成单层或多层陶瓷基板，排胶后在850~900 °〇氧化气氛下烧成，保温2~3小时即可使用；
[0068] 3)将其制备成浆料，流延成膜后在膜片上印刷银内电极浆料，在850~900°C氧化 气氛下烧成，保温2~3小时即可使用。
[0069] 参阅表一，以下通过更具体的实例说明本发明的中高介电常数微波介质陶瓷材料 及其制备方法。
[0070] 表一
[0072] 实例 1
[0073] 按照表一中实例1所示重量百分比称取各组分，制备方法按照如下步骤：
[0074] 1)制得陶瓷主相材料混合物
[0075] 将陶瓷主相材料的组分1^20、1%0、1102、2抑2、1^ 203置于球磨罐中，按照表一中实例 1所示重量百分比混合，制得陶瓷主相材料混合物；
[0076] 2)第一次研磨陶瓷主相材料
[0077] 在步骤1)制得的陶瓷主相材料混合物加入约为陶瓷主相材料混合物重量1.55倍 的去离子水，300转/分行星球磨15小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得陶瓷主 相材料混合粉体；
[0078] 3)煅烧陶瓷主相材料研磨混合粉体
[0079] 在温度为1100°C下煅烧所述陶瓷主相材料的研磨混合粉体2.5小时，制得陶瓷主 相材料煅烧料；
[0080] 4)制得助熔料与陶瓷主相材料煅烧料研磨混合粉体
[0081] 在上述陶瓷主相材料煅烧料中加入如表一中实例1所示重量百分比的助熔料组分 BaO、CuO、B2〇3，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料 混合物重量1.5倍的乙醇，使用300转/分行星球磨24小时后烘干，然后重新磨制后过200目 筛，制得助熔料与主相陶瓷煅烧料的研磨混合粉体。
[0082] 5)煅烧助熔料与主相陶瓷煅烧料球磨混合粉体
[0083] 将上述助熔料与主相陶瓷煅烧料的研磨混合粉体在800°C下煅烧2小时，制得二次 共烧陶瓷煅烧料。
[0084] 6)再次研磨二次共烧陶瓷煅烧料
[0085]将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.82μπι，即得中高介电常数微波 介质陶瓷材料。
[0086] 按常规方法将上述粉料制成坯片，在875°C、氧化气氛下保温2小时，将烧结后的瓷 片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数（16他）^为25.1，介质损耗系数七 80 (IGHz)为小于0.002,谐振频率温度系数5.4ppm;压片后径向烧结收缩率约为14.2%。
[0087] 按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在875°C、氧化气氛下 烧成，保温2小时即可形成烧结良好的陶瓷体。
[0088] 实例2
[0089] 按照表一中实例2所示重量百分比称取各组分，制备方法按照如下步骤：
[0090] 1)制得陶瓷主相材料混合物
[0091] 将陶瓷主相材料的组分1^20、1%0、1102、2抑 2、1^203置于球磨罐中，按照表一中实例 2所示的重量百分比混合，制得陶瓷主相材料混合物；
[0092] 2)第一次研磨陶瓷主相材料
[0093] 在步骤1)制得的陶瓷主相材料混合物加入约为陶瓷主相材料混合物重量1.5倍的 去离子水，300转/分行星球磨18小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得陶瓷主相 材料的研磨混合粉体；
[0094] 3)煅烧陶瓷主相材料研磨混合粉体
[0095] 在温度为1100°C下煅烧所述陶瓷主相材料的研磨混合粉体3小时，制得一次主相 陶瓷煅烧料；
[0096] 4)制得助熔料与陶瓷主相材料煅烧料研磨混合粉体
[0097] 在上述一次主相陶瓷煅烧料中加入如表一中实例5所示重量百分比的助熔料组分 BaO、CuO、B2〇3，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料 混合物重量1.95倍的乙醇，使用300转/分行星球磨22小时后烘干，然后重新磨制过200目 筛，制得助熔料与陶瓷主相材料煅烧料研磨混合粉体。
[0098] 5)煅烧助熔料与主相陶瓷煅烧料球磨混合粉体
[0099] 将上述二次助熔料与主相陶瓷煅烧料的研磨混合粉体在820°C下煅烧2小时，制得 二次共烧陶瓷煅烧料。
[0100] 6)再次研磨二次共烧陶瓷煅烧料
[0101] 将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.78μπι，即得中高介电常数微波 介质陶瓷材料。
[0102] 按常规方法将上述粉料制成坯片，在850°C、氧化气氛下保温2.5小时，将烧结后的 瓷片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下:介电常数（16抱） ￡:为24.3，介质损耗系数七80 (IGHz)为小于0.002，谐振频率温度系数-10.3ppm;压片后径向烧结收缩率约为15.3%。
[0103] 按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在860°C氧化气氛下烧 成，保温2小时即可得烧结良好的陶瓷体，封装尺寸为2012。
[0104] 实例3
[0105]按照表一中实例3所示重量百分比称取各组分，制备方法按照如下步骤：
[0106] 1)制得陶瓷主相材料混合物
[0107] 将陶瓷主相材料的组分1^20、1%0、1102、2抑 2、1^203置于球磨罐中，按照表一中实例 3所示的重量百分比混合，制得陶瓷主相材料混合物；
[0108] 2)第一次研磨陶瓷主相材料
[0109]在步骤1)制得的陶瓷主相材料混合物加入约为陶瓷主相材料混合物重量1.65倍 的去离子水，300转/分行星球磨22小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得陶瓷主 相材料的研磨混合粉体；
[0110] 3)煅烧陶瓷主相材料研磨混合粉体
[0111] 在温度为I l〇〇°C下煅烧所述陶瓷主相材料的研磨混合粉体3小时，制得一次主相 陶瓷煅烧料；
[0112] 4)制得助熔料与陶瓷主相材料煅烧料研磨混合粉体
[0113] 在上述一次主相陶瓷煅烧料中加入如表一中实例3所示重量百分比的助熔料组分 BaO、CuO、B2〇3，制得二次陶瓷材料混合物，在二次陶瓷材料混合物中加入约为二次陶瓷材料 混合物重量2倍的乙醇，使用300转/分行星球磨22小时后烘干，然后重新磨制过200目筛，制 得助熔料与陶瓷主相材料煅烧料研磨混合粉体；
[0114] 5)煅烧助熔料与主相陶瓷煅烧料球磨混合粉体
[0115]将上述二次助熔料与主相陶瓷煅烧料的研磨混合粉体在800°C下煅烧1.5小时，制 得二次共烧陶瓷煅烧料。
[0116] 6)再次研磨二次共烧陶瓷煅烧料
[0117] 将二次共烧陶瓷煅烧料研磨至平均颗粒度D50为0.95μπι，即得中高介电常数微波 介质陶瓷材料。
[0118] 按常规方法将上述粉料制成坯片，在850°C氧化气氛下保温2小时，将烧结后的瓷 片被银、烧银后进行电性能测试，结果如下：介电常数（16他）^为28.9，介质损耗系数七 80 (IGHz)为小于0.002，谐振频率温度系数14.2ppm;压片后径向烧结收缩率约为13.9%。
[0119] 按常规方法将上述粉料制备成流延片，叠层并切割，排胶后在850°C、氧化气氛下 烧成，保温2小时即可形成烧结良好的陶瓷体.其烧结收缩率为20%。
[0120] 实例4
[0121] 按照表一中实例4所示重量百分比称取各组分，制备方法按照如下步骤：
[0122] 1)制得陶瓷主相材料混合物
[0123] 将陶瓷主相材料的组分1^20、1%0、1102、2抑 2、1^203置于球磨罐中，按照表一中实例 4所示的重量百分比混合，制得陶瓷主相材料混合物；
[0124] 2)第一次研磨陶瓷主相材料
[0125] 在步骤1)制得的陶瓷主相材料混合物加入约为陶瓷主相材料混合物重量2倍的去 离子水，300转/分行星球磨18小时后在烘箱中烘干，重新磨制后过200目筛制得陶瓷主相材 料的研磨混合粉体；
[0126] 3)煅烧陶瓷主相材料研磨混合粉体
[0127] 在温度为1100°C下煅烧所述陶瓷主相材料的研磨混合粉体2.5小时，制得一次主 相陶瓷煅烧料；
[0128] 4)制得助熔料与陶瓷主相材料煅烧料研磨混合粉体