1.一种半导体元器件金蚀刻装置，包括箱体(1)，其特征在于：所述箱体(1)的前表面设有若干个双开门(11)，所述双开门(11)与所述箱体(1)的连接处设有铰链(111)，所述双开门(11)通过所述铰链(111)与所述箱体(1)铰接，所述箱体(1)的顶壁上设有输液管(12)，所述输液管(12)上安装有若干个喷头(121)，所述箱体(1)的底壁上紧密焊接有工作台(13)，所述箱体(1)的两侧位于所述工作台(13)的上方均设有排液管(131)，所述排液管(131)贯穿所述箱体(1)，所述工作台(13)上设有若干个电机(2)，所述电机(2)的底端紧密焊接有固定环(21)，所述固定环(21)上设有第一螺栓(211)，所述固定环(21)通过所述第一螺栓(211)与所述工作台(13)固定连接，所述电机(2)的输出端上紧密焊接有圆盘(22)，所述圆盘(22)上设有若干个螺孔(221)，所述螺孔(221)内设有第二螺栓(23)，所述电机(2)的上方设有隔板(3)，所述隔板(3)上设有若干个漏液孔(31)，位于所述隔板(3)的中心位置处设有通孔(32)，所述通孔(32)内设有转盘(33)，所述转盘(33)上设有若干个凹槽(331)，所述凹槽(331)的底壁上设有圆孔(332)。
2.根据权利要求1所述的半导体元器件金蚀刻装置，其特征在于：所述第二螺栓(23)位于所述凹槽(331)内，所述第二螺栓(23)的底端穿过所述圆孔(332)与所述螺孔(221)螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的半导体元器件金蚀刻装置，其特征在于：所述箱体(1)的下表面四角均设置有支撑脚(14)，所述支撑脚(14)的顶端与所述箱体(1)的下表面紧密焊接。
4.根据权利要求1所述的半导体元器件金蚀刻装置，其特征在于：所述箱体(1)的两侧均设置有可视窗(15)。
5.根据权利要求1所述的半导体元器件金蚀刻装置，其特征在于：相邻的两个所述隔板(3)之间设有挡板(34)，所述挡板(34)与所述隔板(3)紧密焊接。
6.根据权利要求1所述的半导体元器件金蚀刻装置，其特征在于：所述喷头(121)设有15-20个，呈线性等间距排列。
7.根据权利要求1所述的半导体元器件金蚀刻装置，其特征在于：所述电机(2)设有2-4个，呈环形等间距排列。
8.根据权利要求1所述的半导体元器件金蚀刻装置，其特征在于：所述螺孔(221)和所述凹槽(331)设有相同的个数，均为3-4个，呈环形等间距排列。