机材料。
[0126]尤其是在本实施方式中，附加绝缘部445由通过对保护绝缘膜44的蚀刻处理而能够作为抗蚀膜发挥功能的材料(感光性丙烯酸树脂)形成。由此，无需增加曝光工序的次数，就能够在保护绝缘膜44上形成附加绝缘部445。
[0127]图24是表示形成附加绝缘部445的工序的图。此外，该图中的用24A、24B、24C表示的工序分别对应图7的用7A、7B、7C表示的工序。在此，以与第一实施方式所涉及的制造工序不同的工序为中心进行说明。
[0128]首先，在栅极绝缘膜42上层叠保护绝缘膜44和用于形成附加绝缘部445的抗蚀膜449来覆盖TFT 50。接着，如图24的24A所示那经过曝光工序和显影工序来图案形成抗蚀膜449。在该曝光工序中，将利用多灰阶掩模图案形成的厚度不同的两个抗蚀膜形成在保护绝缘膜44上。即，形成薄抗蚀膜449A和与附加绝缘部445对应的形状的厚抗蚀膜449B，该薄抗蚀膜449A具有接触孔92、94以及形成在栅极布线40、56的端子部上的开口 43a、43b(参照图8至图9)。该厚抗蚀膜449B位于已经形成的漏极布线56的上方，并且沿着漏极布线56形成。
[0129]接着，如24B所示那样蚀刻保护绝缘膜44和栅极绝缘膜42，来形成接触孔92、94以及端子部的开口 43a、43b。接着，如24C所示那样将薄抗蚀膜449A剥离。此时，厚抗蚀膜449B由于接触到剥离液等而变薄。然后，残留的厚抗蚀膜449B形成为附加绝缘部445。之后，经过图10所示的工序，在附加绝缘部445上形成公共布线82。
[0130]尽管已说明了目前被看作为本发明的特定实施例的这些实施例，但应当理解可以对这些实施例进行各种修改，并且意图是所附权利要求书涵盖所有这些修改而落入本发明的真实构思和范围内。
【主权项】
1.一种液晶面板，其具有夹持液晶的第一基板和第二基板;形成在所述第一基板上的薄膜晶体管;形成在所述第一基板上且由透明导电材料形成的像素电极;形成在所述第一基板上且由透明导电材料形成的公共电极;与所述薄膜晶体管相连接的栅极布线，该栅极布线位于与所述像素电极相同的层中；覆盖所述栅极布线和所述像素电极的第一绝缘膜；覆盖所述第一绝缘膜的第二绝缘膜;贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜双方以到达所述像素电极的接触孔;以及位于所述接触孔中的连结导体， 其中，所述薄膜晶体管包括源电极，其位于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间，且该源电极的一部分在所述接触孔处从所述第二绝缘膜露出，所述公共电极形成在所述第二绝缘膜上，并且所述像素电极经由所述连结导体与所述源电极电连接，所述接触孔是用于所述源电极和所述像素电极的电连接的单个接触孔。2.根据权利要求1所述的液晶面板，其中， 所述源电极在俯视观察时与所述像素电极相重叠。3.根据权利要求1所述的液晶面板，其中， 所述源电极的端部从所述第二绝缘膜露出并且与所述连结导体相连接。4.根据权利要求1所述的液晶面板，其中， 所述连结导体由与所述公共电极相同的透明导电材料形成，并且位于与所述公共电极相同的层中。
【专利摘要】本发明提供一种液晶面板、液晶显示装置及其制造方法。栅极布线(40)具有包含下栅极布线(40a)和上栅极布线(40b)的两层结构，该下栅极布线(40a)由与像素电极(70)相同的材料形成，并且位于与像素电极(70)相同的层，该上栅极布线(40b)层叠在该下栅极布线(40a)上，由导电率高于透明导电材料的材料形成。根据该结构，在最上层形成有公共电极的横向电场方式的液晶面板的制造工序中，能够减少曝光的次数。
【IPC分类】G02F1/1343, H01L27/12, G02F1/1362, H01L29/417
【公开号】CN105589271
【申请号】CN201610109957
【发明人】小野记久雄
【申请人】松下液晶显示器株式会社
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2011年11月29日
【公告号】CN102566185A, CN102566185B, US8917370, US9201277, US20120133856, US20150070619, US20150146128, US20160048065