。在一些其它的【具体实施方式】中，含氧化合物，例如过氧化氢、水或其混合物，经过非等离 子体激活可被分解或裂解（即，热处理）。依然在一些其它的【具体实施方式】中，在基板的近 端或远端或者基板通道处产生（例如，通过电晕放电）臭氧，从而可将臭氧供应给基板表 面。在一些【具体实施方式】中，步骤608和步骤610的次序可重复二至五次。
[0063] 614中，方法600包括，通过将基板支撑的表面与另一种非羟基化含硅前体或金属 有机前体接触从而在该表面上化学吸附第二前体，然后，616中，向表面提供活性氧物质，在 一些【具体实施方式】中，以上述同样的方式提供。在一些【具体实施方式】中，在进行620前，步 骤614和步骤616的次序可重复二次或更多次（如618所示）。在一些【具体实施方式】中，步 骤614和步骤616的次序可重复二至五次。
[0064] 620中，重复方法600直至在基板上形成厚度为5〇〇在或更少的金属-硅-氧化 物膜。在一些【具体实施方式】中，可重复方法600直至基板至少被膜封装。
[0065] 上述的铝-硅-氧化物膜和钛-硅-氧化物膜的沉积过程，包括生长速率和阻隔 性能，被认为对基板温度相对不敏感。根据在70~KKTC范围内进行的试验认为，本文公 开的金属-硅-氧化物混合物可在较宽的温度范围内形成。非限制性温度范围包括50~ 120°C和 25 ~200°C。
[0066] 同样地，也认为沉积过程对总压的变化相对不敏感。认为本文公开的金属-硅-氧 化物混合物可在约〇. 001~10托的压力范围内形成。在一些没有使用直接等离子体（例 如，前体热激活，远程臭氧产生，或远程等离子体产生）的其它【具体实施方式】中，压力可高 于10托或低于0. 001托。
[0067] 为了本发明的内容和权利要求书，根据ASTMF1249-06(2011)《使用调制红外 传感器测试水蒸汽通过塑料膜和薄板透过率的标准方法》，在38°C(+/_0. 1°C)和90% RH下测量WVTR，但检测仪配置有库伦传感器，该传感器包括用五氧化二磷（P205)涂覆 的电极，而不是调制红外传感器。在下述试验结果中，使用膜康公司（M0C0N)的阿夸特 伦（Aquatran⑥）WVTR测试仪（表示为仪器"M0C"）或伊利诺斯（Illinos)仪器模型 7001WVTR测试系统（表示为仪器"II"）进行WVTR测量。膜康公司（M0C0N)的阿夸特伦 (Aquatran)和伊利诺斯（Illinos)仪器7001测试系统均增加一个包括用P205涂覆的电极， 以具有比红外传感器提高的敏感性。膜康公司（M0C0N)的阿夸特伦（Aquatran)仪器的可 靠的测量限为约5 X 10 4g/m2/天，而配置红外传感器的测试仪通常的下限为约5 X 10 2g/m2/ 天。其它可用的方法规范包括DINENISO15106-3(2005)。可能随着时间的推移，可以开 发或发现改进的测试方法、传感器和仪器以提供提高的敏感性，下限可低至5 X 10 6g/m2/天 或更低，并具有提高的精确度；并可能对这些提高的测试方法使用公认标准。未来的测试方 法、传感器、仪器和标准，在一定程度上，提供比本文公开的收集WVTR数据的测试方法改进 的敏感性和精确度，它们也可用于测量本权利要求书的WVTR。
[0068] 在不脱离本发明的基本原则下，对上述【具体实施方式】的细节进行的多种改变对本 领域技术人员来说将是显而易见的。因此，本发明的范围仅由随后的权利要求书决定。
【主权项】
1. 一种在基板（210)上形成阻隔膜（200)的方法（600)，该方法包括： 重复（620)下述顺序的步骤，直至在基板上形成厚度为500埃或更小的混合金 属-硅-氧化物膜： (a) 通过使基板支撑的表面与一种非羟基化含硅前体或金属有机前体接触，从而在所 述表面上化学吸附（608)第一前体； (b) 步骤（a)后，向所述表面提供（610)活性氧物质； (c) 通过使所述表面与另一种非羟基化含硅前体和含金属前体接触，从而在所述表面 上化学吸附（614)第二前体；以及 (d) 步骤（c)后，向所述表面提供（616)活性氧物质。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，在进行步骤（c)和步骤（d)前，重复步骤（a)和 (b)二至五次。3. 根据权利要求1所述的方法，其中，向所述表面提供活性氧物质包括通过裂解干燥 的含氧化合物来形成活性氧物质。4. 根据权利要求3所述的方法，其中，所述干燥的含氧化合物包括下述气体中的一种 或多种：干燥的空气，氧气（O2)，一氧化碳（CO)，二氧化碳（CO 2)，一氧化氮（NO)，二氧化氮 (NO2)，或NjPCO 2的混合物。5. 根据权利要求3所述的方法，其中，裂解含氧化合物包括热裂解干燥气态的含氧化 合物以形成活性氧物质。6. 根据权利要求3所述的方法，其中，裂解干燥的含氧化合物包括对干燥气态的含氧 化合物进行等离子体激发以形成氧自由基。7. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硅前体包括三（二甲氨基）硅烷、四（二 甲氨基）硅烷、双（叔丁胺）硅烷、三芳胺、双（二乙基氨基）硅烷或六乙胺乙硅烷中的一 种或多种。8. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属有机前体包括三甲基铝（TM)、四氯化 钛（TiCl4)或二乙基锌（Zn(C 2H5)2)中的一种或多种。9. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括在200°C或更低的温度下重复所述顺序。10. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合金属-硅-氧化物膜基本上由一种膜 组成，该种膜选自由AlxSi yOJ莫、Ti xSiy0z膜和Zn xSiy0z膜组成的组。11. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合金属-硅_氧化物膜的折射率为1. 8 或更低。12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述混合金属-硅-氧化物膜的折射率为 1. 5 ~1. 8〇13. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合金属-硅-氧化物膜的水蒸汽透过率 为3X 10 ig/m2/天或更低。14. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括： 将非羟基化含硅前体引入第一区； 将含金属前体引入第二区，所述第二区与第一区是隔离开的； 将干燥的含氧化合物引入位于第一区和第二区之间的隔离区，从而在隔离区与第一区 和第二区之间产生正压差； 在基板和前体区之间产生相对移动；以及 在隔离区中接近基板处裂解干燥的含氧化合物，从而产生活性氧物质。15. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括用阻隔膜封装基板。16. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板是刚性的。17. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括有机发光二极管。18. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括照明控制板。19. 一种沉积在基板（210)上的防潮层（200)，包括金属-硅-氧化物混合物薄膜，该 薄膜的厚度小于500埃，折射率为1. 8或更小。20. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述防潮层的折射率为1. 5~1. 8。21. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述防潮层的水蒸汽透过率为3X 10 i/ni2/ 天或更低。22. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述金属-硅-氧化物膜基本上由一种膜组 成，该种膜选自由AlxSi yOJ莫、Ti xSiyOz膜和Zn xSiyOz膜组成的组。23. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述基板为柔性聚合物膜，其玻璃化温度为 约200 °C或更低。24. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述基板为折射率是1. 8或更小的柔性聚合 物膜。25. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述防潮层封装所述基板。26. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述基板是刚性的。27. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述基板包括有机发光二极管显示器。28. 根据权利要求19所述的防潮层，其中，所述基板包括照明控制板。
【专利摘要】本发明公开了一种形成混合金属-硅-氧化物阻隔薄膜(200)的方法(600)。例如，一种形成折射率为1.8或更小的铝-硅-氧化物混合物的方法，包括使基板(210)依次接触非羟基化含硅前体、活性氧物质和含金属前体，直至在基板上形成厚度为500埃或更小的混合金属-硅-氧化物膜。
【IPC分类】C23C16/00, C23C16/44
【公开号】CN105143501
【申请号】CN201480005971
【发明人】艾瑞克R·迪基, 布莱恩·拉森·丹费斯
【申请人】路特斯应用技术有限责任公司, 凸版印刷有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2014年2月26日
【公告号】EP2922979A1, US20140242736, WO2014134204A1