技术特征：
1.一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层，其特征在于，该涂层包括依次设于基底(1)上的ti层(2)、tin层(3)、ticn层(4)以及ticn/a
‑
c层(5)，其中ticn/a
‑
c层(5)为ticn/非晶碳复合涂层。2.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层，其特征在于，所述的ti层(2)的厚度为0.2
‑
0.4μm。3.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层，其特征在于，所述tin层(3)的厚度为0.4
‑
0.6μm。4.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层，其特征在于，所述ticn层(4)的厚度为0.6
‑
0.8μm。5.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层，其特征在于，所述ticn/a
‑
c层(5)的厚度为0.8
‑
1.0μm。6.如权利要求1至5任一项所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层的制备方法，其特征在于，该方法包括：通过物理气相沉积法依次在基体(1)上沉积ti层(2)、tin层(3)、ticn层(4)以及ticn/a
‑
c层(5)。7.根据权利要求6所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层的制备方法，其特征在于，所述的ti层(2)的物理气相沉积过程中，真空度为0.3
‑
0.8pa，沉积温度为420
‑
480℃，偏压为
‑
420v至
‑
380v，金属ti靶电流为100
‑
140a，沉积时间为5
‑
10min。8.根据权利要求6所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层的制备方法，其特征在于，所述的tin层(3)的物理气相沉积过程中，n2气压为0.8
‑
1.2pa，沉积温度为420
‑
480℃，偏压为
‑
320v至
‑
280v，金属ti靶电流为100
‑
140a，沉积时间为10
‑
15min。9.根据权利要求6所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层的制备方法，其特征在于，所述的ticn层(4)的物理气相沉积过程中，n2与c2h2总气压为0.8
‑
1.2pa，n2与c2h2的体积流量比为(4.8
‑
5.2):1，沉积温度为420
‑
480℃，偏压为
‑
220v至
‑
180v，金属ti靶电流为160
‑
200a，沉积时间为15
‑
20min。10.根据权利要求6所述的一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层的制备方法，其特征在于，所述的ticn/a
‑
c层(5)的物理气相沉积过程中，n2与c2h2总气压为0.8
‑
1.2pa，n2与c2h2的体积流量比为(2.8
‑
3.2):1，沉积温度为420
‑
480℃，偏压为
‑
120v至
‑
80v，金属ti靶电流为100
‑
140a，沉积时间为20
‑
25min。
技术总结
本发明涉及一种物理气相沉积金属陶瓷复合自润介质涂层及制备方法，其中涂层包括通过物理气相沉积法依次设于基底上的Ti层、TiN层、TiCN层以及TiCN/a
技术研发人员：陈强 张而耕 周琼 黄彪 梁丹丹 李朝明
受保护的技术使用者：上海离原环境科技有限公司
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2021/10/11