不含有玻璃粉)涂敷所述陶瓷基板的表面。例如，将硅溶胶用无尘布浸溃后涂擦陶瓷基板的表面。当然，硅溶胶仅仅是一种示例，在用有机粘结剂涂敷所述陶瓷基板的表面之前，也可采用其它与陶瓷基板的成分和性能基本相符的溶胶、浆料或悬浮液来涂敷所述陶瓷基板的表面；玻璃粉也仅仅是一种示例，也可采用其它无机高温粘结剂来加入硅溶胶中。
[0055]对所述陶瓷基板的表面进行表面处理例如还可以包括:在用有机粘结剂涂敷所述陶瓷基板的表面之后，用有机溶剂湿润所述陶瓷基板的表面上形成的有机粘结剂(例如PVB)涂层。较佳的是，该有机溶剂可以是酒精。
[0056]对所述陶瓷基板的表面进行表面处理例如还可以包括:在用硅溶胶(含有玻璃粉或不含有玻璃粉)涂敷所述陶瓷基板的表面之前，用丙酮、酒精等有机溶剂将陶瓷基板的表面擦干净。
[0057]在将流延片贴放到陶瓷基板的表面上之前，还要剪裁好流延片，将其从PET流延载体膜中剥离。然后将剪裁好且剥离出的流延片展开，像贴手机屏幕保护膜一样将流延片贴放到陶瓷基板的表面上。
[0058]贴放的流延片可以是单层流延片或多层流延片。在贴放多层流延片的情况下，可先对陶瓷基板的表面进行表面处理，将第一流延片贴放到陶瓷基板的表面上；再对第一流延片的表面进行表面处理，将第二流延片贴放到第一流延片的表面上；以此类推……
[0059]陶瓷基板可以是平面基板或曲面基板。
[0060]在陶瓷基板是平面基板的情况下，压合可采用真空热压。在流延片上放置PET膜，然后放置橡胶垫片，然后放置重物(例如钢板或铁板)压实。真空热压的温度可以是50-95 0C，压力可以是4-30MPa，取决于压机的能力和基板的抗压强度和表面致密度。较佳的是，真空热压的压合温度为70°C左右。
[0061]图2示出了本发明一实施方式的用于将流延片贴压到陶瓷基板上的方法中的压合步骤的典型结构示意图，其中陶瓷基板是平面基板。
[0062]在真空热压过程中，为了使压力均匀施加，如图2所示，在陶瓷基板101的下面，放置硅酸铝纤维毡104，再放置橡胶垫片105 ;而在陶瓷基板101的上面，即有流延片102的一面，放置PET膜103，再放置硅酸铝纤维毡104，再放置橡胶垫片105。
[0063]此外，为了进一步使压力均匀施加，还可在重物(钢板)和橡胶垫片105之间再设置牛皮纸。
[0064]当然，本领域技术人员在本发明公开内容的基础上可以理解，硅酸铝纤维毡、橡胶垫片、牛皮纸等仅仅是为了使压力均匀施加，不是解决将流延片贴压到陶瓷基板上的这一技术问题的必要部件。即使不采用硅酸铝纤维毡、橡胶垫片、牛皮纸等，也能将流延片较佳地贴压到陶瓷基板上。
[0065]PET膜仅仅是为了防止流延片粘附到钢板或铁板的重物上或硅酸铝纤维毡、橡胶垫片、牛皮纸等其它压合部件上的一种材料膜，本领域技术人员在本发明公开内容的基础上可以理解，也可采用其它防粘附膜来替代PET膜。
[0066]在陶瓷基板是曲面基板的情况下，压合可采用温等静压。用真空袋包裹，抽空和密封，一个大气压的压力可使流延片贴牢。温等静压的温度可以是50-95°C，压力可以是4-30MPa。较佳的是，温等静压的压合温度为70°C左右。
[0067]在对流延片和陶瓷基板进行压合之后，进行的排胶和烧结过程例如可如下:在氧化性(空气)炉中，在550°C以下排胶10-20小时，然后在900°C以下烧结(取决于流延片的烧结温度和流延片是否有一定熔点的金属微结构)。
[0068]流延片上可以设有金属微结构图案或不设有金属微结构图案。
[0069]在流延片上不设有金属微结构图案的情况下，在真空热压过程中，可将PET膜直接放直在流延片上。
[0070]在流延片上设有金属微结构图案的情况下，在真空热压过程中，则不能将PET膜直接放置在流延片上，否则在真空热压后，脱开PET膜将粘拉走一部分导体浆料，破坏金属微结构图案的线条完整性。例如，可用另一流延片覆盖或用一张能耐80°C温度、但又很容易烧掉的极薄的纸(如天平称量纸)覆盖，然后用PET膜覆盖。
[0071]较佳的是，陶瓷基板和流延片属于氧化物，例如氧化硅、氧化铝等，内部的相组成可以是晶体，也可以是玻璃态，或者二者兼有。
[0072]实施例1
[0073]用毛刷浸蘸去离子硅溶胶(浓度25 %，水基胶体)，在石英陶瓷基板表面刷涂，干燥后用陶瓷刀或剥离片刮去不平或多余的硅胶(已成粉状)。硅溶胶中的氧化硅先驱体是纳米级别的颗粒，能渗入到基体表面的微孔隙之中，同时纳米S12具有较好的烧结性能，有利于后续流延片在陶瓷基板上的粘结或烧结。
[0074]用3:2酒精和丁酮的混合溶剂，在其中加入粉；用磁力搅拌2小时，形成均匀的、有粘性的PVB溶液。然后用无尘纸蘸取PVB溶液，在硅溶胶处理过的表面上涂均匀，且控制厚度大约小于100微米，要求用手指按时，手指感到粘性。
[0075]如果太干，要用酒精蘸纸轻微湿润。
[0076]然后立即将流延片贴放到陶瓷基板的表面上。流延片是单层的，无丝网印刷的金属微结构图案。可用PET膜放置在流延片上作为隔膜。
[0077]在后续的排胶和烧结过程中，PVB、溶剂(水或有机溶剂)和流延片中的有机物将会被去除，导致陶瓷基板表面只有陶瓷相、玻璃相和金属导体图案。
[0078]实施例2
[0079]用毛刷浸蘸去离子硅溶胶(浓度25 %，水基胶体)，在石英陶瓷基板表面刷涂，干燥后用陶瓷刀或剥离片刮去不平或多余的硅胶(已成粉状)。硅溶胶中的氧化硅先驱体是纳米级别的颗粒，能渗入到基体表面的微孔隙之中，同时纳米S12具有较好的烧结性能，有利于后续流延片在陶瓷基板上的粘结或烧结。
[0080]用3:2酒精和丁酮的混合溶剂，在其中加入粉；用磁力搅拌2小时，形成均匀的、有粘性的PVB溶液。然后用无尘纸蘸取PVB溶液，在硅溶胶处理过的表面上涂均匀，且控制厚度大约小于100微米，要求用手指按时，手指感到粘性。
[0081]如果太干，要用酒精蘸纸轻微湿润。
[0082]然后立即将流延片贴放到陶瓷基板的表面上。流延片是单层的，有丝网印刷的金属微结构图案。可用另一流延片覆盖或用一张能耐80°C温度、但又很容易烧掉的极薄的纸(如天平称量纸)覆盖该有丝网印刷的金属微结构图案的流延片，然后用PET膜覆盖。
[0083]在后续的排胶和烧结过程中，PVB、溶剂(水或有机溶剂)和流延片中的有机物将会被去除，导致陶瓷基板表面只有陶瓷相、玻璃相和金属导体图案。
[0084]以上对本发明的【具体实施方式】进行了描述，但本领域技术人员将会理解，上述【具体实施方式】并不构成对本发明的限制，本领域技术人员可以在以上公开内容的基础上进行多种修改，而不超出本发明的范围。
【主权项】
1.一种用于将流延片贴压到陶瓷基板上的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤: 对所述陶瓷基板的表面进行表面处理； 将所述流延片贴放到所述陶瓷基板的所述表面上； 在50-95°C的温度下，对所述流延片和所述陶瓷基板进行压合。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述陶瓷基板的表面进行表面处理包括:用有机粘结剂涂敷所述陶瓷基板的表面。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述有机粘结剂是PVB粘性溶液或增粘树脂。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述陶瓷基板的表面进行表面处理还包括:在用有机粘结剂涂敷所述陶瓷基板的表面之前，用与陶瓷基板的成分和性能基本相符的溶胶、浆料或悬浮液涂敷所述陶瓷基板的表面。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述与陶瓷基板的成分和性能基本相符的溶胶、浆料或悬浮液是硅溶胶。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硅溶胶含有无机高温粘结剂。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述无机高温粘结剂是玻璃粉。
8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述陶瓷基板的表面进行表面处理还包括:在用有机粘结剂涂敷所述陶瓷基板的表面之后，用有机溶剂湿润所述陶瓷基板的表面上形成的有机粘结剂涂层。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂是酒精。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括:在对所述流延片和所述陶瓷基板进行压合之后，进行排胶和烧结。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流延片是单层流延片或多层流延片。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板是平面基板或曲面基板。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压合是真空热压或温等静压。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，压合压力为4-30MPa。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，压合温度为70°C。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流延片上设有金属微结构图案。
17.—种流延片-陶瓷基板组件，其特征在于，根据权利要求1至16中任一项所述的方法来制备。
【专利摘要】本发明涉及用于将流延片贴压到陶瓷基板上的方法及制得组件。该用于将流延片贴压到陶瓷基板上的方法包括以下步骤：对所述陶瓷基板的表面进行表面处理；将所述流延片贴放到所述陶瓷基板的所述表面上；在50-95℃的温度下且在4-30MPa的压力下，对所述流延片和所述陶瓷基板进行压合。本发明的用于将流延片贴压到陶瓷基板上的方法能起到以下有益技术效果：能将流延片理想地结合到陶瓷基板上，使得根据该方法制得的流延片-陶瓷基板组件具备理想的结合强度。
【IPC分类】C04B37-02
【公开号】CN104557100
【申请号】CN201310513372
【发明人】不公告发明人
【申请人】深圳光启创新技术有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月25日