一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法与流程

技术特征：
1.一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶体硅生长过程中，向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，所述含氧元素气体或所述掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在所述晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，得到富含氧元素的富氧层，长晶完成后得到晶体硅，根据所述富氧层的生长界面获得所述晶体硅的生长界面，根据所述富氧层在所述晶体硅中的高度或所述富氧层的厚度计算得到所述晶体硅的生长速度。2.如权利要求1所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，在所述晶体硅生长过程中引入至少一次所述含氧元素气体或所述掺杂有硅氧化物粉末的气体，得到至少一层所述富氧层。3.如权利要求2所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，所述每次引入所述含氧元素气体或所述掺杂有硅氧化物粉末的气体的时间为至少10s。4.如权利要求2所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，每相邻两次引入所述含氧元素气体或所述掺杂有硅氧化物粉末的气体的时间间隔为至少6min。5.如权利要求2所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，根据所述富氧层的厚度计算得到在所述富氧层位置处所述晶体硅的生长速度，所述生长速度的计算公式为：生长速度(mm/s)＝任一富氧层的厚度/制得所述富氧层所引入的含氧元素气体或所述掺杂有硅氧化物粉末的气体的时间。6.如权利要求2所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，所述晶体硅中包括至少两层富氧层，分别为第一富氧层和第二富氧层，根据所述第一富氧层和所述第二富氧层之间的垂直距离计算得到所述第一富氧层和所述第二富氧层之间位置处所述晶体硅的生长速度，所述生长速度的计算公式为：生长速度(mm/s)＝所述第一富氧层和所述第二富氧层之间的垂直距离/制得所述第一富氧层后至开始制备所述第二富氧层的时间间隔。7.如权利要求1或2所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，所述含氧元素气体为氧气、水蒸气、碳氧化物和氮氧化物中的至少一种。8.如权利要求1或2所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，所述掺杂有硅氧化物粉末的所述气体为氩气或所述含氧元素气体，所述硅氧化物粉末在所述氩气或所述含氧元素气体中的掺杂浓度为大于0g/cm3且小于等于1.76g/cm3。9.如权利要求1或2所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，以氧元素计，每次引入的所述含氧元素气体中氧元素流量或所述掺杂有硅氧化物的气体中氧元素流量至少为1g/min。10.如权利要求1或2所述的表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，其特征在于，长晶完成得到所述晶体硅后，对所述晶体硅进行少子寿命测试、红外测试或光致发光测试，根据测试结果图谱获得所述富氧层的生长界面、所述富氧层在所述晶体硅中的高度和所述富氧层的厚度。