技术总结
本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种利用电场修复硅基晶格缺陷的建模方法，包括如下步骤：步骤一：定义模型变量c；步骤二：建立相场总自由能模型，所述相场为电场；步骤三：改变模型中的电势参数，求解硅原子的控制方程并进行仿真。在实际成形过程中，硅基晶格在温度场作用下成形时会表面缺陷，对硅基晶格品质产生影响。鉴于此现状，本发明提出利用电场作用来修复硅基晶格缺陷。本发明基于电场对硅原子的作用机理，建立含有静电能的总自由能方程，简化求解方程并得到变量值。简化求解方程并得到变量值。简化求解方程并得到变量值。
技术研发人员：虞晓韩 黄日鹏 朱伟华 吴正扬 李子烨 张俐楠
受保护的技术使用者：浙江工商大学
技术研发日：2021.04.12
技术公布日：2021/6/24