Α)的横流电流1C。因此，更新信号UP的状态切换至逻辑1，以调整第一控制信号VCl与第二控制信号VC2。在调整完之后，可见到横流电流IC已被降低至0.2 μ A。
[0051]图3Α为根据本发明的一些实施例的半位元线高电平电压产生器的示意图。为了增加禁区的范围，如图3Α所示，监测模块260包含了计数器264与解码器266。
[0052]计数器264电性耦接至第一电阻单元Rl的第一端与第二电阻单元的第二端，以产生控制数位码CNT。解码器266电性耦接至计数器264，以对将控制数位码CNT解码为更新信号UP。
[0053]换句话说，计数器264用以根据第一监测信号MPON与第二监测信号MNON产生控制数位码CNT。当监测到横流电流IC时，计数器264会开始计数。直到横流电流IC可被忽略时，计数器264会停止计数。
[0054]解码器266用以对控制数位码进行解码，以产生更新信号UP。更新信号UP为多位元的信号，以控制多个修整电路。
[0055]图3B为根据本发明的一些实施例的一种分压单元。相较于图2D，在图3B所示的分压单元222还包含多个修整电路222a。修整电路22a与第二电阻RB电性并接。每一修整电路22a包含第四电阻RD与切换单元SW。第四电阻RD的第一端电性耦接至第二电阻RB的第一端。切换单元SW电性耦接于第四电阻RD的第二端与第二电阻RB的第二端之间。其中一个修整电路222a的切换单元SW用以根据更新信号UP的对应的位元而选择性导通。
[0056]在此实施例中，半位元线高电平电压产生器300的禁区的范围可被增加。因此，半位元线高电平电压产生器300可具有较好的准确度来降低横流电流1C。
[0057]图3C为根据本发明的一实施例的横流电流、第一参考电压与第二参考电压的波形图。
[0058]如图3C所示，预设的半位元线高电平电压VB为0.6V。第一放大器224与第二放大器226的偏移电压为5mV，所相应产生的横流电流IC为263 μ Α。在禁区范围一步步地被调整后，横流电流IC已下降至小于I μ A。
[0059]图3D为根据本发明的一实施例中的横流电流的波形图。若当半位元线高电平电压产生器200在不具有监测模块260的状况下使用时，则在偏移电压约为7mV时即无法具有前述的禁区范围(例如:曲线322)。相反地，在具有7mV的误差电压的情况下，通过监测模块260的调整，本发明所示的半位元线高电平电压产生器200可具有3mV的禁区范围(例如:曲线324) ο
[0060]再者，在具有多个存储器元件的存储器阵列中，每一存储器元件可共享控制模块220、驱动模块240与对应的监测模块260。通过共享同一控制模块220与驱动模块240，存储器阵列的面积可以进一步地缩减。
[0061]本发明的另一个方面在于提供一种用于驱动存储器元件的驱动方法。图4为根据本发明的一些实施例的一种驱动方法的流程图。
[0062]驱动方法400包含下列步骤。自第一放大器224产生第一控制信号VCl (步骤S401)。自第二放大器226产生第二控制信号VC2(步骤S402)。根据第一控制信号VCl与第二控制信号VC2产生半位元线高电平电压VB，其中半位元线高电平电压VB用以驱动存储器元件(步骤S403)。根据第一控制信号VCl与第二控制信号VC2产生更新信号UP (步骤S404)。根据更新信号UP调整第一控制信号VCl与第二控制信号VC2，以降低存储器元件的待机电流(步骤S405)。
[0063]再者，在一些实施例中，可通过输入第一参考电压VREFl与半位元线高电平电压VB至第一放大器224,以产生第一控制信号VC1。可通过输入第二参考电压VREF2与半位兀线高电平电压VB至第二放大器226，以产生第二控制信号VC2。其中，第一参考电压VREFl与第二参考电压VREF2可自分压单元222产生。
[0064]综上所述，本发明提供一种半位元线高电平电压产生器、存储器装置与其驱动方法，可降低自半位元线高电平电压产生器的电路的元件不匹配或偏移电压所引起的横流电流，进而减少了存储器装置的待机电流。
[0065]虽然本发明已经以实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种变动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
【主权项】
1.一种半位元线高电平电压产生器，其特征在于，该半位元线高电平电压产生器包含: 控制模块，其用以根据更新信号与半位元线高电平电压产生第一控制信号与第二控制信号; 驱动模块，其用以根据所述第一控制信号与所述第二控制信号产生所述半位元线高电平电压至存储器装置；以及 监测模块，其用以监测横流电流是否流经所述驱动模块并产生所述更新信号，借此调整所述驱动模块以降低所述横流电流。
2.如权利要求1所述的半位元线高电平电压产生器，其特征在于，所述驱动模块包含: 第一切换单元，其用以根据所述第二控制信号而选择性地导通，以产生所述半位元线高电平电压至输出端；以及 第二切换单元，其电性耦接所述第一切换单元的所述输出端，所述第二切换单元用以根据所述第一控制信号选择性地导通，以产生所述半位元线高电平电压至所述输出端， 当所述第一切换单元与所述第二切换单元皆为导通时，所述横流电流流经所述第一切换单元与所述第二切换单元。
3.如权利要求1所述的半位元线高电平电压产生器，其特征在于，所述控制模块包含: 分压单元，其用以根据所述更新信号产生第一参考电压与第二参考电压； 第一放大器，其用以根据所述第一参考电压与所述半位元线高电平电压产生所述第一控制信号；以及 第二放大器，其用以根据所述第二参考电压与所述半位元线高电平电压产生所述第二控制信号。
4.如权利要求3所述的半位元线高电平电压产生器，其特征在于，所述监测模块包含: 第一复制切换单元，其用以根据所述第二控制信号选择性地导通； 第一电阻单元，其电性耦接所述第一复制单元，以产生第一监测信号； 第二复制切换单元，其用以根据所述第一控制信号选择性地导通；以及 第二电阻单元，其电性耦接所述第二复制切换单元，以产生第二监测信号。
5.如权利要求4所述的半位元线高电平电压产生器，其特征在于，所述监测模块还包含: 禁区控制单元，其用以根据所述第一监测信号与所述第二监测信号产生所述更新信号。
6.如权利要求5所述的半位元线高电平电压产生器，其特征在于，所述分压单元包含 第一电阻，所述第一电阻的第一端用以接收高位元线电平电压，所述第一电阻的第二端用以产生所述第一参考电压； 第二电阻，所述第二电阻的第一端电性耦接于所述第一电阻的所述第二端，所述第二电阻的第二端用以产生所述第二参考电压； 第三电阻，其电性耦接于所述第二电阻的所述第二端与接地端之间； 第四电阻，所述第四电阻的第一端电性耦接于所述第二电阻的所述第一端；以及第三切换单元，其电性耦接于所述第四电阻的第二端与所述第二电阻的所述第二端之间，所述第三切换单元用以根据所述更新信号选择性地导通。
7.如权利要求4所述的半位元线高电平电压产生器，