一种蒸镀装置和蒸镀方法与流程

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种蒸镀装置和蒸镀方法。

背景技术：

蒸镀装置是广泛的应用在各种镀膜工艺中，以有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)为例，由于oled具有主动发光、不需背光源、视角广、对比度高、反应速度快、可穿戴、使用温度范围广、构造及制程较简单等优势，受到显示技术领域的广泛重视。

与tft-lcd相比，oled在生产成本等方面具有明显的劣势，尤其是oled在蒸镀制程中，一般采用真空蒸镀，蒸镀材料在真空环境下升华气化后，均匀性差，运动缓慢，镀膜均一性较差，生产效率低。

技术实现要素：

本申请的目的是提供一种蒸镀装置和蒸镀方法，提高镀膜均一性和生产效率。

本申请公开了一种蒸镀装置，所述蒸镀装置包括镀膜室、设置于所述镀膜室底部，盛装且加热镀膜材料的坩埚以及设置于所述镀膜室顶部且与所述坩埚相对，夹持待镀膜产品的夹具。其中，所述镀膜室的底部设置有至少一个第一进气孔，所述镀膜室通过第一进气孔通入惰性气体，所述镀膜室设置有至少一个排气孔。

可选的，所述第一进气孔与所述待镀膜的产品在竖直方向上相对置设置。

可选的，所述第一进气孔有多个，每个所述第一进气孔之间间隔相等，呈均匀的矩阵排列分布在坩埚的四周。

可选的，所述镀膜室侧壁设置有至少一个第二进气孔，所述镀膜室通过第二进气孔通入惰性气体。

可选的，所述第二进气孔设置在所述镀膜室侧壁上，且所述第二进气孔的高度，与待镀膜产品和坩埚之间区域对应。

可选的，所述镀膜室侧壁设置有至少一对第二进气孔，每对所述第二进气孔包括第三进气孔和第四进气孔，所述第三进气孔设置在所述镀膜室侧壁的其中一面上，所述第四进气孔设置在所述第三进气的相对面上，且所述第三进气孔与所述第四进气孔位于同一水平线上。

可选的，最底部的所述第二进气孔的高度大于或等于坩埚顶部的高度。

可选的，每个所述第二进气孔开孔方向与水平线的夹角为锐角，所述第二进气孔开孔方向沿进气方向朝向所述镀膜室的顶部。

本申请还公开了一种蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置包括镀膜室、设置于所述镀膜室底部，盛装且加热镀膜材料的坩埚以及设置于所述镀膜室顶部且与所述坩埚相对，夹持待镀膜的显示面板的产品的夹具；其中，所述镀膜室的底部设置有多个与所述待镀膜产品相对置设置的第一进气孔，所述镀膜室侧壁上与所述待镀膜产品和所述坩埚之间区域相对应的区域设置有多个第二进气孔，所述镀膜室通过第一进气孔和第二进气孔通入惰性气体，所述镀膜室的顶部设置有多个排气孔。

本申请还公开了一种用于如上所述蒸镀装置的蒸镀方法，包括步骤：

将所述镀膜材料置于所述坩埚内；将所述待镀膜产品夹持于所述夹具上；

持续通过第一进气孔通入所述惰性气体到所述镀膜室内；

加热所述镀膜材料进行蒸镀。

在本申请中，在镀膜室的底部开设了用于通入惰性气体的第一进气孔。在蒸镀之前，先向镀膜室通入惰性气体将空气排走，让镀膜室充满惰性气体。同时在蒸镀的过程中，不断的保持惰性气体的通入，蒸镀材料加热升华气化，从坩埚内扩散出来，然后被惰性气体带动快速的向待镀膜产品方向运动，镀膜的速度更快，生产效率高。在蒸镀材料气化运动过程中，惰性气体还可以将蒸镀材料混匀，使得蒸镀材料在镀在待镀膜产品前各区域的密度更一致，镀膜均一性好，成膜质量更好，精度更高。

因为充入的惰性气体化学性质不活泼，不容易与蒸镀材料发生反应，即使镀膜室不是原有的相对真空环境，在惰性气体的保护下，蒸镀材料也不会受到空气和水分的影响，保证了蒸镀材料质量不变。本申请在提高了成膜质量、精度以及提高了生产效率的同时，还在镀膜室非相对真空的情况下，保证了蒸镀材料也不会受到空气和水分的影响。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本申请的一实施例一种蒸镀装置的示意图；

图2是本申请的一实施例一种蒸镀方法的流程图；

图3是本申请的一实施例一种第一排气孔排列方式的示意图；

图4是本申请的一实施例另一种蒸镀装置的示意图；

图5是本申请的一实施例另一种蒸镀装置的示意图。

其中，1、镀膜室；11、底部；12、第一进气孔；13、排气孔；14、侧壁；15、第二进气孔；151、第三进气孔；152、第四进气孔；16、顶部；2、坩埚；3、夹具；4、待镀膜产品；5、惰性气体；6、蒸镀材料；7、回收装置。

具体实施方式

需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明。

本申请公开了一种蒸镀装置，如图1所示为蒸镀装置的示意图，所述蒸镀装置包括镀膜室1、设置于所述镀膜室1的底部11，盛装且加热镀膜材料的坩埚2，以及设置于所述镀膜室1的顶部16且与所述坩埚2相对，夹持待镀膜产品4的夹具3。其中，所述镀膜室1的底部11设置有至少一个第一进气孔12，所述镀膜室1通过第一进气孔12通入惰性气体5，所述镀膜室1设置有至少一个排气孔13。

在使用上述蒸镀装置进行蒸镀时，相对应的蒸镀方法如图2所示，包括步骤：

s1：将所述镀膜材料置于所述坩埚内；将所述待镀膜产品夹持于所述夹具上；

s2：持续通过第一进气孔通入所述惰性气体到所述镀膜室内；

s3：加热所述镀膜材料进行蒸镀。

所述镀膜材料气化后，在所述惰性气体5的混匀并推动下，成膜于所述待镀膜产品4上。

蒸镀材料6在相对真空环境下升华气化后，气化后的蒸镀材料6向四周无规则的缓慢扩散，运动缓慢，镀膜效率低下，生产效率低；气化后的蒸镀材料6也会大量扩散到镀膜室1其他非产品4区域上，造成昂贵的蒸镀材料6的浪费；同时，镀膜室1内气化后的蒸镀材料6密度不一，导致镀膜均一性差。

尤其是在oled领域，oled在蒸镀制程中用到的蒸镀材料6非常昂贵，且非常容易受空气和水分的影响而氧化。基于上述原因，业界一般在蒸镀制程中，都要采用真空蒸镀，现有的镀膜室都是密封性非常好的，且还要进行抽真空，在相对真空的环境下进行镀膜，防止镀膜材料受空气和水分的影响而氧化，保证oled对蒸镀的高成膜质量以及高精度的要求。但是又由于oled对蒸镀的成膜的均一性以及精度要求非常高，例如成膜的厚度非常薄，且均一性要求很高，氧化后的镀膜材料成膜在产品4上，对oled的影响非常大。

在本申请中，在镀膜室1的底部11开设了用于通入惰性气体5的第一进气孔12，打破了业界原有的、必须抽真空的偏见。在蒸镀之前，先向镀膜室1通入惰性气体5将空气排走，让镀膜室1充满惰性气体5。同时在蒸镀的过程中，不断的保持惰性气体5的通入，蒸镀材料6加热升华气化，从坩埚2内扩散出来，然后被惰性气体5带动快速的向待镀膜产品4方向运动，镀膜的速度更快，生产效率高。在蒸镀材料6气化运动过程中，惰性气体5还可以将蒸镀材料6混匀，使得蒸镀材料6在镀在待镀膜产品4前各区域的密度更一致，镀膜均一性好，成膜质量更好，精度更高。

因为充入的惰性气体5化学性质不活泼，不容易与蒸镀材料6发生反应，即使镀膜室1不是原有的相对真空环境，在惰性气体5的保护下，oled的蒸镀材料6也不会受到空气和水分的影响，保证了蒸镀材料6质量不变。本申请在提高了成膜质量、精度以及提高了生产效率的同时，还在镀膜室1非相对真空的情况下，保证了蒸镀材料6也不会受到空气和水分的影响。

具体的，所述第一进气孔12的设置位置可以是与坩埚2的设置位置相错开，保证所有的第一进气孔12正常、顺畅的进气，同时也不会影响坩埚2的固定。所述第一进气孔12与所述待镀膜产品4在竖直方向上相对置设置。第一进气孔12与待镀膜产品4对准，惰性气体5从第一进气孔12出来后，将气化的蒸镀材料6更精准的带到待镀膜产品4上镀膜，偏差小，镀膜的效率高，也可以减少镀膜材料的浪费。

所述第一进气孔12可以有多个，多个所述第一进气孔12所在的区域与待镀膜产品4的位置相对应，且待镀膜产品4的正投影与第一进气孔12所在的区域完全重叠。第一进气孔12所在的区域完全与待镀膜产品4的大小相对应，且对准，可以兼顾镀膜效率、效果的同时，进一步节省惰性气体5和蒸镀材料6，降低成本。第一进气孔12所在的区域小于待镀膜产品4的大小，镀膜效率、效果都没有那么好；大于待镀膜产品4的大小，大于待镀膜产品4区域的惰性气体5和蒸镀材料6不容易蒸镀在待镀膜产品4上，导致惰性气体5和蒸镀材料6的浪费。

另外，所述镀膜室1的侧壁14还可以设置有至少一个第二进气孔15，所述镀膜室1同时通过第一进气孔12和第二进气孔15通入惰性气体5。在蒸镀的过程中，气化的蒸镀材料6容易向四周扩散，粘附在镀膜室1的侧壁14上，导致蒸镀材料6的浪费。在第二进气孔15通入惰性气体5，可以将向镀膜室1的侧壁14的蒸镀材料6推向镀膜室1的中间区域，蒸镀材料6不容易粘附在镀膜室1的侧壁14上，节省蒸镀材料6。

所述第二进气孔15可以设置在所述镀膜室侧壁上，且所述第二进气孔15的高度，与待镀膜产品4和坩埚2之间区域对应。气化后的蒸镀材料6从坩埚2中扩散出来，所以气化后的蒸镀材料6大部分都位于待镀膜产品4和坩埚2之间区域。第二进气孔15设置在待镀膜产品4和坩埚2之间区域对应的镀膜室1侧壁14上，通入的惰性气体5直接混匀和带动该区域的蒸镀气体，混匀和带动的效果更好，能更大程度的提高蒸镀材料6和惰性气体5的利用率。

另外，所述第二进气孔15可以是多个，设置在所述镀膜室1四周的侧壁14的。在蒸镀的过程中，气化的蒸镀材料6容易向四周扩散，粘附在镀膜室1四周的侧壁14上，导致蒸镀材料6的浪费。均匀的矩阵排列分布在侧壁14的四周，可以将靠近镀膜室1四周的侧壁14的蒸镀材料6推向镀膜室1的中间区域，蒸镀材料6不容易粘附在镀膜室1四周的侧壁14上，更节省蒸镀材料6。

具体的，每个第二进气孔15之间可以是间隔相等，呈均匀的矩阵排列。这样，第二进气孔15设置密度一致，惰性气体5的单位通入量相同，四周惰性气体5给予气化后的蒸镀材料6的推力一致，蒸镀材料6可以更好的背锁定在镀膜室1的中间区域，进一步防止蒸镀材料6粘附在侧壁14的同时，还可以更多的蒸镀材料6被推送到待镀膜产品4上，节省蒸镀材料6，镀膜效率也高。

另外，所述镀膜室侧壁设置有至少一对第二进气孔15，每对所述第二进气孔15包括第三进气孔151和第四进气孔152，所述第三进气孔151设置在所述镀膜室1侧壁14的其中一面上，所述第四进气孔152设置在所述第三进气的相对面上，且所述第三进气孔151与所述第四进气孔152位于同一水平线上。对于同一水平水平线上的气蒸镀材料6，两端都有惰性气体5推动，更好的将惰性气体5锁定在镀膜室1的中间区域，进一步防止蒸镀材料6粘附在侧壁14的，节省蒸镀材料6，提高镀膜效率。

最底部的所述第二进气孔15的高度可以是大于或等于坩埚2顶部的高度。气化后的蒸镀材料6从坩埚2顶部16进入到镀膜室1内，最底部的所述第二进气孔15的高度可以是大于或等于坩埚2顶部的高度，针对性更强，可以节省惰性气体5的使用。

另外，所述第二进气孔15可以自所述镀膜室1侧壁14上与待镀膜产品4同一水平线处，开始向坩埚2方向排列。可以保证气化后的蒸镀材料6在即将附着在待镀膜产品4上前，锁定在待镀膜产品4附近，不往四周扩散，提高镀膜质量和效率。当然，所述第二进气孔15可以自高于待镀膜产品4所处水平线的所述镀膜室1侧壁14上，开始向坩埚2方向排列。

作为一具体实施例，所述第一进气孔12单位面积的进气速度可以大于所述第二进气孔15单位面积的进气速度，避免第二进气孔15的惰性气体5改变气体向上运动的趋势，保持蒸镀材料6向待镀膜产品4方向运动的趋势。

另外，所述排气孔13可以设置在所述镀膜室1的顶部16，惰性气体5通过排气孔13从镀膜室1排出。排气孔13与镀膜室1的底部11的第一进气孔12相对，进气孔与排气孔13之间的惰性气体5流动方向，与蒸镀材料6的运动方向一致，有利于惰性气体5推动蒸镀材料6运动，以及混匀蒸镀材料6，同时更顺畅的将惰性气体5从镀膜室1排出。

所述镀膜室1的顶部16可以为向外凸起的弧面，所述排气孔13设置在所述镀膜室1的顶部16中间区域。呈弧面的所述镀膜室1的顶部16起到汇集气化后的蒸镀材料6和惰性气体5的作用，提高排气速度。

如图3所示的一种第一进气孔12的排列示意图，每个所述第一进气孔12之间间隔可以是相等的，呈均匀的矩阵排列分布在坩埚2的四周。这样，每一处第一进气孔12的设置密度一致，惰性气体5的单位通入量相同，给予气化后的蒸镀材料6的推力一致，蒸镀材料6可以均匀的到达待镀膜产品4上，镀膜的均一性好，成膜质量高。

如图4所示的一种蒸镀装置的示意图，每个所述第二进气孔15开孔方向与水平线的夹角为锐角，所述第二进气孔15开孔方向沿进气方向朝向所述镀膜室的顶部。惰性气体5通入到镀膜室1后，呈斜向上运动，带动蒸镀材料6向中间区域运动的同时，也带动蒸镀材料6向待镀膜产品4方向运动，镀膜速度更快，镀膜效率更高。

在本申请中，镀膜室1可以加热，加热温度和坩埚2加热温度一致，保证镀膜室1与坩埚2温度一致，气化后的蒸镀材料6扩散到镀膜室1后不容易重新凝华。另外，也可以对惰性气体5进行预加热，加热温度与镀膜室1、坩埚2的温度一致，保证惰性气体5进入镀膜室1后，镀膜室1的温度不会有变化，影响成膜。

所述镀膜室1内的所述惰性气体5可以通过排气孔13直接排到外界，也可以如图5所示的蒸镀装置示意图，设置回收装置7，回收装置7与所述排气孔13连接，对惰性气体5进行压缩回收。

当所述镀膜室1内的所述惰性气体5可以通过排气孔13直接排到外界时，镀膜室1内的压强可以是大于外界压强，外界空气不容易从排气孔13进入镀膜室1。

需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本申请的保护范围。

以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。比如，本申请所述的惰性气体可以是氦(he)、氖(ne)、氩(ar)、氪(kr)、氙(xe)、氡(rn)、气奥(og)中的任意一种。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。