一种半导体元器件金蚀刻装置的制作方法

本实用新型涉及机械技术领域，具体为一种半导体元器件金蚀刻装置。

背景技术：

刻蚀是半导体制造工艺，微电子ic制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理工艺。随着微制造工艺的发展，刻蚀可以通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除多余材料。

目前，现有的通过溶液蚀刻半导体蚀刻装置在使用时，由于溶液喷洒不均匀，导致蚀刻效果较差，影响产品质量，不便于使用。鉴于此，我们提出一种半导体元器件金蚀刻装置。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种半导体元器件金蚀刻装置，以解决上述背景技术中提出的半导体蚀刻装置蚀刻溶液喷洒不均匀的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种半导体元器件金蚀刻装置，包括箱体，所述箱体的前表面设有若干个双开门，所述双开门与所述箱体的连接处设有铰链，所述双开门通过所述铰链与所述箱体铰接，所述箱体的顶壁上设有输液管，所述输液管上安装有若干个喷头，所述箱体的底壁上紧密焊接有工作台，所述箱体的两侧位于所述工作台的上方均设有排液管，所述排液管贯穿所述箱体，所述工作台上设有若干个电机，所述电机的底端紧密焊接有固定环，所述固定环上设有第一螺栓，所述固定环通过所述第一螺栓与所述工作台固定连接，所述电机的输出端上紧密焊接有圆盘，所述圆盘上设有若干个螺孔，所述螺孔内设有第二螺栓，所述电机的上方设有隔板，所述隔板上设有若干个漏液孔，位于所述隔板的中心位置处设有通孔，所述通孔内设有转盘，所述转盘上设有若干个凹槽，所述凹槽的底壁上设有圆孔。

优选的，所述第二螺栓位于所述凹槽内，所述第二螺栓的底端穿过所述圆孔与所述螺孔螺纹连接。

优选的，所述箱体的下表面四角均设置有支撑脚，所述支撑脚的顶端与所述箱体的下表面紧密焊接。

优选的，所述箱体的两侧均设置有可视窗。

优选的，相邻的两个所述隔板之间设有挡板，所述挡板与所述隔板紧密焊接。

优选的，所述喷头设有15-20个，呈线性等间距排列。

优选的，所述电机设有2-4个，呈环形等间距排列。

优选的，所述螺孔和所述凹槽设有相同的个数，均为3-4个，呈环形等间距排列。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该半导体元器件金蚀刻装置，将待蚀刻的半导体材料放置在转盘上，蚀刻溶液通过喷头喷出，电机带动转盘在隔板上的通孔内转动，使得喷出的蚀刻溶液均匀洒在转盘上的半导体材料上，多余的蚀刻溶液通过隔板上的漏液孔流入工作台上，并通过排液管流出箱体进行回收，结构简单，使用方便，解决半导体蚀刻装置蚀刻溶液喷洒不均匀的问题。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型中箱体的内部结构主视图；

图3为本实用新型中电机和隔板的结构示意图；

图4为本实用新型中电机的结构示意图；

图5为本实用新型中隔板的结构示意图；

图6为本实用新型中转盘的结构示意图。

图中：1、箱体；11、双开门；111、铰链；12、输液管；121、喷头；13、工作台；131、排液管；14、支撑脚；15、可视窗；2、电机；21、固定环；211、第一螺栓；22、圆盘；221、螺孔；23、第二螺栓；3、隔板；31、漏液孔；32、通孔；33、转盘；331、凹槽；332、圆孔；34、挡板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“若干”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

实施例1

一种半导体元器件金蚀刻装置，如图1-6所示，包括箱体1，箱体1的前表面设有若干个双开门11，双开门11与箱体1的连接处设有铰链111，双开门11通过铰链111与箱体1铰接，箱体1的顶壁上设有输液管12，输液管12上安装有若干个喷头121，箱体1的底壁上紧密焊接有工作台13，箱体1的两侧位于工作台13的上方均设有排液管131，排液管131贯穿箱体1，工作台13上设有若干个电机2，电机2的底端紧密焊接有固定环21，固定环21上设有第一螺栓211，固定环21通过第一螺栓211与工作台13固定连接，电机2的输出端上紧密焊接有圆盘22，圆盘22上设有若干个螺孔221，螺孔221内设有第二螺栓23，电机2的上方设有隔板3，隔板3上设有若干个漏液孔31，位于隔板3的中心位置处设有通孔32，通孔32内设有转盘33，转盘33上设有若干个凹槽331，凹槽331的底壁上设有圆孔332。

本实施例中，箱体1整体采用不锈钢材质制成，该材质具有良好的耐磨耐腐蚀性，且结构稳固，成本较低等优点，延长箱体1的使用寿命。

进一步的，第二螺栓23位于凹槽331内，第二螺栓23的底端穿过圆孔332与螺孔221螺纹连接，便于利用第二螺栓23将转盘33固定在圆盘22上，同时，利用凹槽331能将第二螺栓23的顶端隐藏在凹槽331内，使得半导体材料放置在转盘33上时更加平稳。

除此之外，喷头121设有15-20个，呈线性等间距排列，本实施例中喷头121的个数优选为20个，便于利用多个喷头121进行蚀刻溶液的喷洒，提高蚀刻溶液喷洒的均匀度。

值得说明的是，电机2设有2-4个，呈环形等间距排列，本实施例中电机2的个数优选为3个，便于利用多个电机2同时工作，提高工作效率。

具体的，螺孔221和凹槽331设有相同的个数，均为3-4个，呈环形等间距排列，本实施例中螺孔221和凹槽331的个数均优选为4个，便于利用螺孔221内的第二螺栓23将转盘33固定在圆盘22上。

更进一步的，工作台13上设有与第一螺栓211相适配的螺孔，使得第一螺栓211与该螺孔螺纹连接，便于电机2的安装和固定。

具体的，转盘33的直径小于通孔32的内径，本实施例中转盘33的直径直径优选为20cm，通孔32的内径优选为22cm，便于转盘33能在通孔32内自由转动，且不与通孔32的内壁产生摩擦。

本实施例中，利用铰链111打开箱体1上设置的双开门11，箱体1内的隔板3上设有通孔32，通孔32内设有转盘33，将待蚀刻的半导体材料放置在转盘33上，并关闭双开门11，将输液管12连通外界高压泵，并将电机2接通外界电源使其工作，高压泵将蚀刻溶液通过喷头121喷出，电机2的输出端设有圆盘22，圆盘22上的螺孔221内设有第二螺栓23，通过转盘33通过第二螺栓23安装有圆盘22上，因此，电机2转动时，转盘33随之一起转动，使得喷出的蚀刻溶液均匀洒在转盘33上的半导体材料上，多余的蚀刻溶液通过隔板3上的漏液孔31流入工作台13上，并通过排液管131流出箱体1进行回收，结构简单，使用方便，解决半导体蚀刻装置蚀刻溶液喷洒不均匀的问题。

实施例2

作为本实用新型的第二种优选的实施例，箱体1的下表面四角均设置有支撑脚14，支撑脚14的顶端与箱体1的下表面紧密焊接，便于利用支撑脚14对箱体1起到支撑作用。

实施例3

作为本实用新型的第三种优选的实施例，箱体1的两侧均设置有可视窗15，便于利用可视窗15观察箱体1内半导体材料的蚀刻情况。

实施例4

作为本实用新型的第四种优选的实施例，相邻的两个隔板3之间设有挡板34，挡板34与隔板3紧密焊接，挡板3能防止半导体材料蚀刻过程中蚀刻溶液发生飞溅。

本实用新型的半导体元器件金蚀刻装置在使用时，利用铰链111打开箱体1上设置的双开门11，箱体1内的隔板3上设有通孔32，通孔32内设有转盘33，将待蚀刻的半导体材料放置在转盘33上，并关闭双开门11，将输液管12连通外界高压泵，并将电机2接通外界电源使其工作，高压泵将蚀刻溶液通过喷头121喷出，电机2的输出端设有圆盘22，圆盘22上的螺孔221内设有第二螺栓23，通过转盘33通过第二螺栓23安装有圆盘22上，因此，电机2转动时，转盘33随之一起转动，使得喷出的蚀刻溶液均匀洒在转盘33上的半导体材料上，多余的蚀刻溶液通过隔板3上的漏液孔31流入工作台13上，并通过排液管131流出箱体1进行回收，结构简单，使用方便，解决半导体蚀刻装置蚀刻溶液喷洒不均匀的问题，便于普及和推广。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例，并不用来限制本实用新型，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。