技术总结
一种对MOCVD气体喷淋头预处理的方法，包括提供一反应腔，位于反应腔底部的抽气系统和固定在反应腔顶部的气体喷淋头，所述气体喷淋头内包括位于底部的冷却板和位于顶部的进气管道系统，处理步骤包括向反应腔内充入高压的预处理气体——排出预处理气体——充入空气——排出空气等多个步骤，循环执行上述步骤直到完成对反应腔内气体喷淋头及其它暴露部件的预处理。
技术研发人员：刘英斌;杜志游
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）有限公司
文档号码：201510747873
技术研发日：2015.11.06
技术公布日：2017.05.17