粒径以及间距的解析，结果可知，粒径为7nm，间距为12nm且粒径分散以及间距分散都小于等于9%，形成了与使用SOG的实施例1同样的孔图案。通过自组装所形成的图案尺寸，通过适宜调整成为模板的PS-PEO以及双(2-甲氧乙氧基)铝氢化钠的分子量和/或混合比例，能够控制为任意的尺寸。
[0102]制作出AlO图案层后，再次返回到制膜腔室内，通过在气压0.6Pa的Ar气氛中进行逆溅射对薄膜侧进行了蚀刻。该工序具有除去被认为是由于暂时曝露于大气中而形成并附着于薄膜表面的分子和/或原子等的效果。
[0103]通过在所得到的AlO图案层上制造1.2nm的Al并在约400°C下加热20秒钟的时间，从而进行Al向AlO图案层的凹部的埋入以及Al的再结晶化。在部分取出了制作出的介质并通过AFM测定了表面的形状时，能够确认在作为AlO图案层的凹部的区域埋入有Al，该区域相对于AlO图案层表面具有凸构造。可知该凸部的高度约为2nm。另外，在通过截面TEM观察该基板时，能够确认底部的深度为4nm，(111)面取向于垂直方向。在利用截面TEM测定出凸部周缘部表面的切线与AlO图案层表面所成的角时，可知该角约为55°。
[0104]在通过在真空中加热而将Al埋入孔图案而成的基板上，在压力0.4Pa的Ar气氛下制膜制造1nm的中间层的Ru，在该中间层Ru层上，在制膜腔室内连续地在气压0.6Pa的Ar气氛下使用(Co-16at% Pt-1Oat% Cr)-8mol% S12混合标祀进行RFi贱射,形成厚度15nm的CoPtCr-S12的垂直磁记录层后,形成厚度5nm的C保护膜,得到了垂直磁记录介质。
[0105]在通过截面TEM观察所得到的磁记录介质时，可知与实施例1同样地，概略性的截面具有图3的构造。确认了垂直磁记录层中由未确认结晶性的晶粒边界截断开的晶粒从Ru层连续地外延生长的样子。
[0106]在对该垂直磁记录层进行平面TEM观察并计算了在膜面内的粒径分布以及粒间间距分布时，微粒尺寸的平均值为7.6nm，其标准偏差为0.8nm。另外，粒间的间距的平均值为12.8nm,其标准偏差为1.8nm。
[0107]在这样制作出的垂直磁记录介质中，与实施例1同样地进行S/Nm评价的结果是在磁盘前面完全没有观察到尖峰杂音，S/Nm得到19.0dB这一良好的值。进而，对该记录介质记录线记录密度约10kFCI时的信号，进行由热波动所致的输出劣化的评价。在从记录查找结束后起的100,000秒钟的时间内，定期测定再生输出，再生输出的劣化在测定误差的范围内，作为信号衰减率大致为-OdB/decade。与实施例1的结果相比，特性稍劣化的原因是，通过回流形成的Al微粒与AlO的接触角为55°、较小，所以凹凸高度降低到2nm。
[0108]实施例3
[0109]在实施例3中，对作为形成非磁性颗粒基底层的金属材料用了高融点的Pt的例子进行说明。
[0110]除了作为非磁性颗粒基底层即基底使用Pt以外，与实施例1相同。
[0111]与实施例1同样地，在玻璃基板上制造了厚度40nm的软磁层(CoZrNb)后，为了防止扩散制造了 3nm的Pd层。将基板暂时曝露于大气，通过旋转涂布对含自组装材料PS-PEO以及SOG的溶液进行自组装膜的涂布。使用的PS-PEO以及SOG与实施例1同样。
[0112]在基板上涂布自组装膜后，通过在三氯甲烷与辛烷的气氛下将样本留置5小时，由此使自组装材料相分离。然后，通过将基板在氮气气氛下加热到800°C，由此作为有机材料的PS、PE0分解，在基板上形成与实施例1同样的含SOG的孔图案。
[0113]然后，再次返回到制膜腔室内，在气压0.6Pa的Ar气氛中与实施例1同样地通过逆溅射对薄膜侧进行蚀刻后，在SOG的孔图案上制膜制造约1.2nm的Pt，通过在约800°C下加热4小时从而进行了 Pt向孔图案的埋入以及Pt的再结晶化。在部分取出了制作的介质并通过AFM测定了表面的形状时，能够确认在作为SOG的孔图案的区域中埋入有Pt，该区域具有凸构造。可知该凸部的高度为约3nm。另外，在通过截面TEM观察该基板时，可知其底部14的深度为4nm，在测定由Pt形成的凸部周缘部与SOG表面所成的角时，可知该角为约80。。
[0114]在通过在真空中加热而将Pt埋入孔图案中而成的基板上，在压力0.4Pa的Ar气氛下制膜制造1nm的中间层的Ru。在通过制膜形成的中间层Ru层上,在制膜腔室内连续地在气压0.6Pa的Ar气氛下，使用(Co_16at% Pt-1Oat% Cr) -8mol% S12混合标靶进行RF溅射，形成厚度15nm的CoPtCr-S12的垂直磁记录层后，形成厚度5nm的C保护膜，得到垂直磁记录介质。
[0115]在通过截面TEM观察所得到的磁记录介质时，能够得到与实施例1同样的截面。可知概略性的截面具有与图2E同样的构造。
[0116]如图所示，可知，在颗粒层的截面上，中间层的Ru以由作为粒间物质的非晶质的SOG截断开的Pt微粒为核而生长。另外，确认了在垂直磁记录层中由未确认结晶性的晶粒边界截断开的晶粒从Ru层连续地外延生长的样子。
[0117]在对该垂直磁记录层进行平面TEM观察并计算了在膜面内的粒径分布以及粒间间距分布时，微粒尺寸的平均值为7.5nm，其标准偏差为0.9nm。另外，粒间的间距的平均值为12.5nm,其标准偏差为2.0nm。作为标准偏差稍恶化的原因,可认为是Pt的融点高所以其向孔案形的埋入未充分进行。
[0118]在这样制作出的垂直磁记录介质中，与实施例1同样地进行S/Nm评价，其结果是在磁盘前面完全没有观察到尖峰杂音，S/Nm得到17.4dB这一良好的值。对该记录介质记录线记录密度约10kFCI时的信号，进行由热波动所导致的输出劣化的评价。在从记录查找结束后起的100,000秒钟的时间内，定期测定再生输出，再生输出的劣化在测定误差的范围内，作为信号衰减率大致为-OdB/decade。
[0119]实施例4
[0120]在本实施例中，对在非磁性颗粒基底层的基底插入了晶体取向控制层(NiW)的情况进行说明。
[0121]在玻璃基板上制膜制造厚度40nm的软磁层(CoZrNb)后，为了防止扩散而制造3nm的Pd层，作为晶体取向控制层制造5nm的NiW。将基板暂时曝露于大气，通过旋转涂布对含自组装材料PS-PEO以及SOG的溶液进行自组装膜的涂布。使用的PS-PEO与实施例1同样地，但使用倍半硅氧烷以代替S0G，相对于PS-PEO将倍半硅氧烷设为30%，将溶液调整为PS成为柱状的圆柱构造。即便在代替倍半硅氧烷而与实施例1同样地使用SOG的情况下，也能够通过变更SOG的比例得到同样的结果。在基板上以膜厚1nm的方式涂布自组装膜后，通过在三氯甲烷与辛烷的气氛下将样本留置5小时，由此使自组装材料相分离。然后，通过在氮气气氛下将基板加热到500°C，作为有机材料的PS、PEO分解，在基板上形成含倍半硅氧烷进行了交联反应后的氧化物的孔图案。
[0122]在该孔图案中观察平面TEM时，可知形成了粒径为7nm、间距为12nm且粒径分散以及间距分散都小于等于8%的孔图案。另外，从截面TEM观察可知，所形成的孔图案贯通氧化物层并到达了基底的NiW层。由自组装形成的图案尺寸，通过适宜调整成为模板的PS-PEO以及倍半硅氧烷的分子量，能够控制为任意的尺寸。
[0123]然后，再次返回到制膜腔室内，在气压0.6Pa的Ar气氛中进行逆溅射(对薄膜侧溅射)。该工序具有除去被认为是由于暂时曝露于大气中而形成并附着于薄膜表面的膜和/或原子等的效果。另外，能够除去在通过加热而形成的氧化物孔图案的底部剩余的残渣，得到NiW清洁的表面。在进行了逆溅射后，在SOG的孔图案上制膜制造约2nm的Ag，通过在约500°C下加热20秒钟的时间从而进行Ag向孔图案的埋入以及Ag的再结晶化。在部分取出制作了的介质并通过AFM测定了表面的形状时，确认到了孔图案，判明其未充分地被填埋。从上表面SEM的观察可知，仅填埋了孔形状的一半左右。
[0124]为了完全填埋孔图案，在SOG图案上制膜制造约2nm的Ag，在约500°C下加热20秒钟的时间后，再次制膜制造约2nm的Ag并在约500°C下进行加热。在将再度制作的基板的一部分取出并通过AFM测定了表面的形状时，通过SOG使作为孔图案的部分成为凸部形状，判明了孔图案被填埋。判明凸形状的高度为约2nm。在通过截面TEM观察该基板时，底部的深度与膜厚同为lOnm。另外,能够确认面(111)取向于垂直方向。
[0125]在通过在真空中加热而将Ag埋入孔图案中而成的基板上，在压力0.4Pa的Ar气氛下制膜制造1nm的中间层的Ru。在将所制膜后的基板的一部分取出并通过截面TEM进行评价时，从高倍率的网格像可知，在NiW基底层与Ag粒形成有取向整齐的结晶面，在NiW与Ag间可确认外延关系。另外，在使用XRD进行Θ-2Θ扫描时，在2Θ =38.1°附近观察到衍射峰值，如果将来自基