技术总结
作为第1磨削工序，由第1磨石(17)对晶片(1)的背面的外周部进行磨削而在外周部形成破碎层(19)。然后，作为第2磨削工序，将形成了破碎层(19)的外周部作为肋部(20)保留，并且由第1磨石(17)对晶片(1)的背面的中央部进行磨削而形成凹部(21)。然后，作为第3磨削工序，使用与第1磨石(17)相比磨粒粒径小的第2磨石(22)对凹部(21)的底面进行磨削而将晶片(1)薄化。
技术研发人员：中田和成;松村民雄;寺崎芳明
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
文档号码：201480082590
技术研发日：2014.10.10
技术公布日：2017.05.31