半位元线高电平电压产生器、存储器装置与驱动方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种集成电路，且特别涉及半位元线高电平电压产生器。
【背景技术】
[0002]在执行读写操作时，存储器元件(例如为动态随机存取存储器)会被半位元线高电平电压(常为系统供应电压VCC的一半)所驱动。
[0003]半位元线高电平电压通常可由推挽式电压产生器所产生。在推挽式电压产生器中的一些环境退化因素所引起的元件不匹配现象与偏移(offset)电压可能会引起横流电流(cross current)。此横流电流会导致存储器装置的待机电流(standby current)增加,进而产生更多功率消耗。
[0004]因此，如何能降低存储器装置的横流电流，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域极需改进的目标。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于，降低存储器装置的横流电流，进而降低存储器装置的待机电流，以节约功率消耗。
[0006]为了解决上述的问题，本发明提供了一种半位元线高电平电压产生器。该半位元线高电平电压产生器包含控制模块、驱动模块以及监测模块。控制模块用以根据更新信号与半位元线高电平电压产生第一控制信号与第二控制信号。驱动模块用以根据第一控制信号与第二控制信号产生半位元线高电平电压至存储器装置。监测模块用以监测横流电流是否流经驱动模块并产生更新信号，借此调整驱动模块以降低横流电流。
[0007]本发明又一个方面在于提供一种存储器装置。该存储器装置包含传输单元、储存电容以及半位元线高电平电压产生器。传输单元用以根据选择信号选择性传输资料信号。储存电容的第一端电性耦接传输单元，以储存资料信号，储存电容的第二端用以接收半位元线高电平电压。半位元线高电平电压产生器包含第一放大器、第二放大器与监测模块。第一放大器用以根据第一参考电压与半位兀线高电平电压产生第一控制信号。第二放大器用以根据第二参考电压与半位元线高电平电压产生第二控制信号，其中半位元线高电平电压产生器根据第一控制信号与第二控制信号产生半位元线高电平电压。监测模块用以监测第一放大器与第二放大器之间的偏移电压，并产生更新信号，以调整半位元线高电平电压产生器，借此降低偏移电压。
[0008]本发明的另一个方面在于提供用以驱动存储器元件的驱动方法。该驱动方法包含下列步骤:自第一放大器产生第一控制信号；自第二放大器产生第二控制信号；根据第一控制信号与第二控制信号产生半位元线高电平电压，其中半位元线高电平电压用以驱动存储器元件；根据第一控制信号与第二控制信号产生更新信号；以及根据更新信号调整第一控制信号与第二控制信号，以减低存储器元件的待机电流。
[0009]综上所述，本发明的技术方案与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。通过上述技术方案，可达到相当的技术进步，并具有产业上的广泛利用价值，本发明技术内容可降低自半位元线高电平电压产生器的电路的元件不匹配或偏移电压所引起的横流电流，进而减少了存储器装置的待机电流。
【附图说明】
[0010]为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下:
[0011]图1为根据本发明的一些实施例的一种存储器装置的示意图；
[0012]图2A为根据本发明的一些实施例的一种半位元线高电平电压的方块图；
[0013]图2B为根据本发明的一些实施例的一种半位元线高电平电压产生器的示意图；
[0014]图2C为根据本发明的一些实施例的禁区控制单元的示意图；
[0015]图2D为根据本发明的一些实施例的一种分压单元的示意图；
[0016]图2E为根据本发明的一实施例的横流电流、更新信号、第一参考电压与第二参考电压的波形图；
[0017]图3A为根据本发明的一些实施例的半位元线高电平电压产生器的示意图；
[0018]图3B为根据本发明的一些实施例的一种分压单元的示意图；
[0019]图3C为根据本发明的一实施例的横流电流、第一参考电压与第二参考电压的波形图；
[0020]图3D为根据本发明的一实施例中的横流电流的波形图；以及
[0021]图4为根据本发明的一些实施例的一种驱动方法的流程图。
【具体实施方式】
[0022]下文举实施例配合附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围，而结构操作的描述并非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本发明所涵盖的范围。此外，附图仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。为便于理解，下述说明中相同元件将以相同的符号标示来说明。
[0023]在全篇说明书与权利要求书所使用的用词，除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在此公开内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本公开技术的用词将于下或在此说明书的别处讨论，为本领域技术人员在有关本公开内容的描述上提供额外的引导。
[0024]关于本文中所使用的“约”、“大约”或“大致” 一般通常是指数值的误差或范围在百分之二十以内，较好地是在百分之十以内，而更理想地则是在百分之五以内。文中若无明确说明，其所提及的数值皆视作为近似值，例如可如“约”、“大约”或“大致”所表示的误差或范围，或其他近似值。
[0025]关于本文中所使用的“第一”、“第二”等，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本发明，其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的元件或操作而已。
[0026]其次，在本文中所使用的用词“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于此。
[0027]另外，关于本文中所使用的“耦接”或“连接”，均可指两个或多个元件相互直接作实体或电性接触，或是相互间接作实体或电性接触，亦可指两个或多个元件相互操作或动作。
[0028]图1为根据本发明的一些实施例的一种存储器装置的示意图。
[0029]如图1所示，存储器装置100包含传输单元102、储存电容C与半位元线高电平电压产生器104。传输单元102电性耦接至位元线BL与字元线WL，并用以根据自字元线WL所传送的控制信号，选择性地自位元线BL传送资料信号至储存电容C。
[0030]储存电容C的第一端电性耦接至传输单元102以储存资料信号，储存电容C的第二端用以接收半位元线高电平电压VB。在一些实施例中，半位元线高电平电压VB可为系统供应电压VCC的一半，亦即VCC/2。
[0031]半位元线高电平电压产生器104用以产生半位元线高电平电压VB。如先前所述，环境退化可能会导致元件不匹配或偏移电压而在半位元线高电平电压产生器104的输出端上产生横流电流(cross current) IC (图中未示出)，进而增加了存储器装置100的功率消耗。
[0032]下列段落将介绍在多个实施例中如何使半位元线高电平电压器104降低横流电流1C。下列多个实施例仅为例示，但本发明并不仅以下列的实施例所示的内容为限。
[0033]图2A为根据本发明的一些实施例的一