非晶态的。
[0072]构成晶粒边界区域的上述材料的物质量相对于形成磁性晶粒的合金的比例的合计能够设为5至20摩尔％的范围。如果小于5摩尔％，则难以维持颗粒构造，如果大于20摩尔％，则具有R/W特性中的再生输出下降的倾向。进一步，能够设为7至12摩尔％的范围。
[0073]在实施方式中，能够在基板与非磁性颗粒层之间设置高透磁率的软磁层。软磁层承担起使来自用于将垂直磁记录层磁化的磁头例如单极磁头的记录磁场在水平方向上通过并向磁头侧回流的所谓磁头的功能的一部，其向磁场的记录层附加陡峻且充分的垂直磁场，能够起到提高记录再生效率的效果。
[0074]作为这样的软磁层，可列举例如CoZrNb、CoB、CoTaZr、FeSiAl、FeTaC、CoTaC、NiFe、Fe、FeCoB, FeCoN, FeTaN 等。
[0075]软磁层也可以为大于等于二层的多层膜。在该情况下，各层的材料、组成、膜厚也可以不同。另外，也可以设为夹着薄的Ru层两层软磁层层叠起来的三层构造。
[0076]出于提高基板与软磁层的机械贴合性的目的，而可在基板与软磁层之间设置非磁性贴合层。作为非磁性贴合层，除了例如Cr和/或Ti这些材料外，还能够使用它们的合金。
[0077]在实施方式中使用的软磁层与非磁性颗粒层之间，可形成防扩散层。作为这样的防扩散层，可列举Pd、Pt以及Si等。
[0078]在实施方式中使用的软磁层与非磁性颗粒层之间，能够设置晶体取向控制层。在形成了防扩散层的情况下，晶体取向控制层能够设置于防扩散层与非磁性颗粒层之间。
[0079]作为晶体取向控制层，能够使用例如NiW、NiTa, T1、Ta、W、Cu、Pd、Pt、Cr、Au以及Ag等。
[0080]下面参照附图对实施方式进行说明。
[0081]实施例1
[0082]图2A至图2E中示出了用于说明实施方式涉及的图案形成方法的作用的模式图。
[0083]在玻璃基板I上，在制膜制造出了未图示的厚度40nm的软磁层(CoZrNb)后，为了防止扩散而制造未图示的3nm厚的Pd层。将基板I暂时曝露于大气中，通过旋转涂布法将含自组装材料 PS (Polystyrene) -PEO (PoIystyrene-Polyethyrene oxide)以及作为添加成分的SOG (Spin On Glass)的溶液涂布在基板I上，形成自组装膜4。使用的PS-PEO为PS的分子量为1600且PEO的分子量为1800的共聚物，SOG使用東京応化工業的O⑶T-74000-T。PS-PEO与SOG分别以1.0质量百分比浓度、10.0质量百分比浓度溶解并稀释于二乙二醇二甲醚(二甘醇二甲醚，Bis (2-methoxyethyl) ether),分别以重量比1:6混合用二乙二醇二甲醚稀释后的溶液，作为自组装用的溶液。代替SOG使用倍半硅氧烷也能够得到同样的结果。
[0084]在基板上涂布了自组装膜后，通过在三氯甲烷与辛烷的气氛下将样本留置5小时，由此使自组装膜4相分离。由此，如图2A所示形成海岛相，该海岛相包含:由PS构成的岛状聚合物相3 ;和海状聚合物相2，其包围岛状聚合物相3并由含SOG的PEO构成且连续。作为促进自组装的方法，也可以将基板在室温的大气中留置20小时。
[0085]然后，通过将基板在氮气气氛下加热到500°C，由此作为有机材料的PS、PE0分解，与岛状聚合物相相当的部分成为凹陷，在与海状聚合物相相当的部分作为具有多个凹陷的晶粒边界层而形成了含SOG的孔图案。
[0086]测定所得到的介质的平面SEM (Scanning Electron Microscope,扫描电子显微镜)，通过下面顺序进行粒径以及间距的解析。
[0087]首先，使用任意的画像处理软件从放大倍数为50万倍的画像中提取各个微粒的轮廓。然后，通过用椭圆对所得到的轮廓信息进行近似而计算出微粒的面积以及直径，计算出微粒尺寸的分散。
[0088]另外，通过读取各微粒的重心坐标，并描绘出由各微粒构成的最小的三角形(德劳奈三角形)，由此计算出各微粒间的间距。在该孔图案中观察平面TEM时，可知形成了粒径为7nm、间距为12nm且粒径分散以及间距分散都小于等于8%的孔图案。另外，从截面TEM观察可知，如图2B所示，形成于基板I上的孔图案在SOG层2’上的与岛状聚合物相相当的部分具有多个凹陷21。通过自组装形成的图案尺寸，通过适宜调整作为模板(template)的PS-PEO以及SOG的分子量和/或混合比例，能够控制为任意的尺寸。
[0089]然后，再次返回到制膜腔室内，通过在气压0.6Pa的Ar气氛中逆溅射(逆 > 八夕)而蚀刻了薄膜侧。该工序具有除去被认为是由于暂时曝露于大气中而形成并附着于SOG层表面的分子和/或原子等杂质的效果。
[0090]在所得到的SOG层2’上制膜制造1.2nm的Ag并在约500°C下加热20秒的时间，从而进行Ag微粒向多个凹陷21的埋入以及Ag微粒的再结晶化。在部分取出制作好的介质并通过AFM测定了表面的形状时，如图2C所示，能够确认，在含SOG的孔图案即区域埋入了 Ag微粒5，该区域相对于SOG层表面具有凸构造。可知该凸部15的高度约为3nm。另外，通过截面TEM观察该基板I。其底部14的深度为4nm，在测定了由Ag微粒5形成的凸部周缘部的切线与SOG层2’表面所成的角时，可知该角约为75°。
[0091]在通过在真空中加热而将Ag埋入孔图案中所成的基板I上，在压力0.4Pa的Ar气氛下制造1nm的中间层7的Ru。该工序为了防止由杂质引起的污染，在Ag的埋入加热后，不向大气开放而是连续在真空中进行制膜。在通过制膜形成的中间层Ru层7上，在制膜腔室内连续地在气压0.6Pa的Ar气氛下使用(Co_16at% Pt-1Oat% Cr)-8mol% S12混合标靶进行RF溅射，在形成了厚度15nm的CoPtCr-S12的垂直磁记录层11后，形成厚度5nm的C保护膜12,得到垂直磁记录介质10,其中，垂直磁记录层11具有含CoPtCr的磁性晶粒8以及含包围该CoPtCr的S12的晶粒边界区域9。
[0092]在通过截面TEM (Transmiss1n Electron Microscope,透射电子显微镜)观察磁记录介质时，可知其具有与图2E同样的概略截面构造。可知，如图2E所示，在颗粒层的截面上，成为中间层7的Ru以由粒间物质即非晶质的SOG截断开的Ag微粒为核而生长。另夕卜，确认了垂直磁记录层11中由未确认结晶性的晶粒边界区域9截断开的磁性晶粒8从Ru中间层7连续地外延生长的样子。
[0093]在对该垂直磁记录层10进行平面TEM观察并计算了在膜面内的粒径分布以及粒间间距分布时，微粒尺寸的平均值为7.5nm，其标准偏差为0.6nm。另外，粒间的间距的平均值为12.5nm，其标准偏差为1.4nm。能够以在基底利用的自组装层的图案为起点形成到记录层，所以能够不因基底的模板使分散恶化地、形成垂直磁记录层。
[0094]在这样制作出的垂直磁记录介质中，使用美国⑶ZIK公司制的读写分析仪1632以及旋转台S1701MP，进行了记录再生特性的评价。另外，记录再生用的磁头使用在记录部具有饱和磁感应强度约2T的单极磁头、以及在再生元件中利用了巨磁阻效应的磁头。在再生信号输出/介质噪音比(S/Nm)的评价中，再生信号输出S使用线记录密度约50kFCI时的振幅、Nm使用线记录密度约400kFCI时的2次方平均值。其结果，在磁盘前面完全没有观察到尖峰(spike)杂音，S/Nm得到19.5dB这一良好的值。进而,对该记录介质记录线记录密度约10kFCI的信号，进行由热波动导致的输出劣化的评价。在从记录查找结束后起的100，000秒钟的时间内，定期测定再生输出，再生输出的劣化在测定误差的范围内，作为信号衰减率大致为-OdB/decade。
[0095]实施例2
[0096]在实施例2中，对作为非磁性颗粒基底层使用了 Al-AlO的情况进行说明。
[0097]在基板和/或图案化中使用的自组装材料与实施例1同样。
[0098]与实施例1同样地在玻璃基板I上，制造了未图示的厚度40nm的软磁层(CoZrNb)后，为了扩散防止而制造了 3nm的Pd层。
[0099]将基板暂时曝露于大气，使用自组装材料PS-PE0，作为要通过烧成形成氧化物的材料使用双(2-甲氧乙氧基)铝氢化钠。将各溶媒溶解于甲苯，以PS相分离为岛状聚合物相、PEO与双(2-甲氧乙氧基)铝氢化钠相分离为海状聚合物相的比例来混合，并在基板上形成自组装膜。
[0100]然后，通过将其在大气中留置20小时，使之相分离，在氮气气氛下将基板加热到4000C。其结果，作为有机材料的PS、PEO分解，作为在与岛状聚合物相相当的部分具有多个凹陷的晶粒边界层，形成含AlO的氧化物图案层。
[0101]对所得到的介质的平面SEM进行测定，与实施例1同样地进行