技术总结
本发明提供一种基于磁性存储器的内存计算电路，包括：磁性存储器阵列和多路读取电路，其中，所述磁性存储器阵列每一行的多个存储单元共用一条字线，每一列的多个存储单元共用一条源线，每一列或者每一行的多个存储单元共用一对互补位线，每个存储单元包括：一个MOS管和两个MTJ，所述MOS管用于控制两个所述MTJ的读写，所述MOS管的漏极与两个所述MTJ连接，两个所述MTJ的存储状态相反且两个所述MTJ为一组，用于记录一位数据，两个所述MTJ分别连接对应的互补位线中的其中一条位线；所述读取电路，用于读取共用一对互补位线的一列或者一行的其中一个或者多个存储单元的状态，以实现按位逻辑操作。本发明能够直接在存储器阵列上实现内存计算。内存计算。内存计算。
技术研发人员：殷标 孟皓
受保护的技术使用者：浙江驰拓科技有限公司
技术研发日：2019.07.22
技术公布日：2021/1/29