电电流产生系统中，在电极16作用下沿一预定方向(如箭头所示)蚀刻第一纳米材料层12。然而在本发明的另一实施例中，请参照图2C，是在一电弧喷射式(arc jet)电流产生系统中，以第一图案化绝缘层14为罩幕，利用一喷头17沿一预定路径(如箭头所示)蚀刻第一纳米材料层12。
[0110]请参照图2D，将第一图案化绝缘层14予以移除而达成一纳米级导电薄膜20。然而在本发明的一实施例中，由于第一图案化绝缘层14包括光学特性与第一纳米材料层12相匹配的材料，因此无需移除第一图案化绝缘层14，如此可降低该移除过程所可能伤害第一保护层13的风险。纳米级导电薄膜20的第一纳米材料层12划分为多个第一区域121以及多个第二区域122。第一区域121在图2B或图2C的蚀刻过程中由第一图案化绝缘层14所遮罩，而第二区域122则未由第一图案化绝缘层14所遮罩，使得蚀刻后第一纳米材料层12中所述第一区域121之间以所述第二区域122电性隔离。
[0111]图3A?3D所示为根据本发明的另一实施例的纳米级导电薄膜的制作方法示意图。请参照图3A，本实施例的制作方法是先提供一纳米基材28。纳米基材28具有一基板
11、位于基板11的一侧的一第一保护层13、叠层于基板11与第一保护层13之间的一第一纳米材料层12、位于基板11的另一侧的一第二保护层23以及叠层于基板11与第二保护层23之间的一第二纳米材料层22。在本发明的一实施例中，第二保护层23与第二纳米材料层22的材料与结构分别相同于或类似于第一保护层13与第一纳米材料层12，在此不另赘叙。
[0112]其后，在纳米基材28的第一保护层13与第二保护层23上例如以涂布方式形成一绝缘层，并通过印刷、显影、转印以分别形成第一图案化绝缘层14于第一保护层13上以及一第二图案化绝缘层24于第二保护层23上。在本发明的一实施例中，第二图案化绝缘层24的材料与光学特性相同于或类似于第一图案化绝缘层14，在此不另赘叙。
[0113]请参照图3B，在一电流产生系统15中，以第一图案化绝缘层14为罩幕予以蚀刻第一纳米材料层12，并同时在另一电流产生系统25中，例如一介电质放电电流产生系统，以第二图案化绝缘层24为罩幕予以蚀刻第二纳米材料层22。在本实施例中，是在电极16与26作用下沿一预定方向(如箭头所示)分别蚀刻第一纳米材料层12与第二纳米材料层
22。在某些实施例中，电极16与26的移动方向也可以不同或不相应。
[0114]在本发明的其他实施例中，是在电流产生系统15中,在电极16作用下以第一图案化绝缘层14为罩幕先予以蚀刻第一纳米材料层12，之后在相同的电流产生系统15中，在电极16作用下以第二图案化绝缘层24为罩幕予以蚀刻第二纳米材料层22。
[0115]同理，亦可在电流产生系统25中，在电极26作用下以第二图案化绝缘层24为罩幕先予以蚀刻第二纳米材料层22，之后在相同的电流产生系统25中，在电极26作用下以第一图案化绝缘层14为罩幕予以蚀刻第一纳米材料层12。
[0116]在本发明的另一实施例中，请参照图3C，是在一电弧喷射式(arcjet)电流产生系统中，以第一图案化绝缘层14为罩幕，利用喷头17沿一预定路径(如箭头所示)蚀刻第一纳米材料层12，并同时在另一电弧喷射式电流产生系统中，以第二图案化绝缘层24为罩幕，利用喷头27沿一预定路径蚀刻第二纳米材料层22。
[0117]在本发明的其他实施例中，是在一电弧喷射式电流产生系统中，以第一图案化绝缘层14为罩幕，利用喷头17沿一预定路径先蚀刻第一纳米材料层12，之后在相同的电弧喷射式电流产生系统中，以第二图案化绝缘层24为罩幕，利用喷头17沿一预定路径蚀刻第二纳米材料层22。
[0118]同理，亦可在一电弧喷射式电流产生系统中，以第二图案化绝缘层24为罩幕,利用喷头27沿一预定路径先蚀刻第二纳米材料层22，之后在相同的电弧喷射式电流产生系统中，以第一图案化绝缘层14为罩幕，利用喷头27沿一预定路径蚀刻第一纳米材料层12。在某些实施例中，喷头17与27的移动方向也可以不相同或不相应。
[0119]请参照图3D，将第一图案化绝缘层14以及第二图案化绝缘层24予以移除而达成一纳米级导电薄膜30。然而在本发明的一实施例中，由于第一图案化绝缘层14与第二图案化绝缘层24包括光学特性分别与第一纳米材料层12与第二纳米材料层22相匹配的材料，因此无需移除第一图案化绝缘层14与第二图案化绝缘层24，如此可降低该移除过程所可能伤害第一保护层13及第二保护层23的风险。
[0120]纳米级导电薄膜30的第一纳米材料层12划分为多个第一区域121以及多个第二区域122。第一区域121在图3B或图3C的蚀刻过程中由第一图案化绝缘层14所遮罩，而第二区域122则未由第一图案化绝缘层14所遮罩，使得蚀刻后第一纳米材料层12中所述第一区域121之间以所述第二区域122电性隔离。另外，纳米级导电薄膜30的第二纳米材料层22划分为多个第一区域221以及多个第二区域222。第一区域221在图3B或图3C的蚀刻过程中由第二图案化绝缘层24所遮罩，而第二区域222则未由第二图案化绝缘层24所遮罩，使得蚀刻后第二纳米材料层22中所述第一区域221之间以所述第二区域222电性隔离。
[0121]在某些实施例中，第二图案化绝缘层24的图样可不同于第一图案化绝缘层14，举例来说，第二图案化绝缘层24的每一条绝缘块以第一方向(例如X方向)排列，而第一图案化绝缘层14的每一条绝缘块以第二方向(例如Y方向)排列，但不限于此。经如图3B或3D蚀刻之后，可在基板11的两个相异的表面形成不同方向的触控感测电极。
[0122]图4A与4B所示为根据本发明的又一实施例的纳米级导电薄膜的制作方法示意图。请参照图4A，本实施例的制作方法仅提供一纳米基材10而不在纳米基材10上形成绝缘层。纳米基材10的第一纳米材料层12可预先划分为多个第一区域以及多个第二区域，其中所述第一区域是欲保留导电性的区域，而所述第二区域是欲使其导电性丧失的区域。此夕卜，所述第二区域可界定出一蚀刻路径(如箭头所示)。
[0123]其后，在一电弧喷射式电流产生系统中，利用喷头17蚀刻纳米基材10中第一纳米材料层12的所述第二区域，使第一纳米材料层12中所述第一区域之间以所述第二区域电性隔离。在本发明的一实施例中，是按照所述第二区域所界定出路径来蚀刻纳米基材10。
[0124]请参照图4B，纳米基材10经蚀刻后形成一纳米级导电薄膜40。纳米级导电薄膜40的第一纳米材料层12包括多个第一区域121以及多个第二区域122，其中所述第一区域121之间以所述第二区域122电性隔离。
[0125]图5A与5B所示为根据本发明的再一实施例的纳米级导电薄膜的制作方法示意图。请参照图5A，本实施例的制作方法仅提供一纳米基材28而不在纳米基材28上形成绝缘层。纳米基材28的第一纳米材料层12与第二纳米材料层22可各自预先划分为多个第一区域以及多个第二区域，其中所述第一区域是欲保留导电性的区域，而所述第二区域是欲使其导电性丧失的区域。此外，所述第二区域可界定出一蚀刻路径(如箭头所示)。
[0126]其后，在一电弧喷射式电流产生系统中，利用喷头17蚀刻纳米基材28中第一纳米材料层12的所述第二区域，使第一纳米材料层12中所述第一区域之间以所述第二区域电性隔离，并同时在另一电弧喷射式电流产生系统中，利用喷头27蚀刻纳米基材28中第二纳米材料层22的所述第二区域，使第二纳米材料层22中所述第一区域之间以所述第二区域电性隔离。在本发明的一实施例中，是按照所述第二区域所界定出的路径来蚀刻纳米基材28。
[0127]在本发明的其他实施例中，是在一电弧喷射式电流产生系统中，利用喷头17沿着与第一纳米材料层12相关的蚀刻路径先蚀刻第一纳米材料层12，之后在相同的电弧喷射式电流产生系统中，利用喷头17沿着与第二纳米材料层22相关的蚀刻路径来蚀刻第二纳米材料层22。
[0128]同理，亦可在一电弧喷射式电流产生系统中，利用喷头27沿着与第二纳米材料层22相关的蚀刻路径先蚀刻第二纳米材料层22，之后在相同的电弧喷射式电流产生系统中，利用喷头27沿着与第一纳米材料层12相关的蚀刻路径来蚀刻第一纳米材料层12。相类似地，喷头27与喷头17的移动方向可以不相同或不相应，使得图5B的基板11相异两侧的触控感测电极以不同方向排列。例如第一纳米材料层12在第一方向(例如X方向)可导通，但第一纳米材料层12在第二方向(例如Y方向)不导通；第二纳米材料层22在第一方向(例如X方向)不导通，但第二纳米材料层22在第二方向(例如Y方向)可导通。
[0129]请参照图5B，纳米基材28经蚀刻后形成一纳米级导电薄膜50。纳米级导电薄膜50的第一纳米材料层12包括多个第一区域121以及多个第二区域122，其中所述第一区域121之间以所述第二区域122电性隔离。另外，纳米级导电薄膜50的第二纳米材料层22包括多个第一区域221以及多个第二区域222，