一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种适用于电真空器件的在衬底上形成氧化铬膜的方法，该方法包括如下步骤：在衬底上形成铬膜；在湿氢氛围中，将形成有铬膜的该衬底于900～1300℃温度下保温至铬膜完全氧化成氧化铬膜。该方法降低了在电真空器件上形成高质量的氧化铬薄膜的工艺控制难度，从而减小了电真空器件在高梯度电场下的击穿几率。

技术研发人员：储开荣;刘晓芳;盛兴;李冬凤
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十二研究所
技术研发日：2018.12.29
技术公布日：2019.03.29