技术总结
本发明提供了一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，包括以下步骤：在晶体硅生长过程中，向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，得到富含氧元素的富氧层，长晶完成后得到晶体硅，根据富氧层的生长界面获得晶体硅的生长界面，根据富氧层在晶体硅中的高度或富氧层的厚度计算得到晶体硅的生长速度。本发明在晶体硅生长过程中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，氧元素在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，从而在晶体中形成富氧层，根据富氧层可以表征晶体硅生长界面和生长速度，表征精确度较高。
技术研发人员：钟德京;邱家梁;张涛;黄伟冬;邹军
受保护的技术使用者：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
文档号码：201610136770
技术研发日：2016.03.10
技术公布日：2017.11.28