缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法与流程

技术特征：

1.一种缺陷诱导高光催化H₂生产二维MoS₂纳米层的制备方法，其特征为：步骤如下：

四硫代钼酸铵在200℃合成二硫化钼：

称取1mmol的四硫代钼酸铵，加入35ml的N,N-二甲基甲酰胺，超声45min，然后将溶液移入50ml的聚四氟乙烯反应釜中，在200℃的鼓风干燥箱中反应24h，待在室温自然冷却后，离心分离，分别用去离子水和无水乙醇各洗涤3次，最后在80℃的真空干燥箱中干燥24h，最终的产物为二维MoS₂纳米层单体，标记为MoS₂-1。

2.一种缺陷诱导高光催化H₂生产二维MoS₂纳米层的制备方法，其特征为：步骤如下：

四硫代钼酸铵在220℃合成二硫化钼：

称取1mmol的四硫代钼酸铵，加入35ml的N,N-二甲基甲酰胺，超声45min，然后将溶液移入50ml的聚四氟乙烯反应釜中，在220℃的鼓风干燥箱中反应24h，待在室温自然冷却后，离心分离，分别用去离子水和无水乙醇各洗涤3次，最后在80℃的真空干燥箱中干燥24h，最终的产物为二维MoS₂纳米层单体，标记为MoS₂-2。