1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序，即：
在晶片的表面形成多个半导体装置的工序；
第1磨削工序，由第1磨石对所述晶片的背面的外周部进行磨削而在所述外周部形成破碎层；
第2磨削工序，将形成了所述破碎层的所述外周部作为肋部保留，并且由所述第1磨石对所述晶片的背面的中央部进行磨削而形成凹部；以及
第3磨削工序，使用与所述第1磨石相比磨粒粒径小的第2磨石对所述凹部的底面进行磨削而将所述晶片薄化。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
还具有在所述第3磨削工序后通过湿式蚀刻而将所述破碎层去除的工序。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述第1磨削工序中，不对所述晶片的背面的所述中央部进行磨削而是作为未磨削区域保留，
在所述第2磨削工序中，对所述第1磨石和所述晶片的相对位置进行变更而对所述未磨削区域进行磨削。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
基于对所述未磨削区域的宽度进行测定得到的值而决定所述第2磨削工序中的所述第1磨石的位置。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
对晶片影像进行图像处理而对所述未磨削区域的宽度进行测定。
6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述晶片的径向上对所述未磨削区域的台阶进行测定而求出所述未磨削区域的宽度。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
导入所述破碎层的工序中的磨削量大于或等于1μm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第1磨石的平均粒径大于或等于20μm且小于或等于100μm。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第2磨石的平均粒径小于或等于10μm。