360] 对比例1
[0361] 根据实施例1获得磷光体前体粒子和焙烧制品，除了使用具有195nm的体均粒径 D50V的晶体氮化娃粒子（由UbeIndustries，Ltd.制造）作为原材料之外。
[0362] 当与实施例1中一样进行各种测量和分析时，发现所获得的磷光体前体粒子具有 286nm的体均粒径D50V。
[0363] 另外，理解，所获得的焙烧制品被具有大于或等于200nm且小于或等于500nm的波 长范围的光激发，且具有550nm的发光峰波长。从而，证实，所获得的焙烧制品为通过可见 光激发的磷光体。
[0364] 还理解，在所获得的焙烧制品中产生具有晶体结构例如SrSi202N^氧氮化物和具 有晶体结构例如SiOj^含硅化合物。
[0365] 进一步理解，基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，以85质量％产生所述 氧氮化物，且以15质量％产生所述含硅化合物。
[0366] 另外，理解，所获得的焙烧制品以Sr:Eu= 0. 9:0. 1的摩尔比包括Sr和Eu。
[0367] 所获得的焙烧制品具有438nm的体均粒径D50V和1. 41的体均粒度分布指数 PSDV〇
[0368] 所获得的焙烧制品在450nm的激发波长处具有76%的内量子效率。
[0369] 如以上所示，由对比例1获得的磷光体包括包含Sr、Eu和Si的氧氮化物。所述磷 光体由式Eu。.jr。.9Si202N2表示。
[0370] 由所述式，理解，基于Sr和Eu的总量，所述磷光体包括90摩尔％的Sr和10摩 尔％的Eu。
[0371] 所述氧氮化物具有晶体结构例如SrSi202N2。
[0372] 所述磷光体具有438nm的体均粒径D50V和1. 41的体均粒度分布指数PSDV。
[0373] 所述磷光体在450nm的激发波长处具有76%的内量子效率。
[0374] 基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，所述磷光体包括85质量％的所述 氧氮化物。
[0375] 对比例2
[0376] 根据与实施例1中相同的程序获得磷光体前体粒子。
[0377] 根据与实施例1中相同的程序将其焙烧以提供焙烧制品，除了将磷光体前体粒子 在100体积％氮气的气体气氛下焙烧之外。
[0378] 当与实施例1中一样进行各种测量和分析时，理解，所获得的焙烧制品被具有大 于或等于200nm且小于或等于500nm的波长范围的光激发，且具有557nm的发光峰波长。由 所述结果，证实，所获得的焙烧制品为通过可见光激发的磷光体。
[0379] 理解，在所获得的焙烧制品中产生具有晶体结构例如SrSi202N2的氧氮化物和具有 晶体结构例如Sr2Si〇j^含硅化合物。
[0380] 还理解，基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，以5质量％产生所述氧氮 化物，且以95质量％产生所述含硅化合物。
[0381] 进一步理解，所获得的焙烧制品以Sr:Eu= 0. 9:0. 1的摩尔比包括Sr和Eu。
[0382] 所获得的焙烧制品具有184nm的体均粒径D50V和1. 33的体均粒度分布指数 PSDV〇
[0383] 所获得的焙烧制品在450nm的激发波长处具有50%的内量子效率。
[0384] 由所述结果，由对比例2获得的磷光体包括包含Sr、Eu和Si的氧氮化物。所述磷 光体由式EuaiSrQ.9Si202N2表示。由所述式，理解，基于Sr和Eu的总量，所述磷光体包括90 摩尔％的Sr和10摩尔％的Eu。
[0385] 所述氧氮化物具有晶体结构例如SrSi202N2。
[0386] 所述磷光体具有184nm的体均粒径D50V和1. 33的体均粒度分布指数PSDV。
[0387] 所述磷光体在450nm的激发波长处具有50%的内量子效率。
[0388] 基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，所述磷光体包括5质量％的所述氧 氮化物。
[0389] 对比例3
[0390] 根据与实施例1中相同的程序获得磷光体前体粒子。
[0391] 另外，根据与实施例1中相同的程序将其焙烧以提供焙烧制品，除了将磷光体前 体粒子在11 〇〇°C下焙烧之外。
[0392] 通过测量所获得的焙烧制品的激发发光光谱，所述焙烧制品不发射光。这是由于 焙烧的不足。因此，在对比例3中未获得磷光体。
[0393] 对比例4
[0394] 根据与实施例1中相同的程序获得磷光体前体粒子。
[0395] 另外，根据与实施例1中相同的程序将其焙烧以提供焙烧制品，除了将磷光体前 体粒子在1700 °C下焙烧之外。
[0396] 通过与实施例1中一样进行各种测量和分析，理解，所获得的焙烧制品被具有大 于或等于200nm且小于或等于500nm的波长范围的光激发，且具有551nm的发光峰波长。从 而，证实，所获得的焙烧制品为通过可见光激发的磷光体。
[0397] 理解，在所获得的焙烧制品中产生包括晶体结构例如SrSi202N2的氧氮化物和包括 晶体结构例如Si〇j^含硅化合物。
[0398] 还理解，基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，以93质量％产生所述氧氮 化物，且以7质量％产生所述含硅化合物。
[0399] 进一步理解，所获得的焙烧制品以Sr:Eu= 0. 9:0. 1的摩尔比包括Sr和Eu。
[0400] 所获得的焙烧制品具有960nm的体均粒径D50V和1. 45的体均粒度分布指数 PSDV〇
[0401] 所获得的焙烧制品在450nm的激发波长处具有81 %的内量子效率。
[0402] 如以上所示，由对比例4获得的磷光体包括包含Sr、Eu和Si的氧氮化物。所述磷 光体由式EuaiSrQ.9Si202N2表示。由所述式，理解，基于Sr和Eu的总量，所述磷光体包括90 摩尔％的Sr和10摩尔％的Eu。
[0403] 所述氧氮化物具有晶体结构例如SrSi202N2。
[0404] 所述磷光体具有960nm的体均粒径D50V和1. 45的体均粒度分布指数PSDV。
[0405] 所述磷光体在450nm的激发波长处具有81 %的内量子效率。
[0406] 基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，所述磷光体包括93质量％的所述 氧氮化物。
[0407] 对比例5
[0408] 根据与实施例2中相同的程序获得磷光体前体粒子。
[0409] 另外，根据与实施例1中相同的程序将其焙烧以提供焙烧制品，除了将磷光体前 体粒子在1700 °C下焙烧之外。
[0410] 在对比例5中，磷光体前体粒子在焙烧期间熔融，使得未获得磷光体。这是因为， 由于磷光体前体粒子中的过量的钙，在焙烧期间合成的氧氮化物的熔点降低。
[0411] 对比例6
[0412] 根据与实施例2中相同的程序获得磷光体前体粒子，除了分别以26. 858质量％、 6. 078质量％、54. 254质量％和12. 810质量％对氮化硅粒子、硝酸锶、硝酸钙4水合物和硝 酸铕6水合物进行称重，以提供由式Eu。.1Sr。.1CaαsSi202N2表示的氧氮化物之外。所述磷光 体前体粒子根据与实施例1中相同的程序进行焙烧。
[0413] 在对比例6中，磷光体前体粒子在焙烧期间熔融，因此未获得磷光体。这是因为， 由于磷光体前体粒子中的过量的钙，在焙烧期间合成的氧氮化物的熔点降低。
[0414] 对比例7
[0415] 根据与实施例1中相同的程序获得磷光体前体粒子和焙烧制品，除了分别以 30. 530质量％、68. 741质量％和0. 728质量％对氮化硅粒子、硝酸锶和硝酸铕6水合物进 行称重，以提供由式Eu。.。。5Sr。.995Si202N2表示的氧氮化物之外。
[0416] 当与实施例1中一样进行各种测量和分析时，所获得的磷光体前体粒子具有 123nm的体均粒径D50V。
[0417] 另外，理解，所获得的焙烧制品被具有大于或等于200nm且小于或等于500nm的波 长范围的光激发，且具有548nm的发光峰波长。从而，证实，所获得的焙烧制品为通过可见 光激发的磷光体。
[0418] 另外，理解，在所获得的焙烧制品中产生具有晶体结构例如SrSi202N2的氧氮化物 和具有晶体结构例如3102的含硅化合物。
[0419] 还理解，基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，以83质量％产生所述氧氮 化物，且以17质量％产生所述含硅化合物。
[0420] 进一步理解，所获得的焙烧制品以Sr:Eu= 0. 995:0. 005的摩尔比包括Sr和Eu。
[0421] 所获得的焙烧制品具有186nm的体均粒径D50V和1. 32的体均粒度分布指数 PSDV〇
[0422] 所获得的焙烧制品在450nm的激发波长处具有52%的内量子效率。
[0423] 由所述结果，由对比例7获得的磷光体包括包含Sr、Eu和Si的氧氮化物。所述磷 光体由式 ￡11。.。。531'。.9953;[202]''1 2表不。
[0424] 由所述式，理解，基于Sr和Eu的总量，所述磷光体包括99. 5摩尔％的Sr和0. 5 摩尔％的Eu。
[0425] 所述氧氮化物具有晶体结构例如SrSi202N2。
[0426] 所述磷光体具有186nm的体均粒径D50V和1. 32的体均粒度分布指数PSDV。
[0427] 所述磷光体在450nm的激发波长处具有52%的内量子效率。
[0428] 基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，所述磷光体包括83质量％的所述 氧氮化物。
[0429] 对比例8
[0430] 根据与实施例1中相同的程序获得磷光体前体粒子和焙烧制品，除了分别以 25. 710质量％、43. 634质量％和30. 657质量％对氮化硅粒子、硝酸锶和硝酸铕6水合物进 行称重，以提供由式Eu。.25Sr。.75Si202N2表示的氧氮化物之外。
[0431] 当与实施例1中一样进行各种测量和分析时，所获得的磷光体前体粒子具有 132nm的体均粒径D50V。还理解，所获得的焙烧制品被具有大于或等于200nm且小于或等 于500nm的波长范围的光激发，且具有545nm的发光峰波长。从而，证实，所获得的焙烧制 品为通过可见光激发的磷光体。
[0432] 理解，在所获得的焙烧制品中产生具有晶体结构例如SrSi202N2的氧氮化物和具有 晶体结构例如Si〇d^含硅化合物。
[0433] 还理解，基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，以84质量％产生所述氧氮 化物，且以16质量％产生所述含硅化合物。
[0434] 所获得的焙烧制品以Sr:Eu= 0· 75: 0· 25的摩尔比包括Sr和Eu。
[0435] 所获得的焙烧制品具有172nm的体均粒径D50V和1. 31的体均粒度分布指数 PSDV〇
[0436] 所获得的焙烧制品在450nm的激发波长处具有48%的内量子效率。
[0437] 如以上所示，由对比例8获得的磷光体包括包含Sr、Eu和Si的氧氮化物。所述磷 光体由式Eu。.25Sr。.75Si202N2表示。由所述式，理解，基于Sr和Eu的总量，所述磷光体包括 75摩尔％的Sr和25摩尔％的Eu。
[0438] 所述氧氮化物具有晶体结构例如SrSi202N2。
[0439] 所述磷光体具有172nm的体均粒径D50V和1. 31的体均粒度分布指数PSDV。
[0440] 所述磷光体在450nm的激发波长处具有48%的内量子效率。
[0441] 基于所述氧氮化物和所述含硅化合物的总量，所述磷光体包括84质量％的所述 氧氮化物。
[0442] 对比例9
[0443] 使用商业上可得到的由式Eu。.fr。.45Baa453丨20#2表示的氧氮化物磷光体（由 BeijingNakamura-YufiScienceandTechnologyCo.,Ltd.制造）。
[0444] 当与实施例1中一样进行各种测量和分析时，理解，所获得的焙烧制品被具有大 于或等于200nm且小于或等于500nm的波长范围的光激发，且具有550nm的发光峰波长。
[0445] 图4的b表示所述商业上可得到的氧氮化物磷光体的发光光谱。
[0446] 除具有晶体结构例如SrSi202N2的氧氮化物之外，所述商业上可得到的氧氮化物磷 光体不包括其它晶体组分。
[0447]所述商业上可得到的氧氮化物磷光体具有15, 400nm的体均粒径D50V和2. 22的 体均粒度分布指数PSDV。
[0448] 所述商业上可得到的氧氮化物磷光体在450nm的激发波长处具有77 %的内量子 效率。
[0449] 对比例10
[0450] 将用于对比例9的商业上可得到的氧氮化物磷光体通过珠磨机粉碎并拣选以提 供亚微米尺寸的氧氮化物磷光体。
[0451] 通过与实施例1中一样进行各种测量和分析时，发现，所述商业上可得到的氧氮 化物磷光体在粉碎之后被具有大于或等于约200nm且小于或等于约500nm的波长范围的光 激发，且具有562nm的发光峰波长。
[0452] 图4中的c表示所述商业上可得到的氧氮化物磷光体在粉碎之后的发光光谱。
[0453] 在粉碎之后的所述商业上可得到的氧氮化物磷光体不包括其它晶体组分，而是包 括包含晶体结构例如SrSi202N2的氧氮化物，但理解，氧氮化物晶体的一部分通过粉碎而非 晶化。
[0454] 另外，在粉碎之后的所述商业上可得到的氧氮化物磷光体具有364nm的体均粒径 D50V和1. 33的体均粒度分布指数PSDV。
[0455] 在粉碎之后的所述商业上可得到的氧氮化物磷光体在450nm的激发波长处具有 36 %的内量子效率。
[0456] 实施例和对比例的比较和回顾
[0457] 图5为显不磷光体的体均粒径D50V与在450nm的激发波长处的内量子效率之间 的关系的图。
[0458] 在图5中，横轴表不磷光体的体均粒径D50V，且纵轴表不在450nm的激发波长处的 内量子效率。
[0459] 在图5中，菱形的点表不实施例1-11，且方形的点a和b分别表不对比例9和10。
[0460] 如图5中所示，根据实施例1-11的磷光体具有大于或等于约50nm且小于或等于 约400nm、且更特别地大于或等于约100nm且小于或等于约350nm的体均粒径D50V，以及在 450nm的激发波长处大于或等于约60%、且更特别地大于或等于约70%的内量子效率。从 而，由实施例1-11获得的磷光体可具有优异的发光特性和小的粒径。
[0461] 特别地，实施例2、3和5可提供在450nm的激发波长处具有大于或等于约80%的 内量子效率的磷光体，其具有极好的发光特性和小的粒径。
[0462] 另一方面，由对比例9获得的磷光体在450nm的激发波长处具有77%的高的内量 子效率，但其体均粒径D50V是高的，为15, 400nm。
[0463] 对于通过将根据对比例9的磷光体粉碎而获得的对比例10的磷光体，体均粒径 D50V可降低至364nm，但在450nm的激发波长处的内量子效率恶化，为36 %。
[0464] 另外，如图4中所示，根据对比例9和10的磷光体的在发光峰波长处的发光强度 比根据实施例2的磷光体的在发光峰波长处的发光强度低。从而，商业上可得到的磷光体 (对比例9和10)可无法提供具有优异的发光特性和小的粒径的磷光体。
[0465] 另外，根据实施例1-11的磷光体具有大于或等于约1. 20且小于或等于约1. 35、且 更特别地