技术总结
本发明提供一种多端口存储器、半导体装置和存储器宏单元。该多端口存储器包括存储器单元、第一字线和第二字线、第一位线和第二位线、第一地址端子和第二地址端子、地址控制电路。地址控制电路在正常操作模式下基于分别供应到所述第一地址端子和所述第二地址端子的地址信号，将所述第一字线和所述第二字线独立于彼此进行控制，并且在干扰测试模式下基于供应到第一地址端子和第二地址端子中的一个来激活耦合到同一存储器单元的第一字线和第二字线二者。
技术研发人员：佐野聪明;长田俊哉;田中信二
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
文档号码：201610911128
技术研发日：2016.10.19
技术公布日：2017.05.03