制成坯体； g、 烧结：将步骤f制得的坯体置于石墨坩埚或钥坩埚中，并埋入隔离粉，埋烧的隔离粉 为Si3N4和BN的混合物，接着用箱式炉或隧道窑将埋于隔离粉中的坯体在常压下进行烧结， 隧道窑分为依次连接的排胶区、烧结区和冷却区，排胶区、烧结区和冷却区的温度分别为 500°C、1650°C、10(TC，坯体分别在排胶区、烧结区和冷却区的烧结时间为311、211、911，烧结气 氛为氮气和氢气混合气体，氢气在混合气体中的体积百分比为40%，氮气在混合气体中的体 积百分比为60%，控制混合气体中水蒸汽的露点温度低于45°C，坯体烧结制得陶瓷加热体 半成品； K接电极：将陶瓷加热体半成品的两端或者侧部进行表面镀镍处理，再于镀镍处理后 的部位进行钎焊引出电极，制得陶瓷加热体成品。
[0030] 实施例3。
[0031] 本实施例的一种叠层共烧的陶瓷加热体的制备工艺，它包括以下工艺步骤： a、 混料：按质量百分比称取75%的Si3N4、8%的Mg0、4%的Y20 3、4%的Al203、3%的Si02、 3%的La 203、3%的BN并混合搅拌均匀，制成陶瓷基片粉料； b、 球磨：将步骤a制得的陶瓷基片粉料加入研磨球、溶剂和胶粘剂并放入球磨罐中进 行湿法球磨，湿法球磨的时间为14h ; c、 脱泡：将步骤b中湿法球磨后的混合料在真空条件下进行脱泡； d、 成型与干燥：将步骤c中的混合料用流延机流延制成陶瓷基片或者使用轧膜设备轧 制成陶瓷基片，并将陶瓷基片进行干燥； e、 印刷：通过丝网印刷工艺将电阻浆料印刷经步骤d中干燥后的陶瓷基片表面，电阻 浆料在陶瓷基片的表面形成往复回折结构的发热线路；电阻浆料由质量百分比为75%的固 相物和25%的载体组成；固相物由质量百分比为70%的钥和30%的玻璃相组成；玻璃相由 75% 的 Si3N4、8% 的 Mg0、4% 的 Υ203、4% 的 Al203、3% 的 Si02、3% 的 La203、3% 的 BN 混合搅拌均匀 而成；载体由质量百分比为60%的松油醇、25%的柠檬酸三丁酯、25%的丁基卡必醇醋酸脂、 1. 5%的蓖麻油、8%的乙基纤维素、1. 2%的卵磷脂、2. 5%的司班85组成； f、 叠压：将一片步骤d制得的陶瓷基片与一片步骤e印刷有发热线路的陶瓷基片叠压 制成坯体； g、 烧结：将步骤f制得的坯体置于石墨坩埚或钥坩埚中，并埋入隔离粉，埋烧的隔离 粉为Si3N4和BN的混合物，接着用箱式炉或隧道窑将埋于隔离粉中的坯体在常压下进行烧 结，隧道窑分为依次连接的排胶区、烧结区和冷却区，排胶区、烧结区和冷却区的温度分别 为7001：、17001：、2001：，坯体分别在排胶区、烧结区和冷却区的烧结时间为511、311、1011，烧 结气氛为氮气和氢气混合气体，氢气在混合气体中的体积百分比为15%，氮气在混合气体中 的体积百分比为85%，控制混合气体中水蒸汽的露点温度低于40°C，坯体烧结制得陶瓷加 热体半成品； K接电极：将陶瓷加热体半成品的两端或者侧部进行表面镀镍处理，再于镀镍处理后 的部位进行钎焊引出电极，制得陶瓷加热体成品。
[0032] 实施例4。
[0033] 本实施例的一种叠层共烧的陶瓷加热体的制备工艺，它包括以下工艺步骤： a、 混料：按质量百分比称取90%的Si3N4、4%的Mg0、2%的Y20 3、1%的A1203、1%的Si02、 1%的La 203、1%的BN并混合搅拌均匀，制成陶瓷基片粉料； b、 球磨：将步骤a制得的陶瓷基片粉料加入研磨球、溶剂和胶粘剂并放入球磨罐中进 行湿法球磨，湿法球磨的时间为18h ; c、 脱泡：将步骤b中湿法球磨后的混合料在真空条件下进行脱泡； d、 成型与干燥：将步骤c中的混合料用流延机流延制成陶瓷基片或者使用轧膜设备轧 制成陶瓷基片，并将陶瓷基片进行干燥； e、 印刷：通过丝网印刷工艺将电阻浆料印刷经步骤d中干燥后的陶瓷基片表面，电阻 浆料在陶瓷基片的表面形成往复回折结构的发热线路；电阻浆料由质量百分比为85%的固 相物和15%的载体组成；固相物由质量百分比为30%的钨、60%的钥和10%的玻璃相组成； 玻璃相由 90% 的 Si3N4、4% 的 MgO、2% 的 Y203、1% 的 A1203、1% 的 Si02、1% 的 La203、1% 的 BN 混 合搅拌均匀而成；载体由质量百分比为70%的松油醇、12%的柠檬酸三丁酯、12%的丁基卡必 醇醋酸脂、〇. 5%的蓖麻油、4%的乙基纤维素、0. 5%的卵磷脂、1%的司班85组成； f、 叠压：将一片步骤d制得的陶瓷基片与一片步骤e印刷有发热线路的陶瓷基片叠压 制成坯体； g、 烧结：将步骤f制得的坯体置于石墨坩埚或钥坩埚中，并埋入隔离粉，埋烧的隔离 粉为Si3N4和BN的混合物，接着用箱式炉或隧道窑将埋于隔离粉中的坯体在常压下进行烧 结，隧道窑分为依次连接的排胶区、烧结区和冷却区，排胶区、烧结区和冷却区的温度分别 为9001：、17501：、3001：，坯体分别在排胶区、烧结区和冷却区的烧结时间为611、311、1111，烧 结气氛为氮气和氢气混合气体，氢气在混合气体中的体积百分比为20%，氮气在混合气体中 的体积百分比为80%，控制混合气体中水蒸汽的露点温度低于35°C，坯体烧结制得陶瓷加 热体半成品； K接电极：将陶瓷加热体半成品的两端或者侧部进行表面镀镍处理，再于镀镍处理后 的部位进行钎焊引出电极，制得陶瓷加热体成品。
[0034] 实施例5。
[0035] 本实施例的一种叠层共烧的陶瓷加热体的制备工艺，它包括以下工艺步骤： a、 混料：按质量百分比称取80%的Si3N4、7%的Mg0、3%的Y20 3、2%的Al203、3%的Si02、 2%的La 203、3%的BN并混合搅拌均匀，制成陶瓷基片粉料； b、 球磨：将步骤a制得的陶瓷基片粉料加入研磨球、溶剂和胶粘剂并放入球磨罐中进 行湿法球磨，湿法球磨的时间为20h ; c、 脱泡：将步骤b中湿法球磨后的混合料在真空条件下进行脱泡； d、 成型与干燥：将步骤c中的混合料用流延机流延制成陶瓷基片或者使用轧膜设备轧 制成陶瓷基片，并将陶瓷基片进行干燥； e、 印刷：通过丝网印刷工艺将电阻浆料印刷经步骤d中干燥后的陶瓷基片表面，电阻 浆料在陶瓷基片的表面形成往复回折结构的发热线路；电阻浆料由质量百分比为80%的固 相物和20%的载体组成；固相物由质量百分比为40%的钨、40%的锰和20%的玻璃相组成； 玻璃相由 80% 的 Si3N4、7% 的 Mg0、3% 的 Y203、2% 的 Al203、3% 的 Si02、2% 的 La203、3% 的 BN 混 合搅拌均匀而成；载体由质量百分比为65%的松油醇、14%的柠檬酸三丁酯、12%的丁基卡必 醇醋酸脂、1%的蓖麻油、5%的乙基纤维素、1%的卵磷脂、2%的司班85组成； f、 叠压：将一片步骤d制得的陶瓷基片与一片步骤e印刷有发热线路的陶瓷基片叠压 制成坯体； g、 烧结：将步骤f制得的坯体置于石墨坩埚或钥坩埚中，并埋入隔离粉，埋烧的隔离粉 为Si3N4和BN的混合物，接着用箱式炉或隧道窑将埋于隔离粉中的坯体在常压下进行烧结， 隧道窑分为依次连接的排胶区、烧结区和冷却区，排胶区、烧结区和冷却区的温度分别为 11001：、18001：、4001：，坯体分别在排胶区、烧结区和冷却区的烧结时间为711、311、1211，烧结 气氛为氮气和氢气混合气体，氢气在混合气体中的体积百分比为5%，氮气在混合气体中的 体积百分比为95%，控制混合气体中水蒸汽的露点温度低于30°C，坯体烧结制得陶瓷加热 体半成品； K接电极：将陶瓷加热体半成品的两端或者侧部进行表面镀镍处理，再于镀镍处理后 的部位进行钎焊引出电极，制得陶瓷加热体成品。
[0036] 实施例6。
[0037] 本实施例的一种叠层共烧的陶瓷加热体的制备工艺，它包括以下工艺步骤： a、 混料：按质量百分比称取70%的Si3N4、9%的Mg0、5%的Y20 3、4%的Al203、4%的Si02、 4%的La 203、4%的BN并混合搅拌均匀，制成陶瓷基片粉料； b、 球磨：将步骤a制得的陶瓷基片粉料加入研磨球、溶剂和胶粘剂并放入球磨罐中进 行湿法球磨，湿法球磨的时间为24h ; c、 脱泡：将步骤b中湿法球磨后的混合料在真空条件下进行脱泡； d、 成型与干