技术特征：
1.一种aln晶片的批量掺杂装置，其特征在于：所述批量掺杂装置至少包括一容器与以及与每容器所匹配的一多孔载物片；所述多孔载物片采用密集规律排布的开孔设计；所述批量掺杂装置还包括一压盖与一覆盖片；所述容器为上开口，所述容器内底部设置一个或多个均匀排列的凹槽，用于放置掺杂物质；所述容器内壁设置有一载物台阶，所述载物台阶包括一个台阶面，即第二台阶面，所述第二台阶面朝上设置；所述多孔载物片搁置于所述第二台阶面，将所述容器内分割为上下两个空间；待掺杂的氮化铝晶片搁置于所述多孔载物片上；所述覆盖片搭接在容器的上沿面，所述压盖盖于所述覆盖片上。2.根据权利要求1所述一种aln晶片的批量掺杂装置，其特征在于：所述容器的外壁设置有定位台阶，用于多层容器间的两两搭接组合，所述定位台阶至少包括一个台阶面，即第一台阶面，所述第一台阶面朝下设置。3.根据权利要求2所述一种aln晶片的批量掺杂装置，其特征在于：所述批量掺杂装置包括两个或两个以上的容器，所有容器进行上下两两搭接，假设搭接的其中上下两个容器分别为容器一与容器二，所述容器一的第一台阶面的下部伸入与其搭接的容器二的开口内，所述容器一的第一台阶面与容器二的上沿面相接；在容器一的上面或者容器二的下面继续搭接其他容器，实现多个容器的两两相接；且上下层容器各形成密闭的环境，所述覆盖片搭接在最上端容器的上沿面，压盖再盖于覆盖片上，形成密闭腔室。4.根据权利要求1所述一种aln晶片的批量掺杂装置，其特征在于：所述多孔载物片的尺寸能放置10mm-100mm直径的单片或多片氮化铝晶片。5.权利要求1所述一种aln晶片的批量掺杂装置，其特征在于：所述多孔载物片的边缘留有5-30mm的无孔区域用于放置于容器内壁的载物台阶上时，与所述第二台阶面搭接。6.权利要求1所述一种aln晶片的批量掺杂装置，其特征在于：所述多孔载物片上规律排布的开孔采用相同孔径、相同孔间距。7.权利要求6所述一种aln晶片的批量掺杂装置，其特征在于：所述多孔载物片上规律排布的开孔的孔径2-20mm，孔中心间距2.5-30mm。
技术总结
本实用新型提供了一种AlN晶片的批量掺杂装置，该装置至少包括一容器与以及与每容器所匹配的一多孔载物片；多孔载物片采用密集规律排布的开孔设计；该装置还包括一压盖与一覆盖片；容器内底部设置一个或多个均匀排列的凹槽，用于放置掺杂物质；容器内壁设置有一载物台阶，所述载物台阶包括一个台阶面，多孔载物片搁置于该台阶面，将容器内分割为上下两个空间；待掺杂的氮化铝晶片搁置于多孔载物片上；容器的外壁设置有定位台阶，用于多层容器间的两两搭接组合；覆盖片搭接在最顶部容器的上沿面，压盖盖于所述覆盖片上。该装置可实现均匀的扩散和掺杂、多种元素的同时掺杂以及同时的批量掺杂。批量掺杂。批量掺杂。
技术研发人员：吴亮 李哲 王琦琨 雷丹 黄嘉丽 张刚 赵寅廷
受保护的技术使用者：奥趋光电技术（杭州）有限公司
技术研发日：2021.09.23
技术公布日：2022/3/19