有机半导体组合物的制作方法_2

文档序号:8417102阅读:来源:国知局
;任选地取代的C2-Ctt 烷氧羰基;任选地取代的C7-C4tl芳氧羰基;氰基(-CN);氨基甲酰基(-C ( = 0) NR15R16);羰基 (-C( = 0)-R17);羧基(-CO2R18);氰酸酯基(-0CN);异氰基(-NC);异氰酸酯基(-NC0);硫氰 酸酯基(-SCN)或异硫氰酸酯基(-NCS);任选地取代的氨基;羟基;硝基;CF 3基团;卤素基 团(Cl』r、F、I) ;-SR19;-S03H;-S02R2°;-SF 5;任选地取代的甲硅烷基;被SiH2R22基团取代的 C2-Cltl炔基,被SiHR22R23基团取代的C 2-C1Q炔基,或被-Si (R22) x (R23) y (R24) z基团取代的C 2-C10 炔基; 其中各R22基团独立地选自支化或未支化的、取代或未取代的C ^Cltl烷基,支化或未支 化的、取代或未取代的C2-Cltl炔基,取代或未取代的C2-C 2tl环烷基,取代或未取代的C2-Cjt 基,和取代或未取代的C6-C2tl环烷基亚烷基; 各R23基团独立地选自支化或未支化的、取代或未取代的C1-Cltl烷基,支化或未支化的、 取代或未取代的C2-Cltl炔基,取代或未取代的C 2-c1(l烯基,取代或未取代的C 2-c2(l环烷基,和 取代或未取代的C6-C2tl环烷基亚烷基; R24独立地选自氢,支化或未支化的、取代或未取代的C 2-C1(l炔基,取代或未取代的 C2-C2tl环烷基,取代或未取代的C 6-c2(l环烷基亚烷基,取代的C 5-c2(l芳基,取代或未取代的 C6-C2tl芳基亚烷基,乙酰基,取代或未取代的在环中包含0、N、S和Se的至少一个的C 3-C2Q杂 环; 其中 x=l 或 2;y = l 或 2;z = 0 或 1;且(x+y+z) = 3 ; 其中R15、R16、R18、R19和R 2(1各自独立地代表H或任选地取代的任选地包含一个或多个 杂原子的C1-C4tl碳基或烃基; 其中R17代表卤素原子、H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C ^C4tl碳基 或C1-C4tl烃基; 其中k和1独立地为0或1 ; 其中R1、R3、R4、R6、R7、R 9、Rltl和R 12的至少两个为到另外的具有式(A)或⑷的单体单 兀的由 *代表的键;和 其中各!^'、!^'、!^'和^各自可相同或不同^自与^^相同的基团:和其中优 选地,基团#'、妒'、浐、1?4'的至少一个为极性基团或极化基团,和对于单体基团0(),一一 *代表到另外的具有式(A)或(K)的单体单元的键;和 η' = 1_3〇
7. 根据权利要求6的PAHC,其包含至少20-40 %的单体(A)和至少60-80 %的单体(K), 基于所述共聚物中的所有单体单元(A)和(K)的总量。
8. 根据权利要求6或权利要求7的PAHC,其中R 、R2'、R3'、R4'的至少一个为极性基团 或极化基团,且η = 1-20。
9. 根据权利要求8的PAHC,其中基团R \ R2'、R3'、R4'的一个或2个选自甲氧基、氰甲 基、CN及其混合物,且η = 1-10。
10. 根据权利要求6-9任一项的PAHC,进一步包含一种或多种单体(L)、(M)、(Μ')和/ 或(N):
其中各#''、1?2''、1?3''、1?4''、1?5''、1? 6''和1?7''各自可相同或不同,选自与如权利要求1中 所定义的R1、R2、R3、R4、R5、R 6和R7相同的基团; 其中 η" = 1-3 ; ΑΓι、Αι^Ρ Ar 3可相同或不同,各自独立地代表任选地取代的C 6_4Q芳族基团(单环的或 多环的);和 其中单体(A)以至少20重量%的量存在;单体(K)以至少60重量%的量存在且剩余 部分由单体(L)、(M)、(M')和/或(N)构成,基于所述共聚物中的所有单体单元的总重量。
11.多环芳族烃共聚物(PAHC),其包含至少一种具有式(A)的BXBX单体单元和至少一 种具有式(〇/〇')的单体单元的混合物:
其中
Y1和Y 2独立地为S或Se ; k和1独立地为O或1 ; 其中匕^匕么匕^^^^^和^各自可相同或不同^虫立地代表氢:支 化或未支化的、取代或未取代的C1-C4tl烷基;支化或未支化的、取代或未取代的C2-C 4tl烯基; 支化或未支化的、取代或未取代的C2-C4tl炔基;任选地取代的C 3-C4(l环烷基;任选地取代的 C6-C4tl芳基;任选地取代的C ^C4tl杂环基;任选地取代的C ^C4tl杂芳基;任选地取代的C 烷氧基;任选地取代的C6-C4tl芳氧基;任选地取代的C7-C 4tl烷基芳氧基;任选地取代的C2-Ctt 烷氧羰基;任选地取代的C7-C4tl芳氧羰基;氰基(-CN);氨基甲酰基(-C ( = 0) NR15R16);羰基 (-C( = 0)-R17);羧基(-CO2R18);氰酸酯基(-0CN);异氰基(-NC);异氰酸酯基(-NC0);硫氰 酸酯基(-SCN)或异硫氰酸酯基(-NCS);任选地取代的氨基;羟基;硝基;CF 3基团;卤素基 团(Cl』r、F、I) ;-SR19;-S03H;-S02R2°;-SF 5;任选地取代的甲硅烷基;被SiH2R22基团取代的 C2-Cltl炔基,被SiHR22R23基团取代的C 2-C1Q炔基,或被-Si (R22) x (R23) y (R24) z基团取代的C 2-C10 炔基; 其中各R22基团独立地选自支化或未支化的、取代或未取代的C ^Cltl烷基,支化或未支 化的、取代或未取代的C2-Cltl炔基,取代或未取代的C2-C 2tl环烷基,取代或未取代的C2-Cjt 基,和取代或未取代的C6-C2tl环烷基亚烷基; 各R23基团独立地选自支化或未支化的、取代或未取代的C1-Cltl烷基,支化或未支化的、 取代或未取代的C2-Cltl炔基,取代或未取代的C 2-c1(l烯基,取代或未取代的C 2-c2(l环烷基,和 取代或未取代的C6-C2tl环烷基亚烷基; R24独立地选自氢,支化或未支化的、取代或未取代的C 2-C1(l炔基,取代或未取代的 C2-C2tl环烷基,取代或未取代的C 6-c2(l环烷基亚烷基,取代的C 5-c2(l芳基,取代或未取代的 C6-C2tl芳基亚烷基,乙酰基,取代或未取代的在环中包含0、N、S和Se的至少一个的C 3-C2Q杂 环; 其中 x=l 或 2;y = l 或 2;z = 0 或 1;且(x+y+z) = 3 ; 其中R15、R16、R18、R19和R 2(1各自独立地代表H或任选地取代的任选地包含一个或多个 杂原子的C1-C4tl碳基或烃基; 其中R17代表卤素原子、H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C ^C4tl碳基 或C1-C4tl烃基; 其中k和1独立地为O或1 ; 其中R1、R3、R4、R6、R7、R 9、Rltl和R 12的至少两个为到另外的具有式(A)或(O)的单体单 兀的由 *代表的键; 其中单体(〇/〇')为顺式和/或反式-茚并芴单体,且各R1'、R2'、R3'、R 4'、R5'、R6'、Rf各 自可相同或不同,选自与R1、R2、R3、R4、R 6、R7相同的基团,和其中优选地,基团R1'、R2'、R 3'、 #、1?5'、1?6'和1?7'的至少一个为极性或极化基团,和对于单体基团(0/0'),一一*代表到另 外的具有式(A)或(0/0')的单体单元的键;和 Iii = 1_3〇
12. 根据权利要求11的PAHC,其包含至少20-40 %的单体(A)和至少60-80 %的单体 (〇),基于所述共聚物中所有单体单元(A)和(0)的总量。
13. 根据权利要求11或权利要求12的PAHC,其中对于顺式/反式-茚并芴单体(0/ 0'),R1'、R2'、R3'、R4'、R 5'、R6'和 R 7'可相同或不同,且 R 〃、R2'、R3'、R4'、R5'、R 6'和 R 7' 的至少一 个、其中优选至少一个被至少一个极性基团或更极化的基团取代,且η = 1-20。
14. 根据权利要求13的PAHC,其中基团R 〃、R2'、R3'、R4'、R5'、R 6'和R 7'的一个或2个选 自甲氧基、氰甲基、CN及其混合物,且η = 1-10。
15. 根据权利要求11-14任一项的PAHC,进一步包含一种或多种单体(P)、(Q)和/或 (R):
其中各R1''、!?2''、R3''和R4"各自可相同或不同,选自与上面已经定义的R 1U和R4 相同的基团; ΑΓι、Αι^Ρ Ar 3可相同或不同,各自独立地代表任选地取代的C 6_4Q芳族基团(单环的或 多环的);优选地,Arp ArjP Ar 3的至少一个被至少一个极性或更极化的基团取代;和η = 1-20、优选1-10和更优选1-5 ;优选地,Ar^ArdP Ar 3的至少一个被1、2、3或4个,更优选 1、2或3个、更优选1或2个、优选1个极性或更极化的基团取代; η" = 1-3 ;和 其中单体(A)以至少20重量%的量存在;单体(O)以至少60重量%的量存在且剩余 部分由单体(P)、(Q)和/或(R)构成,基于所述共聚物中的所有单体单元的总重量。
16. 根据任一前述权利要求的PAHC,其中R 3= R C ^C14烷基或任选地取代的C rC14 烷基。
17. 根据任一前述权利要求的PAHC,其中k = I = 0或1。
18. 根据权利要求17的PAHC,其中k = 0和1 = 0。
19. 根据任一前述权利要求的PAHC,其中所述共聚物具有500-100, 000的数均分子量 (Mn) 〇
20. 根据任一前述权利要求的PAHC,其中所述共聚物为具有大于1. 5、优选3. 4-8的在 1000 Hz下的电容率的半导体共聚物。
21. 根据权利要求20的PAHC,其中所述共聚物为具有3. 4-
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